درسالیان اخیر با پیشرفت نیمه هادیهای توان و تکنولوژی مجتمع سازی ادوات نیمه هادی توجه چشمگیری به افزاره های توان شده است. در بین ادوات توان ساختار سیلیسم بر روی عایق به علت ویژگی های بسیاری از جمله، کاهش خازن های پارازیتیک، ایزولاسیون تقریبا ایده آل و کاهش جریان های نشتی به زیر لایه مورد توجه قرار گرفته است به خصوص خاصیت ایزولاسیون بالای آن باعث شده است که در کاربردهای مدارات مجتمع توان امکان مج...

ترانزیستور یکی از مهم ترین قطعات الکترونیکی است، که ساخت آن تحول عظیمی در فرآورده های الکترونیکی ایجاد کرد، قبل از اختراع ترانزیستور، از لامپ های خلاء بزرگ و پر مصرف استفاده می شد. ترانزیستور از ادوارات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلسییوم و ژرمانیوم ساخته می شود. ساخت ترانزیستورهای کوچک تر همواره از نیازهای انسان بوده است، چرا که سرعت پردازشگرها رابطه ی مستقیمی با تعداد ترانزیس...

در این مقاله مدل بسته­ای برای منحنی مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی شبه ماسفت با کانال نانولوله کربنی ارائه شده است. به منظور مدل سازی این نوع افزاره­ها باید معادله یک بعدی جریان درین – سورس که از مدل­سازی عمومی بالستیک به کمک فرمول لاندور به دست می­آید به همراه معادله­ای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حامل­ها را ارائه می­دهد به صورت خودسازگار[i] حل شوند. همچنین برای محاسبه تراکم ...

در این پایان نامه مشخصه های نوری(میدان دور و نزدیک)، حرارتی(توزیع دما) و الکتریکی(چگالی حامل) لیزر نیمه هادی تک چاه کوانتومی آرایه ای بصورت دو بعدی مورد بررسی قرار گرفته است. برای تحلیل رفتار لیزر آرایه ای از دو روش تحلیل اَبَرمد و حل دقیق عددی معادلات استفاده شده که تحلیل ابرمد بر اساس تئوری مُد تزویج شده می باشد و توزیع خروجی کل را بر اساس توزیع تک عنصر و اعمال تزویج بین عناصر مجاور و حل معادلات...

چکیده نانولوله هایکربنی قابلیت های منحصر به فرد زیادی دارند که چشم انداز مناسبی در کاربردهاینانوالکترونیکو در مدارات مجتمع آینده می توان برای آن ها متصور شد.به دلیل مشخصات الکترونیکی عالی نانولوله های کربنی نظیر قابلیت تحرک بالا، سازگاری با ثابت دی الکتریک بالا و قطر کوچک، استفاده از نانولوله های کربنی به عنوان یکی از بلوک های اصلی در کاربردهای آینده الکترونیک می تواند مطرح باشد. استفاده از ...

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

در کار حاضر، تلاش کردیم ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی را مطالعه کنیم که این مهم با مطالعه ی رفتار حامل ها در نانولوله زیگزاگ (به عنوان مجرای ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی) صورت گرفته است. هدف اصلی، محاسبه ی جریان حامل ها در نانولوله ی کربنی زیگزاگ بوده تا دریابیم که آیا این نوع نانولوله های کربنی می تواند به عنوان یک مجرای مناسب در تولید ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کرب...

با استفاده از ترکیب محاسبات ساختار الکترونی و محاسبات بس ذره ای, اثرات همبستگی در فرومغناطیس نیمه فلز nimnsb بررسی می شود. یک هامیلتونی واقعی بس ذره ای که صرفاً شامل اربیتالهای d اتم mn باشد, اهمیت غیر-شبه ذرات را درست بالای سطح فرمی نشان می دهد. نتایج ما پیشنهاد می کند که برای توصیف دقیق تر حالتهای کم انرژی حول سطح فرمی, اربیتالهای d اتم ni بایستی صریحاً منظور شوند.

امواج نوری تابیده شده به سطح فلز باعث نوسان الکترون های آزاد آن می شود. نوسان الکترون های آزاد هماهنگ با فرکانس موج نوری تابیده شده سبب ایجاد امواجی موسوم به پلاسمون های سطحی می گردد. پلاسمون های سطحی امواج نوری هستند که در سطح هادی انتشار می یابند. این امواج از این جهت دارای اهمیت هستند که می توانند در ساختارهایی با ابعاد زیر طول موج انتشار یابند. این پدیده می تواند رویای رسیدن به فناوری پرداز...

امروزه سنتز نیمه رسانا ها از اهمیت ویژه ای برخوردار است زیرا آنها یکی از اجزای اساسی سلولهای خورشیدی محسوب می شوند. از طرفی به منظور بررسی خواص فتوالکتروشیمیایی آنها می بایست صفحه رسانای مناسب مانند شیشه هادی استفاده شود تا نسبت به عبور نور و جریان رسانا باشند.به همین خاطر فن آوری استفاده از سل های خورشیدی به عنوان یک منبع انرژی تجدید پذیر وپاک مورد توجه دانشمندان قرار گرفته است ورفته رفته در ص...