نتایج جستجو برای: گاف نوار فوتونی

تعداد نتایج: 4582  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده علوم پایه 1391

در این پایان نامه قصد داریم برخی از خواص مکانیکی والکتریکی نانولوله های کربنی رابررسی کنیم به این منظورابتدا در مورد ویژگیهای کلی نانولوله ها وانواع مختلف آن توضیحاتی بیان میکنیم ،روش بکارگرفته شده درمحاسبات بهره گیری از نظریه تابعیت چگالی میباشد که امکانات بکارگیری این روش در نرم افزار محاسباتی گاوسین تعریف شده است که توانستیم با فراگیری آن،خاصیت الکترومکانیکی دو نوع نانولوله زیگزاگی ((0و5) و(...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه قم 1386

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1386

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1389

بلورهای فوتونی، مواد دی الکتریک مصنوعی با تغییرات متناوب در ضریب شکست شان می باشند. انتشار امواج الکترومغناطیسی در این ساختارها، مشخصه های بسیار جالب و عجیبی را از خود نشان می دهد. حالت های کشید? منتشرشونده در کل بلور فوتونی، نوارهای توده ای را تشکیل می دهند، که توسط گاف ها از همدیگر جدا شده اند. وقتی که یک بلور فوتونی بی نهایت ایده آل قطع می گردد، امواج سطحی جایگزیده می تواند در سطح قطع شد? بل...

ژورنال: :پژوهش سیستم های بس ذره ای 0
زهرا کرمی هرستانی هیئت علمی رزا صفایی هیئت علمی سید جواد هاشمی فر هیئت علمی

در مقاله حاضر، با استفاده از نظریه تابعی چگالی به بررسی اصول اولیه تأثیر آرایش دهی نانولوله کربنی (0و8) توسط اتم نیکل بر خواص حسگری آن در معرض مولکول متان پرداخته شده است. ابتدا تأثیر جذب متان بر نانولوله های خالص بررسی شده و نشان داده شده است که در غیاب نیکل، این نانولوله ها حسگر ضعیفی با انرژی جذب بسیار کم برای گاز متان هستند. سپس به بررسی جذب مولکول متان بر نانولوله کربنی (0و8) آرایش یافته ب...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
زهرا نوربخش z nourbakhsh isfahan university of technologyدانشگاه صنعتی اصفهان مارک لاسک m lusk colorado school of minesدانشگاه صنعتی اصفهان سیدجواد هاشمی فر s j hashemifar isfahan university of technologyکلرادو اسکول آو ماینز هادی اکبرزاده h akbarzadeh isfahan university of technologyدانشگاه صنعتی اصفهان

در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش ...

ژورنال: :مجله دانشگاه علوم پزشکی فسا 0
سجاد پشوتن شایسته sajad pashton shayesteh department of medical physics, kermanshah university of medical sciences, kermanshah, iranگروه فیزیک پزشکی، دانشگاه علوم پزشکی کرمانشاه، کرمانشاه، ایران عباس حق پرست abas haghparast department of medical physics, kermanshah university of medical sciences, kermanshah, iranگروه فیزیک پزشکی، دانشگاه علوم پزشکی کرمانشاه، کرمانشاه، ایران معصومه صیدی masomeh seidi instructor, education development center, hamadan university of medical sciences, hamadan, iran.مرکز مطالعات و توسعه آموزش علوم پزشکی، دانشگاه علوم پزشکی همدان، همدان، ایران بهروز مرادحاصل behrouz moradhasel department of biomedical engineering, kermanshah university of medical sciences, kermanshah, iran.گروه مهندسی پزشکی، دانشگاه علوم پزشکی کرمانشاه، کرمانشاه، ایران مصطفی تقی پور mostafa taghi pour department of biomedical engineering, kermanshah university of medical sciences, kermanshah, iran.گروه مهندسی پزشکی، دانشگاه علوم پزشکی کرمانشاه، کرمانشاه، ایران

زمینه و هدف: رادیوتراپی با استفاده از باریکه های فوتونی و الکترونی ایجاد شده توسط شتابدهنده خطی بطور گسترده در درمان سرطان پستان استفاده می گردد. در این مقاله علاوه بر توضیحات در خصوص تکنیک های سه گانه رادیوتراپی در درمان سرطان پستان، به ارزیابی و تحلیل میزان تاثیر     روش های مذکور بر یکنواختی توزیع دز تجویزی در حجم هدف پرداخته شده است. مواد و روش ها: تکنیک های فوتونی، الکترونی و چرخشی بطور عم...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1389

کریستالهای فتونیکی یک بعدی رده جدیدی از مواد اپتیکی با مدولاسیون دوره ای در ثابت دی الکتریک می باشند. این مواد مصنوعی گستره ای از بسامدهای ممنوعه را بوجود می آورند که انتشار امواج الکترومغناطیسی در آن گستره کاملا ممنوع است که این گستره بسامد ممنوعه گاف نواری نامیده می شود. این ویژگی خاص از کریستالهای فتونیکی بطرز چشمگیری شارش نور را تغییر داده و با دستکاری فوتونها به کاربردهای بالقوه ای در زمین...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1392

خواص نوری و حفاظی در برابر تابش گامای شیشه های 0/7 b2o3- (0/3-x) pbo- xceo2 محتوی x=0, 0/5, 1, 1/5 و 2 بررسی شد. اثرات تابش گاما بر روی شبکه شیشه با تابش دهی نمونه های شیشه با یک رادیوایزوتوپ 60co تا دز 2/5kgy مورد مطالعه قرار گرفت. تحلیل نوری شیشه ها با فن اندازه گیری بیناب نمای ftir و uv-vis انجام گرفت. مقادیر نوار گاف نوری و پهنای دنباله انرژی بالای گاف پویا از روی طیف جذبی نوری تخمین زده شد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1390

چکیده : آنچه بخوبی شناخته شده این است که گسیل خودبخود یک اتم نه تنها به خواص سیستم اتمی تحریک شده وابسته است بلکه به خواص محیط احاطه کننده اتم نیز وابسته می باشد. از نقطه نظر محیط احاطه کننده اتمها، ساختارهای گاف باند فوتونی (pbg) چگالی حالات متفاوتی نسبت به فضای آزاد از خود نشان می دهند. مطالعه پدیده های اپتیک کوانتومی در اتمهای واقع شده در چنین ساختارهایی منجر به پیش گویی آثار جالب زیادی مث...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید