در این پایان نامه به معرفی شکل دهنده های باریکه با استفاده از نانوساختارهای بلور فوتونی یک بعدی و مواد با ضریب شکست متغیر پرداخته شده است. با افزودن یک لایه ی نقص با توزیع ضریب شکست غیر یکنواخت به ساختار بلور فوتونی امکان کنترل و مهندسی توزیع شدت باریکه در صفحه ی خروجی ایجاد می شود. در نتیجه متناسب با تابع توزیع ضریب شکست لایه ی نقص باریکه ی خروجی شکل های متفاوتی به خود می گیرد. شکل دهی باریکه ...

کاهش دما سبب کاهش حلالیت ترکیبات پارافینی سنگین (واکس) و جدا شدن این ترکیبات از فاز مایع و تشکیل رسوب روی دیواره لوله می شود. رسوب با گذشت زمان رشد یافته و سخت می شود. در این تحقیق با بررسی ساختار، فرآیند سخت شدن و نفوذپذیری رسوب بررسی شده است. تحقیقات گذشته در حوزه ساختار رسوب واکس، در دستگاه هایی نظیر رئومتر یا میکرسکوپ نوری که مجهز به سیستم سرمایش بودند، انجام شده است که با توجه به محدویت ای...

نمونه بلورهای 2BaCl و Eu:2BaCl از پودرهای 2BaCl و 2EuCl با خلوص به ترتیب برابر با 99.995%  و 99.99%  درصد در بوته­های گرافیتی و در اتمسفر خشک رشد داده شدند. نتایج تجزیه­ی پرتو ایکس به وسیله­ی دستگاه پراش پرتو ایکس (XRD)، خلوص فاز و تشکیل فاز اورتورومبیک در بلور را تأیید کرد. مقدار ناخالصی با استفاده از دستگاه پلاسمای جفت شده­ی القایی (ICP) تعیین گردید...

باتوجه به این که شاخه های جدیدی از علم همچون نانو اپتیک و نانو فوتونیک پدید آمده که به بررسی پدیده های اپتیکی برهم کنش نور – ماده و امکان کنترل نور در ابعاد نانو می پردازند که طی دهه ی گذشته رشد قابل ملاحضه ای داشته است. بنابراین به منظور کنترل وهدایت نور در ابعاد نانو، ابزارهابی فوتونیکی معادل با ابزارهای الکترونیکی موجود از قبیل کاواک، موجبر وغیره با کمک بلورهای فوتونیک ساخته شده اند. دراین ح...

در این پژوهش، اثر نانوخاک رس بر ساختار بلوری پلی) وینیلیدن فلوئورید(، PVDF ، و شکل شناسی نانوکامپوزیت حاصل با بزارهای مختلف مطالعه شد. اثر 3 درصد وزنی از نانوخاک رس کلویزیتCloisite 30B) 30B ) روی ساختار بلوری PVDF به گونه ای است که بیش از 11 برابر درصد بلور بتای آن را افزایش می دهد. درصد بلور بتا از 6% در حالت پلیمر خالص به 68 % در غلظت 3% ازاین نانوخاک رس افزایش یافت. این امر به اثر الگوبخشی س...

امروزه با توجه به نیاز روزافزون صنعت مخابرات جهت افزایش سرعت پردازش و انتقال اطلاعات، نیاز به افزاره های فرکانس بالا کاملا مشهود می باشد. بنابراین المان های فوتونیکی می توانند برای این مهم مد نظر قرار بگیرند. بلورهای فوتونی گزینه مناسبی برای این کار می باشند. یکی از خصوصیات بلورهای فوتونی وجود گاف باند فوتونی pbg))در آنها می باشد. با طراحی موجبر از طریق ایجاد نقص خطی در ساختار بلور فوتونی دو بع...

کمپلکس جدید تک هسته ای از نیکل(ii) (1)، سنتز و بوسیله آنالیز عنصری و روش های اسپکتروسکوپی و آنالیز کریستالوگرافی تعیین ساختار گردید. بررسی آنالیز کریستالوگرافی x-ray بیانگر این موضوع است که تک بلور در ساختار تری­کلینیک متبلور شده  است:  (a = 6.859(3) å, b = 12.275(6) å, c = 18.202(9) å, α = 97.615(9)°, β = 98.336(9)°, γ = 105.118(9)° ) قسمت نامتقارن از سلول واحد، شامل دو کمپلکس تک هسته ای از نی...

هدف این تحقیق دستیابی به فهم بهتر یک فرایند مکانیکی(آزمون کشش) طی یک تحلیل میکرومکانیکی می باشد. در این پژوهش نتایج شبیه سازی المان محدود پلاستیسیته بلوری (cpfe) با نتایج بدست آمده از آزمایش مقایسه می شوند تا توانایی روش مذکور در پیش بینی بافت طی فرایند کشش تک محوره را نشان دهد. در طی این فرایند یک تکنیک گسسته سازی برای بازتولید توابع توزیع پیوسته جهت گیری (odf) مطرح می شود. تغییر شکل غیرکشسان ...

یک صفحه ی مجزای گرافیت(گرافین) یک نیمرسانای گاف صفر با چگالی حالت های صفر در انرژی فرمی می باشد. بر خلاف گرافین، بلور هم الکترون بورون نیتراید هگزاگونال، با پیوندهای صفحه ای قوی و به طور جزیی یونی میان اتم های بورون و نیتروژن، در نتیجه ی اختلاف الکترونگاتیویته میان اتم های آن-سایت دارای یک گاف عریض انرژی می باشد. به طور طبیعی مشابهت های ساختاری و ساختار نواری این دو ماده می تواند منجر به خواص ف...

چکیده ندارد.