خواص الکترونیکی نیم رساناها مبنای توسعه ی شگفت انگیزی در ایجاد قطعات مینیاتوری در حدود ابعاد کوانتومی یا ابعاد نانو متر شده است . اساسی ترین تفاوت در خاصیت نیم رساناها به نوار گاف در ساختار نواری آنها مربوط می شود . فصل یک این پایان نامه مختصری از این خواص را بیان می کند . پیشرفت تکنولوژی ساخت قطعات ، امکان ایجاد لایه های نازک ماده ای روی ماده دیگر را فراهم نموده است . ساختارهای ترکیبی قطعات نی...

نیم رسانا ها به دلیل دارا بودن خواص کاتالیزوری، فتوکاتالیزوری، سنسور گازها و ... دارای اهمیت هستند. در این کار تحقیقاتی نانو نیم رسانا های zno و sno2 به کمک روش تخریب ژل آکریل آمید سنتز شد و به منظور اصلاح خواص فتوکاتالیزوری این نیم رسانا ها از روش دوپه کردن عناصر لانتانیدی (sm, la, nd) به روش تخریب ژل آکریل آمید و عناصر واسطه (ag, pd) با استفاده از روش های تخریب ژل آکریل آمید (در مورد هر دو نی...

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

چکیده ندارد.

نیم فلزات فرومغناطیس از موضوعات مورد توجه در علم اسپینترونیک هستند که با توجه به داشتن قطبش اسپینی 100? در سطح فرمی منابع مناسب و کارایی برای تزریق اسپین به نیم رساناها می باشند. این مواد همچنین می توانند کیفیت قطعات مبتنی بر آثار مغناطومقاومتی 1 را به میزان چشم گیری بهبود بخشند. یک دسته از این مواد ترکیبات دوتایی عناصر واسط با عناصر گروه های vو vi هستند که دمای کوری بالایی دارند یکی از این ترک...

در فیزیک، بازه فرکانسی تراهرتز به عنوان گسیل های الکترومغناطیسی شناخته می¬شوند که فرکانس انتشار آنها بین 1011 هرتز تا 1013 هرتز باشد. که محدوده بین ماکروویو و فروسرخ را در بر می¬گیرد. آشکارسازهای تراهرتز در اواخر قرن بیستم با استفاده از خواص کوانتومی مواد نیمه هادی ساخته شدند. تحقق لایه های گرافنی و گرافن دو لایه یک چشم انداز نوین در طراحی آشکارسازهای جدید ایجاد کرد. بیشترین برتری استفاده از گر...

با پیشرفت صنعت الکترونیک، دانشمندان به فکر کوچک کردن قطعات افتادن تا بتوانند تعداد زیادتری ترانزیستور و دیود و سایر المان های مدار را در یک تراشه با ابعاد ثابت قرار دهند. تلاش های آن ها در طی سالیان اخیر منجر به ساخت پردازنده های پیچیده تر و قدرتمندتری شده است. در این میان سوالی پیش می آید که این کوچک کردن قطعات تا چه اندازه ای می تواند پیش رود. برای بررسی این موضوع اتصال فلز به نیمرسانا را انت...

در این پروژه تلاش ما به حل معادله ی شرودینگر در نانوساختارهای نیمه رسانا و به طور مشخص چاه های کوانتومی متمرکز میباشد . هدف از انجام این پروزه شناخت دقیق تر فیزیک نانو ساختار هاست که بر این اساس تصحیح معادله ی شرودینگر برای چاه های کوانتومی ساخته شده از مواد نیمه رساهنای مختلف باید مشخص گردد. به عنوان مثا ل در مورد gaas با چاه های کوانتومی مربع متناهی سروکار داریم در حالی که در مورد gan به دل...

ساختار های کوانتومی نیم رسانا که حرکت حامل های بار در آن ها در یک، دو یا سه راستای فضایی محدود می باشد، از جمله مباحث مورد علاقه ی محققان در سال ها ی اخیر است. این محدودیت فضایی، سبب کوانتیدگی ترازهای انرژی الکترون ها در نوار رسانش شده و خصوصیات فیزیکی این سیستم های نیم رسانا را دگرگون می سازد. بررسی خواص الکترونی و اپتیکی ساختارهای کوانتومی نه تنها از دیدگاه نظری بلکه به علت کاربرد وسیع آنها د...

چکیده ندارد.