نتایج جستجو برای: finfet تمام گیت دو فلزی
تعداد نتایج: 306128 فیلتر نتایج به سال:
An industry standard 8'' silicon-on-insulator wafer based ultra-thin (1 μm), ultra-light-weight, fully flexible and remarkably transparent state-of-the-art non-planar three dimensional (3D) FinFET is shown. Introduced by Intel Corporation in 2011 as the most advanced transistor architecture, it reveals sub-20 nm features and the highest performance ever reported for a flexible transistor.
This paper deals with the propagation delay comparison of half adder with different FETs; such as MOSFET, CNTFET, FINFET. Nanotechnology is the promising field which functions at the molecular level to replace the conventional use of classical CMOS. By simulation, the best part is got that CNTFET shows lesser delay for half adder circuit.
بررسی مقایسهای نانوذرات دو فلزی آهن- نیکل بدون روکش، و نانوذرات دو فلزی آهن- نیکل با روکش نشاسته صورت گرفت. نانوذرات دو فلزی آهن- نیکل از روش احیا در دمای C 25 و تحت شرایط گاز آرگون سنتز شدند. تأثیر نشاسته به عنوان پایدار کننده نانوذرات آهن بر پایداری محلول و ابعاد نانوذرات بررسی شد. خواص نانوذرات روکش شده آهن- نیکل و نیز نانوذرات آهن- نیکل بدون بهبودبخشی سطح، با استفاده از دستگاه های میکروسک...
The constant pace of CMOS technology scaling has enabled continuous improvement in integrated-circuit cost and functionality, generating a new paradigm shift towards mobile computing. However, as the MOSFET dimensions are scaled below 30nm, electrostatic integrity and device variability become harder to control, degrading circuit performance. In order to overcome these issues, device engineers ...
در این مقاله یک سوئیچ دوحالته قابل کنترل تمام نوری بهبود یافته ای با استفاده از شفافیت القایی دو قطبی و اثر کر و اندرکنش نقطه کوانتومی با کاواک الکترودینامیک کوانتومی پیشنهاد گردیده است. سوئیچ تمام نوری دوحالته قابل کنترل از یک محیط غیرخطی سریع (کریستال های فتونیکی) و کاواک الکترودینامیک کوانتومی، کوپل شده با دو موج بر نوری، تشکیل شده است. نانو کریستال تزریق شده در فوتونیک کریستال کاواک را س...
Robust FinFET Memory Circuits with P-Type Data Access Transistors for Higher Integration Density and Reduced Leakage Power Sherif A. Tawfik1 ∗ and Volkan Kursun2 1Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin, USA 2Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowlo...
This paper reviews recent approaches in the development of a tunable work function metal gate CMOS technology and describes the application of one such approach to the fabrication of metal gate fullydepleted (FD) SOI transistor structures such as the ultra-thin body (UTB) FET and the FinFET.
Fast and accurate reliability estimation of integrated circuits is an open problem. Introducing the emerging nano devices such as FinFET and Stacked Silicon nanowires makes this problem even more challenging because of higher lithography fluctuation. We discuss several previous efforts for reliable circuit design and propose a methodology for accurate reliability estimation of novel transistors.
ترابرد کوانتومی در سرتاسر ناحیه ی اتصال بین دو نانولوله ی کربنی تک دیواره ی زیگزاگ که با پیوندهای بین لوله ای به هم متصل شده اند ، با الگوی بستگی قوی ، روش تابع گرین و فرمول لاندائور بررسی شده است ، محاسبات عددی انجام شده نشان می دهند با افزایش شدت جفت شدگی بین نانولوله های زیگزاگ فلزی رسانندگی به صورت نوسانی تغییر می کند که با نتایج آزمایش های انجام شده با نانولوله های به هم فشرده توافق دارند ...
شایع ترین عامل به وجود آورنده جریان غیر ماندگار، باز و بسته کردن شیرهای قطع و وصل جریان است. این عمل باعث انتشار امواج فشاری در سیستم میشود. شدت امواج فشاری به عواملی از قبیل نوع شیر، سرعت باز و بسته شدن شیر، هیدرولیک سیستم و خواص الاستیکی لولهها بستگی دارد. یکی از مکانهایی که محاسبه ضربه قوچ در آن دارای اهمیت میباشد، سیستم انتقال آب نیروگاههای برقابی است. اگر در زمان بهرهبرداری از نیروگ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید