لایه?های نازک اکسیدآهن با ضخامت 300 نانومتر به روش لایه ?نشانی الکتروشیمیایی بر روی شیشه رسانا FTO �نشانده و در دمای 300 درجه سانتی?گراد پخت شده?اند. به منظور تعیین ساختار، مورفولوژی سطح ، بررسی خواص الکتروکرومیک و اپتیکی لایهنازک اکسید آهن به ترتیب از آنالیزهای XRD،SEM ، ولتامتری چرخه?ای (CV)، کرونوآمپرومتری (CA) و �UV/Visاستفاده گردید. نتایج نشان می?دهند که لایه نازک اکسید آهن با فاز کریستالی...

sol-gel یک فرآیند پیشرفته و نوین برای تولید انواع سرامیکها و شیشه‏ها است. در سالهای اخیر ساخت نانوساختارهای مختلف به روش سل- ژل به سرعت گسترش یافته است. در سال‏های اخیر کامپوزیت‏ها به ویژه فیلم‏های نازک کامپوزیت نیمه رساناهای گروه ?v-??، مانند نانوذرات cdse، cds، cdte و zns جایگزیده شده در یک سیستم متخلخل به دلیل کاربردشان در ساخت لیزرهای نیمه رسانای مریی بسیار مورد توجه قرار گرفته‏اند. سولفیدر...

�لایه های نازک نیترید سیلیکون برروی زیرلایه بس کریستال سیلیکون و شیشه نازک بااستفاده از روش کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی یک بار در محیط گاز آرگن و بار دیگر در محیط گاز نیتروژن انجام شده� است. با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییرمی کند و لایه هایی با خواص نوری متفاوت به دست می آید. تأثیرات ناشی از تغییرات توان RF برروی خواص نوری و ترکیبات موجود در لایه...

لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل

با توسعه ریزفناوری میکروماشین­کاری و میکروالکترونیک، میکروهیترها کاربردهای زیادی در میکروحسگرها پیدا کرده­اند. یکنواختی توزیع دما یکی از عوامل تاثیرگذار در افزایش حساسیت و دقت یک حسگر گازی است که در آن هیتر استفاده شده است. در این مقاله روش قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دی­الکتریک به منظور بهبود یکنواختی گرما در میکروهیتر، مورد بررسی قرار گرفته است. دو میکروهیتر پلاتینی با ساختار غشای...

ترموپیل‌های لایه نازک برای ساخت انواع حسگر‌های بسیار کوچک، به ویژه برای آشکارسازی پرتوهای حرارتی فروسرخ (IR ) کاربرد فراوان دارند. در این  مقاله نحوة طرّاحی و ساخت ترموپیل‌های لایه نازک Bi-Cu به صورت  خطّی و به روش تک لایه با 8  و 11 اتّصال سری، همچنین طرّاحی و ساخت ترموپیل‌های لایه نازک Bi-Sb  و Bi-Cu  دایره‌ای شکل به روش چند لایه‌ای با 100 اتصال سری به عنوان آشکارساز فروسرخ عرضه شده است. در این م...

در عصر حاضر، مغناطیس و بویژه لایه های نازک مغناطیسی در ساخت حافظه ها نقش اساسی دارند. امروزه راهکارهای زیادی برای افزایش حافظه کامپیوترها بررسی می شود. یکی از راههای رسیدن به چنین نتایجی در کاهش اندازه دانه های مغناطیسی با مجزا کردن این دانه ها می باشد، که با افزایش وادارندگی مغناطیسی همراه است. در کار حاضر با استفاده از روش مگنوترون، نانوکامپوزیت های زمینه فلزی CoCrPt با درصد های مختلف Al2O3 س...

در این مقاله، لایه ­ های نازک ba0/5sr0/5co0/8fe0/2o3-δ (bscf) روی زیر لایه 3 (sto) srtio (100) به روش لایه نشانی لیزر پالسی ( pld ) در فشارهای مختلف اکسیژن لایه نشانی شد. برای تهیه لایه های نازک، از نانوذرات پودر bscf که با روش سل-ژل با هدف کاربرد در ساخت کاتد پیل سوختی اکسید جامد تهیه شدند، استفاده شد. ساختار بلوری نمونه ­ ها­ توسط پراش پرتو x ، (xrd) مطالعه شد. نتایج xrd نشاندهنده ساختار مکعب...

لایه نازک اکسید ایندیوم (in2o3) دو ویژگی تراگسیل نوری و رسانندگی الکتریکی را به طور همزمان دارا می باشد. با اضافه کردن ناخالصی قلع، لایه نازک اکسید ایندیوم آلاییده به قلع (ito) به دست می آید که خواص فیزیکی آن بسته به روش ساخت بهینه می شود. امروزه برای دستیابی به خواص مطلوب، افزایش درصد کمی ناخالصی فلزی به لایه های نازک ito مورد توجه قرار گرفته است. در این پروژه افزایش لایه میانی نقره با ضخامت ت...

آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثابت دی الکتریک بسیار بالا (8.5) از خود نشان داده، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. همچنین آلومینیوم نیترید با توجه به...