در این رساله تک مولکول مغناطیسی میان دو الکترود عادی قرار گرفته است و با اعمال ولتاژ گیت به تک مولکول و ولتاژ بایاس به الکترودها شرایط برای تونل زنی پی در پی آماده می شود. سپس با استفاده از معادله نرخ پائولی جریان عبوری از این سیستم در غیاب میدان مغناطیسی و در حضور میدان مغناطیسی عرضی و طولی و در دماهای مختلف و دمای صفر محاسبه می شود.

در این پژوهش در هم تنیدگی بین مولکول نقطه کوانتومی و میدان های گسیلی خودبخودی مورد بررسی قرار گرفت. در این پژوهش ابتدا یک نقطه کوانتومی هرمی شکل ایندیوم آرسناید در زمینه گالیم آرسناید در نظر گرفته شد هامیلتونی و معادلات حرکت برای عناصر ماتریس چگالی نوشته شد سپس از طریق رسم نمودارهای آنتروپی بر حسب زمان به بررسی در هم تنیدگی بین این نقطه کوانتومی و میدان های گسیلی خودبخودی پرداخته شد. سپس این بح...

با توجه به توسعه روزافزون شبکه های حمل ونقل زیرزمینی، پیچیدگی و گسترش آنها، تامین هوا با کیفیت مطلوب، به وسیله سیستم تهویه از اهمیت خاصی برخوردار است. در این مطالعه سعی شده است با استفاده از روابط و تئوری های موجود، تغییرات عوامل بیرونی و داخلی تونل ها را بررسی کرد و با تحلیل نتایج حاصل به بهینه سازی سیستم تهویه محیطی مترو کمک کرد. این تحقیق بیشتر بر روی سیستم کنترل محیطی مترو و تونل های زیرزمی...

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

ساز و کار ابررسانایی به دنبال انتشار نظریه باردین- کوپر- شریفر در این زمینه آشکار شد که به نظریه معروف است. ساخت اخیر گرافن، تک لایه ای از گرافیت توجه زیادی به خود جلب کرده و منجر به مطالعه خواص الکترونی آن شده است. از جمله اثرات قابل توجه میتوان به اثر هال کوانتومی، تونل زنی کلین، بازتاب خاص آندریف در گرافن اشاره کرد. به عبارت دیگر گرافن یک شبه هادی با گاف انرژی صفر است. عایق های توپولوژیکی، ...

در این پایان نامه تأثیر ارتعاشات مولکولی روی ترابرد الکترونی از یک زنجیره اتمی از طلا که بین دو الکترود فلزی ساندویچ شده به روش تابع گرین غیرتعادلی کلدیش (روشی قدرتمند برای تحلیل ترابرد ناکشسان در حضور برهمکنش الکترون- فونون) مورد تحقیق قرار گرفته است. اخیراً روش negf به طور موفقیت آمیزی برای ترابردهای ناکشسان در نانوساختارهای مختلف به کار برده شده است از جمله سیم های اتمی و اتصالات مولکولی. ب...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

پیوندهای هیدروژنی یکی از مهمترین برهم کنش متقابل بین یک اتم هیدروژن با محیطی که دانسیته الکترونی زیادی دارد به وجود می آید . پیوندهای هیدروژنی در بیوشیمی و علوم زیستی نقش بسیار مهمی دارد . می توان گفت تمام روشهای شیمی فیزیکی و تفرق و طیف سنجی می توانند در مطالعه و شناخت پیوند هیدروژنی مفید است. در این تحقیق پیوند هیدروژنی درون مولکولی در ترکیب 9 - هیدروکسی فنالنون توسط روش نظری ab- initio با ...

روش ژئوالکتریکی یکی از مجموعه روش¬های ژئوفیزیک برای مطالعه خصوصیات زیر سطحی در عمق های کم تا متوسط (کم¬تر از 1 کیلومتر)می¬باشد. تفسیر داده های برداشت شده به روش سونداژ زنی قائم و شلومبرگر می تواند به شناخت ساختارهای زیر سطحی کمک موثری بنماید. یکی از کاربردهای این روش شناخت ساختار های زیر سطحی در مسیر حفر تونل ها می باشد. به منظور مطالعه ساختارهای زیر سطحی در مسیر تونل انتقال آب کانی سیب به طول ...

بطور خلاصه در این پایان نامه به مطالعه رسانش تونلی وابسته به دما در بایاس صفر در اتصالی خواهیم پرداخت که میان یک نانو سیم فلزی و یک ابررسانای موج-d واقع شده است، اهداف ما عبارتند از محاسبه ضرایب بازتاب نرمال و آندریف در اتصال، محاسبه رسانش تونلی در دمای صفر و نهایتا محاسبه رسانش بایاس صفر بر حسب دما می باشد. برای این کار از نظریه پراکندگی btk بهره می گیریم، روش اجرا به این صورت است که ابتدا با...