هدف از اجرای این پروژه طراحی تقویت کننده توان در محدوده فرکانسی 4.4ghz تا 5ghz در کلاس f و با سطح سیگنال ورودی 22dbm وتوان خروجی 1wو کارآییpae بیشتر از 35% می باشد . این تقویت کننده توان با المانهای ریز نوار و با استفاده از ترانزیستور fpd3000 ساخت کارخانه filtronic طراحی گردیده است . در طراحی این تقویت کننده توان از روش آنالیز load pull و source pull برای بدست آوردن امپدانس بهینه ورودی وخروجی ت...

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

در این پروژه، طراحی و ساخت بخش های الکترونیک سرعت سنج لیزری به روش زمان پرواز انجام می گیرد. هدف، طراحی و ساخت بخش های الکترونیک سرعت سنج لیزری برای مسافت های حدود 1000m بوده است. مدار گیرنده سیستم مبتنی بر یک ماژول آشکارسازیست که در آن از یک آشکارساز apd که دارای بیشترین میزان حساسیت در طول موج 900nm است استفاده می شود. با طراحی مناسب بخش تغذیه ولتاژ بالا مبتنی بر یکسوسازی ولتاژهای سینوسی یک ن...

قدرت به عنوان یکی از مفاهیم مهم دانش روابط بین الملل عمری به قدمت زندگی مدنی بشر دارد. این متغیر مهم تحت تأثیر عوامل مختلف به خصوص فناوری های نوین اطلاعاتی و شبکه های اجتماعی بعد از جنگ سرد با تحولاتی روبه رو شده است. یکی از اصلی ترین تحولات در این راستا، تغییر ابعاد مفهوم قدرت از حالت سخت افزاری به نرم افزاری است که دیگر اجزای مختلف قدرت را نیز تحت تأثیر قرار داده است. بر همین اساس سؤالی که مح...

اصطلاح مدل قطعه در استخراج اتوماتیک پارامترهای مدار معادل سیگنال کوچک، برای طراحان ic های مدرن بسیار حائز اهمیت است. ihp در سپتامبر سال 2009 با انجام یک سری شبیه سازی در فرکانس بالا بر روی ترانزیستورها، به مشخصاتی برای sige:c bicmos ها دست یافتند که فرکانس قطع و فرکانس ماکزیمم بالا( >ghz 120) از آن دسته مشخصات اند. hbt های sige:c امروزه به عنوان مهمترین ترانزیستورها در تکنولوژی bicmos استفاد...

مدل نیمه تجربی جامعی برای قابلیت حرکت الکترون ها در لایه وارون ترانزیستورهای mos کانال n شرح داده می شود. این مدل بر پایه های فیزیکی استوار است و شامل اثرات کوانتمی حرکت الکترونها در لایه وارون می باشد. در این مدل همچنین اثرات پراکندگی کولمبی ناشی از ناخالصی بستر برای بسترهای دارای چگالی ناخالصی زیاد را در نظر گرفته ایم. در اینجا علاوه بر تاثیرات پراکندگی سطحی ناشی از بارهای ناحیه فصل مشترک اکس...

هدف اصلی در انجام این پایان نامه طراحی بلوک های اصلی یک گیرنده- فرستنده مخابراتی بی سیم با توان مصرفی بسیار پایین است. در طراحی مدار ها برای تحقق بخشیدن به خواسته توان مصرفی بسیار کم از نانو ترانزیستور ها استفاده خواهیم کرد. کار اصلی انجام شده در این پایان نامه ترکیب ترانزیستورهای تک الکترونی (set) با mosfet ها در طراحی یک مدار سازنده ی فرکانسی است که یکی از بلوک های اصلی گیرنده- فرستنده های مخ...

نوسانگر کنترل شده با ولتاژ (vco)، سیستمی است که با اعمال ولتاژ متغیر به ورودی آن در خروجی فرکانس متغیر تولید می کند. نوسانگر کنترل شده با ولتاژ به طور وسیع در میکروپروسسورها و حافظه ها و سیستم های مخابراتی دیجیتال نظیر سنتز کننده های فرکانسی ، مدولاسیون فاز ، دی مدولاسیون فاز، بازسازی کلاک مورد استفاده قرار می گیرد. دراین مدارات نیاز به عملکرد با سرعت بالا است، که ضمن افزایش فرکانس باید نویز فا...

با پیشرفت صنعت الکترونیک، دانشمندان به فکر کوچک کردن قطعات افتادن تا بتوانند تعداد زیادتری ترانزیستور و دیود و سایر المان های مدار را در یک تراشه با ابعاد ثابت قرار دهند. تلاش های آن ها در طی سالیان اخیر منجر به ساخت پردازنده های پیچیده تر و قدرتمندتری شده است. در این میان سوالی پیش می آید که این کوچک کردن قطعات تا چه اندازه ای می تواند پیش رود. برای بررسی این موضوع اتصال فلز به نیمرسانا را انت...

مدلسازی سازه های نانو نیازمند در نظر گرفتن خصوصیات خاص مربوط به آنهاست. تئوری الاستیسیته غیرمحلی یکی از تئوری هایی است که با در نظر گرفتن پارامتر اندازه در رابطه کرنش-جابجایی به بررسی رفتار سازه های نانو می پردازد. هدف از این پایان نامه بکارگیری تئوری غیرمحلی و بسط روابط آن به منظور تحلیل نانولوله کربنی تک جداره تحت بارهای حرارتی وابسته به زمان است. بر این اساس، در پژوهش حاضر از تئوری الاستیسی...