نتایج جستجو برای: محیط متخلخل sic

تعداد نتایج: 90117  

Journal: :Journal of innate immunity 2010
Morgan A Pence Suzan H M Rooijakkers Anna L Cogen Jason N Cole Andrew Hollands Richard L Gallo Victor Nizet

Streptococcal inhibitor of complement (SIC) is a highly polymorphic extracellular protein and putative virulence factor secreted by M1 and M57 strains of group A Streptococcus (GAS). The sic gene is highly upregulated in invasive M1T1 GAS isolates following selection of mutations in the covR/S regulatory locus in vivo. Previous work has shown that SIC (allelic form 1.01) binds to and inactivate...

, ,

In this study, the effect of two types of SiC powders consist of SiC-1 (β-SiC) and SiC-2 (β-SiC+α-SiC) and also different values of CaO additive consist of 0, 0.4 and 0.8 weight percent on sintering behavior of sintered SiC with pressureless technique in Al2O3-Y2O3-CaO additive system  was investigated. In all specimens, Al2O3:Y2O3 molar ratio was equal to 3:2 and all amounts of additive were e...

فاطمه کورش وحید, کاظم اسماعیلی

     یکی از راه­هایتامین آب استفاده ازمنابعرودخانه است. اما ویژگی‌های روش‌های متداول همواره مشکلات متعددی را در این راستا بوجود آورده‌اند. ارائه شیوه­های نوین امکان کاهش مشکلات بهره‌برداری از آب رودخانه را تا حد بسیار زیادی فراهم می­کند. تاکنون بکارگیری صفحات مشبک درآبگیرهای کفی از روش‌های مرسوم در انحراف جریان از رودخانه­های کوهستانی با شیب تند و رسوبات درشت‌دانه بوده است. بروز مشکلات ناشی از ...

آرش اجلالی حسین شکوهمند,

در این پژوهش انتقال حرارت جابجائی در یک دسته از فین های متخلخل دو بعدی که تحت تاثیر جریان آرام سیال قرار دارند مورد مطالعه قرار گرفته است . معادله حاکم بر رفتار سیال در خارج از محیط متخلخل معادله ناویراستوکس و در داخل محیط متخلخل معادله برینکمن فورچهیمر می باشد . فین ها دو بعدی با نسبت تخلخل ثابت و افقی قرار گرفته اند و جریان دو بعدی سیال به صورت جابجایی اجباری از روی این مجموعه عبور داده می شو...

در این تحقیق از معادلات دیفرانسیل مرتبه کسری برای مدل­سازی نیمرخ سطح آب درون محیط متخلخل در دامنه مرتبه­ی کسری صفر تا یک برای جریان متلاطم کاملاً توسعه‌یافته استفاده گردید و معادله توسعه­یافته تحت شرایط قانون دارسی، به روش تحلیلی حل گردید. مدل آزمایشگاهی شامل یک محیط متخلخل درشت‌دانه به طول 4/6 متر، عرض 8/0 متر و ارتفاع 1 متر و شامل مصالح گرد­گوشه می­باشد که آزمایش­ها برای حالت­های مختلف دبی جری...

2014
Dan Zhu Mingxia Gao Hongge Pan Yi Pan Yongfeng Liu Shouquan Li Hongwei Ge Ningxiang Fang

Dense silicon carbide (SiC) matrix composites with SiC whiskers and particles as reinforcement were prepared by infiltrating molten Si at 1550 °C into porous preforms composed of pyrolysed rice husks (RHs) and extra added SiC powder in different ratios. The Vickers hardness of the composites showed an increase from 18.6 to 21.3 GPa when the amount of SiC added in the preforms was 20% (w/w), and...

2013
J H Choi L Latu-Romain E Bano Anne Henry W J Lee J. H. Choi E. Bano W. J. Lee

Different polytypes (α-SiC and β-SiC) and crystallographic orientations ((0001) and (11-20) of 6H-SiC) have been used in order to elaborate Silicon Carbide (SiC) nanopillars using inductively coupled plasma etching method. The cross section of the SiC pillars shows a rhombus, pentagon, or hexagonal morphology depending on polytypes and crystallographic orientations. The favored morphologies of ...

در این پژوهش رفتار کششی دما بالای نانوکامپوزیت Al-3 vol% SiC مورد بررسی قرار گرفته است. جهت ساخت نمونه‌ها، نانوذرات تقویت کننده کاربید سیلیکون (SiC) به همراه ذرات آلومینیوم (Al) خالص(6/99%) به عنوان زمینه توسط آسیاب سایشی مخلوط شدند. مخلوط حاصل سپس تحت فرآیند پرس سرد و اکستروژن گرم در دمای 500 درجه سانتیگراد قرار گرفت. پس از فرآیند اکستروژن و نمونه سازی، رفتار کششی در دماهای مختلف به همراه اندا...

در پژوهش حاضر انتقال حرارت همرفت طبیعی در حفره مربعی با حضور دیوار های متخلخل مورد بررسی قرار گرفته است. دیوار های بالایی و پایینی حفره عایق فرض شده اند و دیوار سمت راست دارای شرط دما ثابت و سرد و دیوار سمت چپ نیز دارای شرط دما ثابت و گرم فرض شده است و دیوار های سمت چپ و راست حفره دارای اختلاف دمایی برابر با یک هستند. برای مدل کردن فرآیند انتقال حرارت طبیعی در حفره از روش شبکه لتیس بولتزمن استف...

2011
B. P. Burton Steve Demers A. van de Walle

The cluster-expansion method was used to perform first principles phase diagram calculations for the wurtzite-structure quasibinary systems (SiC)1 X(AlN)X, (SiC)1 X (GaN)X and (SiC)1 X(InN)X; and to model variations of band gaps as functions of bulk compositions and temperature. In SiC-AlN, plane wave pseudopotential formation-energy calculations predict low-energy metastable states with format...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید