این روزها تکنولوژی قطعات الکترونیک قدرت در حال تحول شگرف می باشد و حاصل آن igbt و mosfet های قدرت می باشد که در حال حاضر بهترین قطعات سوئیچ در اینورترها هستند. اینورتر های جدید و قویتر سه سطحی که در آنها از igbt و یا mosfet های قدرت استفاده شده است، به منظور جایگزینی با اینورتر های مرسوم طراحی و ساخته می شوند. در این تحقیق طراحی و توسعه یک اینورتر سه سطحی با استفاده از روش کنترل فرکانسی ” مدولا...

در بسیاری از کاربردهای صنعتی احتیاج به مبدلی با قابلیت تبدیل ولتاژ dc به ac با دامنه بیشتر از دامنه ولتاژ ورودی است. سیستم های تولید پراکنده که درآنها دامنه منبع تولید در مقایسه با دامنه ولتاژ شبکه کوچکتر است، upsها که در آنها مقدار ولتاژ منبع ذخیرهdc ،کمتر از ولتاژ نامی بار است و hevوev ها که در آنها احتیاج به افزایش دامنه ولتاژ ورودی و تبدیل آن به ac است, نمونه هایی از این کاربرد های می باشند...

اینورتر متعامل با شبکه، یک مبدل dc/ac دو طرفه است که در ریز شبکه ها و منابع تولید پراکنده مبتنی بر اینورتر جهت انتقال توان از باس dc به باس ac و بالعکس مورد استفاده قرار می گیرد. اینورتر متعامل در باس ac به صورت همزمان به بار محلی و شبکه قدرت متصل می شود، در صورت عادی بودن وضعیت شبکه، توان با آن مبادله می کند و در غیر اینصورت از شبکه جدا شده و بار محلی را در حالت مستقل تغذیه می نماید. در ساخت...

پیشرفت¬های قابل توجه در تکنولوژی نیمه¬هادی¬ها و ظهور قطعات کلیدزنی با قابلیت بالا، منجر به بهبود کارآیی مبدل¬های الکترونیک قدرت و افزایش کاربرد این مبدل¬ها شده است. یکی از پرکاربردترین مبدل¬¬ها، اینورتر¬ است که قابلیت تبدیل توان dc به ac را دارد. اینورتر در کاربردهای صنعتی و بویژه در سیستم¬های انرژی تجدیدپذیر دارای اهمیت ویژه¬ای بوده و این کاربردها به سرعت در حال گسترش است. در حالت ایده¬آل، ای...

کشش بازار از یکسو و فشار فناوری از سوی دیگر همواره باعث رشد و شکوفایی مستمر صنعت قطعه سازی در دنیا شده است. به منظور کاهش هزینه های ساخت و افزایش قابلیت های عملکردی، حداقل ابعاد قابل ایجاد بر روی ویفرهای نیمه هادی (به ویژه سیلیکون) باگذشت زمان کاهش یافته و امروزه به حد چند ده نانومتر رسیده است. برخلاف انتظارات اولیه ساخت قطعات سیلیکونی در ابعاد نانومتری از یکسو هزینه گزاف داشته و از سوی دیگر تو...

در چند دهه ی اخیر ساخت و مطالعه ی سامانه های با بعد پائین است که اغلب ویژگی های بسیار متفاوتی نسبت به ساختار های معمول سه بعدی دارند‏، مورد مطالعه قرار گرفته اند. در نانوفناوری این نوع ساختارهای با ابعاد کم مانند دیگر مواد از نظر ساختار الکترونی و پدیده های مربوط به ترابرد الکترونی در آنها مورد توجه هستند. دو عامل مهم موجب اهمیت فوق العاده و ویژه ی ساختارهای با ابعاد کم شده است. نخست اینکه اثرا...

در این پایان نامه، به بررسی و تحلیل عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی می پردازیم. همچنین اثرات افزودن نقص به کانال ترانزیستور و تغییر فاصله اتم ها در لبه نانو نوار را مورد بررسی قرار می دهیم. برای شبیه سازی این ساختار از نرم افزار nano tcad vides، siesta و matlab استفاده شده است. در این راه شیوه بدست آوردن هامیلتونی نانو نوار آرمچیر با رویکرد تنگ بست توضیح داده می شود. برای بالاتر ب...

نانولوله های کربنی ونانونوارهای گرافن که از نانولوله های کربنی و یا از صفحه ها گرافن به روشهای مختلف ساخته می شوند از نانوموادی هستند که به دلیل خواص منحصر به فردالکتریکی و مکانیکی و ماهیت دوگانه (فلز – نیمه هادی) چند دهه ای است بهره بری از آن ها در صنایع الکتریکی ، پزشکی وغیره یکی از اجزای اصلی قرار گرفته اند. در این پایان نامه پس از مطالعات اولیه برساختار وویژگی های نانولوله ها ونانونوارهای ...

در فیزیک، بازه فرکانسی تراهرتز به عنوان گسیل های الکترومغناطیسی شناخته می¬شوند که فرکانس انتشار آنها بین 1011 هرتز تا 1013 هرتز باشد. که محدوده بین ماکروویو و فروسرخ را در بر می¬گیرد. آشکارسازهای تراهرتز در اواخر قرن بیستم با استفاده از خواص کوانتومی مواد نیمه هادی ساخته شدند. تحقق لایه های گرافنی و گرافن دو لایه یک چشم انداز نوین در طراحی آشکارسازهای جدید ایجاد کرد. بیشترین برتری استفاده از گر...

این مقاله یک روش کنترلی کارآمد برای اینورترهای متصل به شبکه با باطری‌های ذخیره‌ساز انرژی ارائه می‌دهدکه شامل کنترل مجزای توان اکتیو و راکتیو و همچنین بهبود پایداری شبکه از طریق میرایی نوسانات می‌باشد. در روش پیشنهادی، دو حلقه کنترلی تفکیک‌شده برای کنترل مجزای توان اکتیو و راکتیو طراحی می‌گردد. علاوه‌بر کنترل‌کننده‌های مجزای توان اکتیو و راکتیو، دو کنترل‌کننده جانبی دیگر به‌عنوان کنترل‌کننده‌های...