وجود یک سری مختصات ویژه ی نانولوله های کربنی، آن ها را به انتخابی ایده آل برای بسیاری ازکاربردها تبدیل کرده است. مدارک گوناگونی نشان می دهد که آلاییدن نانولوله های کربنی با اتم هایی که به نانولوله اسپین تزریق می کنند، باعث بهبود خاصیت مغناطیسی ضعیف نانولوله ها و امکان استفاده از آن ها در صنعت اسپینترونیک می شود. از میان عناصر شیمیایی گوناگون، فلزات واسطه به علت برقراری پیوند قوی با اتم های کربن...

در سالهای اخیر مواد نیتریدی کاربردهای بسیار ارزنده ای در صنعت الکترونیک? اپتوالکترونیک?صنایع نظامی و... پیدا کرده اند. از این میان? ساختارهای نامتجانس نیتریدی بخصوص بسیار مورد توجه بوده اند. از خواص مواد نیتریدی بخصوص که چاه های کوانتومی آنها مورد توجه در این پایان نامه می باشد، می توان به بزرگ بودن و مستقیم بودن گاف انرژی ?رسانندگی حرارتی خوب و سرعت اشباع الکترونی بالا اشاره کرد که این خواص با...

در این پایان نامه ، یک مدل واحد پیوسته براساس فیزیک افزاره و پتانسیل سطحی برای مشخصه ‏‎i-v‎‏ ماسفتهای تمام و نیمه تخلیه ای ‏‎soi‎‏ ارائه شده است که به طور خودکار، براساس میزان تخلیه بدنه، حالت کار افزاره را تعیین کرده و مشخصه جریان-ولتاژ را محاسبه می کند. اثرات مقیاس کوچک مانند مدولاسیون طول کانال ‏‎clm‎‏، کاهش سد پتانسیل القا شده توسط درین(‏‎dibl‎‏) ، اثرات میدانهای شدید بر روی قابلیت حرکت و ا...

در این پروژه، مدل سازی تمام گسترده ترانزیستورهای گالیم آرسناید در فرکانس های بالا بررسی شده است. با استفاده از این روش و با فرض ترانزیستور به عنوان سه خط کوپل شده فعال، معادلات amtl و namtl بترتیب در رژیم خطی و غیرخطی استخراج شده اند. این معادلات در حوزه زمان با استفاده از روش عددی تفاضلات محدود در حوزه زمان حل و نتایج آنها با نتایج حاصل از روش شبه گسترده که توسط نرم افزار ads انجام شده، مقایسه...

در این پایان نامه به بررسی ساختار گرافین از جمله شبکه آن ، بردارهای پایه شبکه حقیقی و شبکه وارون و یکی از ویژگی های منحصر به فرد در گرافین که طبیعت خاص حامل های بار در آن است پرداخته ایم .نحوه به دست آمدن معادله دیراک در گرافین را شرح می دهیم و یک ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را شبیه سازی می کنیم و رفتار فرمیون های بدون جرم دیراک را در برخورد با ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را در حالت هایی که...

در این مقاله، عملکرد و مشخصات ریزساختاری تک سل پیل سوختی اکسید جامد با انجام آزمونهای تجربی و با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و همچنین مدلسازی عملکرد مورد بررسی قرار گرفته است. این تک سل‌ها به جهت استفاده از روش‌های تولید انبوه و اقتصادی با روش‌های ریخته‌گری نواری و چاپ صفحه‌ای ساخته شده‌اند که فرآیند تولید آنها ارائه می‌گردد. همچنین با استفاده از مدل عملکرد الکتروشیمیایی و مشخصات ریزساخ...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

ترانزیستور لیزری (tl) یک ترانزیستور دو قطبی پیوند نامتجانس است که یک چاه کوانتومی در بیس آن تعبیه شده است که باعث گسیل نور در یک طول موج وسیع می شود. شدت نور خروجی با استفاده از چاه کوانتومی در بیس tl افزایش می یابد. ترانزیستور لیزری که به عنوان یک ترانزیستور و یک لیزر به طور همزمان عمل می کند امپدانس خروجی زیاد با بهره جریان در محل پیوند بیس-کلکتور و گسیل لیزر حاصل از بازترکیب الکترون-حفره در ...

اغلب، فولاد کم آلیاژ 42CrMo4 را برای تولید قطعاتی که در معرض سایش فلز با فلز قرار دارند، مانند چرخهای جرثقیل، مورد استفاده قرار می دهند. اما بعد از مدتی که این قطعات در شرایط کاری قرار گرفتند به علت سختی پایین، مقاومت به سایش کمی داشته که در اثر سایش، ابعاد قطعه کاهش و نیاز به بازسازی دارد. به همین منظور با استفاده از فرآیند روکش سخت، روکشهای سخت ایجاد نموده تا قطعات مجدداً مورد استفاده قرار گیر...

در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد و همچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنش های کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد با وجودی که رفتار ...