نتایج جستجو برای: ترانزیستورهای ldmos
تعداد نتایج: 449 فیلتر نتایج به سال:
چکیده: در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمههادی در تکنولوژی soiمعرفی میشود که مشخصات dcو فرکانسی بهتری نسبت به ساختارهای متداول دارد. ایده اصلی مقاله بر مبنی تغییر چگالی حاملها توسط یک تکه اکسید اضافی چسبیده به لایه مدفون اکسید در سمت درین است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبیهساز دوبعدی بررسی میشود. در ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست از v13 در ساختار متداول به v19 در ساخ...
Realising a higher voltage application utilising bridge topologies in CMOS Power IC CMOS technology presents integration and design issues that must be solved by careful selection of the manufacturing process architecture. In this paper, we present a solution that uses a p+/p-buffer/n-epi stack to implement a 100V RESURF N-channel LDMOS high-side compatible power transistor. The device was deve...
در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...
در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه si(100) و si(111) به بررسی نان...
Fully digital transmitters (DTXs) have the potential of replacing analog-intensive transmitter (TX) line-ups in future massive multiple-input and multiple-output (mMIMO) systems since they hold promise higher system integration level energy efficiency. DTX operation so far has been limited to low RF output powers. This article introduces a concept that enables high-power operation. A demonstrat...
In this paper, the author presents design and implementation of an Sband transmitter for nanosatellites. By combining heterostructure field effect transistors (HFET) laterally diffused metal–oxide–semiconductor (LDMOS) technology using flexible structure control method, research obtained 60 dB gain power when input is -14 dBm, output 46 dBm (more than 25 W) in 2,1 GHz -2,3 Ghz frequency; phase ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید