نتایج جستجو برای: ترانزیستور اثر میدانی

تعداد نتایج: 165261  

ژورنال: :رودکی ( پژوهش های زبانی و ادبی در آسیای مرکزی ) 0
روزی احمد استادیار

رودکی از شاعران بزرگ زبان فارسی است که در یکی از روستاهای ادب پرور تاجیکستان دیده به جهان گشود. موضوع گردآوری ایجادیات شفاهی بدیعی هم دیاران رودکی سبب شد که هیئتی به دیهه هایی که با نام رودکی ارتباط داشتند، روانه شوند و با انجام تحقیقات میدانی به جمع آوری نمونه های فولکلور دیار رودکی اقدام کنند. در جمع آوری نمونه های فولکلور تلاش شد گویش مردم بومی درحد امکان حفظ و اثرهای مردمی عیناً ثبت شود. تلا...

در این مقاله، یک LNA کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45GHz با استفاده از تکنولوژی µmRF-0.18CMOS شرکت TSMC ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به‌کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده زبان و ادبیات فارسی 1391

چکیده: ضربالمثلها آیینهی تمامنمای فرهنگ هر جامعه به شمار میآید؛ لذا بررسی و تحلیل آنها از زوایای مختلف میتواند ما را نسبت به دیدگاهها، افکار و اندیشه و آداب و رسوم یک فرهنگ آشنا نماید. در زبان و فرهنگ عربی- اسلامی نیز ضرب المثل از جایگاه والایی برخوردار است و موضوعات و مباحث متعددی در آن قابل بررسی است؛ لذا بهخاطر گستردگی موضوعات، ما در این پژوهش، فقط به موضوع مهم «بایدها و نبایدهای اخلاقی»پرد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1390

در این پایان نامه، قصد داریم ترانزیستورهای تک الکترونی مبتنی برنقطه ی کوانتومی سیلیکونی (جزیره-ی نیمه هادی) و قابل استفاده در دمای اتاق را مدل سازی کنیم. که در این راستا، اثرکوانتیده شدن سطوح انرژی مربوط به جزیره نیمه هادی (نقطه کوانتومی) دراثرکوچک بودن اندازه جزیره(کوچکتراز10نانومتر) وهم چنین اثر پهن شدگی این سطوح انرژی دراثرکوپل نقطه ی کوانتومی با کنتاکت های فلزی را بر اجرای این ترانزیستور مو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1352

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1391

بعد از محدود شدن ترانزیستورهای سیلیکونی، بعلت بازدهی کم و پتانسیل پایین، پیداکردن جایگزینی مناسب برای آنها، که علاوه بر بازدهی بالاتر، قابلیت مجتمع سازی و عدم نیاز به تجهیزات خنک کننده داشته باشد اهمیّت فوق العاده ای پیدا کرد. لذا با در نظر گرفتن این شرایط، گالیوم نیترید به عنوان جایگزین آن معرفی گردید که یک نیمه رسانای ترکیبی iii-v و با گاف نواری مستقیم و نسبتاً بزرگ (با انرژی 3.5 الکترون ولت) م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1390

مدارات مجتمع cmos به منظور دستیابی به سرعت بالا و تراکم فشرده سازی، کوچک شدن افزاره ها را می طلبند، لذا با کوچک شدن طول گیت اثرات کانال کوتاه بسیار مهم خواهند شد. به دلیل تغییر طول گیت خواص قطعه نیز تغییر می کند. در این پایان نامه، اثرات کانال کوتاه ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق و روش های کاهش آنها و نیز ساختارهای ارائه شده بدین منظور مورد مطالعه قرار گرفته اند؛ در نهایت با استفاده از شبیه ساز...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1393

ترانزیستورهای مدرن به رغم عملکرد ساده¬¬شان، یکی از مهمترین دستگاه¬های پیچیده¬ی ایجاد شده توسط بشر هستند. سالانه میلیون¬ها ترانزیستور ساخته شده در جهان نقش مهمی در رایانه، تلفن همراه، رله قدرت و انواع دیگر دستگاه¬های الکترونیکی بازی می¬کنند. ماسفت به¬عنوان پایه¬ی مدارات مجتمع امروزی و همچنین پایه¬ی بسیاری از سنسورهای دقیق می¬باشد. جهت¬گیری تکنولوژی همواره به کوچک¬سازی این قطعه ¬انجامیده است. اخ...

Journal: :Mechanic of Advanced and Smart Materials 2022

در صنعت پالایشگاه و پتروشیمی‌ها به دلیل وجود تجهیزات تمام فلزی محیط اسیدی خوردگیتنشی زیاد است با توجه افزایش کاربرد فولادهای زنگ نزن این صنایع پژوهش بررسی اثر ضربات امواج اولتراسونیک بر رفتار خوردگی فولاد 316 (S.S 316) می‌پردازیم. هدف از تأثیر روش تنش‌زدایی برافزایش مقاومت قطعات محیط‌های خورنده است. لازم ذکر که، تنش پسمان نمونه‌ها جوش‌کاری ایجادشده ابتدا نمونه مدنظر استفاده ارتعاش تحت فرکانس 20...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی شهاب دانش - دانشکده برق 1392

با نیاز روزافزون تکنولوژی به سرعت بیشتر، ادوات با سرعت بیشتر جایگزین ادوات کم سرعت شده¬اند. تکنولوژی bjt (bipolar junction transistor) پاسخگویی مناسب نبوده و ترانزیستورهای دو قطبی نامتناجس hbtها (heterojunction bipolar transistor) توانسته¬اند نقص سرعت و توان bjtها را برطرف نمایند از طرفی هزینه ساخت پایین¬¬تری نسبت به ادوات نوری دارند. hbtها از ترکیب مواد گروه چهارم تشکیل می¬شوند، که در این پایا...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید