نتایج جستجو برای: گاف نوری

تعداد نتایج: 10755  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم پایه 1391

در دهه های گذشته، نانوفنآوری پیشرفت های قابل توجهی داشته است و تأثیرات آن در همه ی زمینه ها مشهود است. نانومواد نیم رسانای تک بعدی مانند نانوسیم ها و نانولوله ها، به علت کاربرد در ابزارهایی که برای اندازه گیری در ابعاد نانو مورد استفاده قرار می گیرند، توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. این نانوساختارها در ساخت دیودهای نوری، حسگرهای بیوشیمیایی و ترانزیستورهای اثر میدان کاربرد دارند. ایندیوم آرسن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - پژوهشکده علوم 1391

بلور فوتونی محیطی است که تابع توزیع ضریب شکست در آن متناوب و یا شبه متناوب می باشد. بلورهای فوتونی در دهه ی اخیر به خاطر کاربردها و ویژگی های الکترومغناطیسی منحصر به فردشان به یک حوزه ی تحقیقاتی مهمی تبدیل شده اند. با انتخاب آرایش های مختلف از محیط های با خواص نوری معین، ابزارها و ادوات فوتونی طراحی می شوند. ویژگی بارز بلورهای فوتونی وجود گاف باند فوتونی در طیف تراگسیل می باشد. بطوریکه امواج ال...

زهرا نوربخش, , سیدجواد هاشمی فر, , مارک لاسک, , هادی اکبرزاده, ,

Renewable energy research has created a push for new materials one of the most attractive material in this field is quantum confined hybrid silicon nano-structures (nc-Si:H) embedded in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The essential step for this investigation is studying a-Si and its ability to produce quantum confinement (QC) in nc-Si: H. Increasing the gap of a-Si system causes solar...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1394

با ترکیب این مواد با مواد معمولی اثر متامواد برروی عبور نور از این ساختارها مورد بررسی قرار گرفته است.با ایجاد بی نظمی جایگاهی و بی نظمی در ضخامت لایه ها بر روی این ترکیبات ، تغییرات ضریب عبور نور را متوجه شده وهمچنین چگونگی شرایط ایجاد گاف صفر و گاف براگ مورد بحث قرارگرفته شده است.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1394

آینه های فلزی، نور را در یک گستره ی وسیع از فرکانس ها به ازای هر زاویه ی اختیاری بازتاب می کنند ولی این آینه ها به علت جذب به ویژه در فرکانس های فروسرخ و نوری، اتلافی بوده و مطلوب نیستند، به همین دلیل دانشمندان استفاده از آینه های دی الکتریک چندلایه ای را به آینه های فلزی ترجیح می دهند. آینه های دی الکتریک چندلایه ای گستره باریکی از فرکانس فرودی را در یک زاویه ی مخصوص یا گستره ی زاویه ای مخصوص ...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - پژوهشکده علوم پایه کاربردی 1391

خواص الکترونیکی واپتیکی و ترموالکتریکی homno3 و ناخالصیها با استفاده محاسبات اصول اولیه ونظریه تابعی چگالی بررسی شده است. برای انجام محاسبات از روش امواج تخت تقویت شده خطی وتقریب گرادیان تعمیم یافته استفاده شده است.

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
رضا ثابت داریانی r. s. علی نعمتی a. n.

در این مقاله در ابتدا لایه های سولفید کادمیم با شفافیت اپتیکی زیاد و مقاومت ویژه کم ساخته شد. سپس خواص فوتوکانداکتیویته لایه سولفید کادمیم بر روی زیر لایه شیشه ای در گستره از دمای اتاق تا200° c  مورد مطالعه قرار گرفت. نهایتا ناخالص سازی لایه سولفید کادمیم با فلزات مس, نقره, طلا و آلومینیوم انجام گرفت. در نمونه های سولفید کادمیم ناخالص شده با مس, نقره و طلا موفق به ایجاد مراکز تله شدیم و قله منح...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1388

شروع مبحث بلورهای فوتونی در سال 1987 با تحقیقات یابلونویچ به منظور کم کردن اتلاف ناشی از گسیل خودبخودی و جان به دنبال جایگزیده کردن نور بوده است. فعالیت تحقیقاتی هر دو به معرفی بلور فوتونی منجر شد. بلورهای فوتونی به علت خاصیت تناوبی اجزاء سازنده آن ها، دارای خواص بسیار جالبی در بر هم کنش با امواج الکترومغناطیسی هستند و بازتاب براگ امواج الکترومغناطیسی باعث ایجاد ساختار باند فوتونی در آن ها می ش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1393

ترانزیستور لیزری (tl) یک ترانزیستور دو قطبی پیوند نامتجانس است که یک چاه کوانتومی در بیس آن تعبیه شده است که باعث گسیل نور در یک طول موج وسیع می شود. شدت نور خروجی با استفاده از چاه کوانتومی در بیس tl افزایش می یابد. ترانزیستور لیزری که به عنوان یک ترانزیستور و یک لیزر به طور همزمان عمل می کند امپدانس خروجی زیاد با بهره جریان در محل پیوند بیس-کلکتور و گسیل لیزر حاصل از بازترکیب الکترون-حفره در ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق 1393

دستگاه¬های لایه¬نشانی به روش کندوپاش dc مغناطیسی واکنشی برای لایه¬نشانی اکسید مس و روش تبخیر حرارتی برای لایه¬نشانی فلزات طلا، منگنز و آلومینیوم به عنوان اتصالات اهمی پیاده-سازی و راه¬اندازی شدند. فازهای اکسید مس با توجه به فشار جزئی گاز اکسیژن در محفظه لایه¬نشانی تفکیک و اندازه¬گیری¬های الکتریکی و نوری برای این لایه¬ها صورت پذیرفت. تطبیق اندازه-گیری¬های مقاومت ویژه، غلظت و تحرک حفره¬ها و میزان...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید