در این پایان نامه، با استفاده از مدل نوسانگر وابسته؛ تابع دی الکتریک نیمه هادیهای گروه iii-iv مطالعه و بررسی شده است و با بهره گیری از این مدل طیف انعکاسی نظری نیمه هادی-های گروه فوق رسم و اثر پارامترهای اپتیکی مختلف در این مدل بررسی گردیده است. جهت بررسی کارایی این مدل، طیف فروسرخ دور تجربی نمونه هایی از نیمه هادی های گروه iii-iv (از قبیل gaas، gap و gasb) با طیف نظری برازش شده سپس پارامترهای ...

در این پروژه، داده های دی الکتریک مخلوطهای دوجزئی ( اتیل استات/ بوتیل استات + ایزو امیل الکل ) و (اتیل استات/ بوتیل استات + ترشیو بوتیل الکل) به صورت تجربی در کسر مولی های مختلف در دمای( 2/298 کلوین ) بررسی شدند. ممان دوقطبی (ایزو امیل الکل ، ترشیو امیل الکل ، ترشیو بوتیل الکل ، اتیل استات و بوتیل استات) در حلال سیکلوهگزان با بکارگیری معادله گوگنهام اندازه گیری شدند. فاکتورهای همبستگی به منظور ...

این تحقیق با هدف بررسی ویژگی­های دی­الکتریک خمیرکاغذهای رنگبری نشده سودای باگاس و کرافت الیاف بلند و مخلوطی از این دو خمیرکاغذ انجام شد. برای این منظور بعد از تنظیم درجه روانی خمیرکاغذها در دو سطحml 25±400 و ml 25±200، کاغذهای دست­ساز با وزن پایه 60 g/m2 ساخته و تا رسیدن به رطوبت حدود صفر خشک شدند. فرایند آغشته­سازی با روغن معدنی تحت خلأ و در دمای معین انجام شد. سپس خواص دی الکتریک کاغذهای آغشت...

در این پایان نامه خواص مدهای نقص در ساختارهای متناوب با سه لایه دی الکتریک- فلز- دی-الکتریک در حالت متقارن و نامتقارن بررسی شده است. سپس ویژگی های آن با بلور فوتونی دی-الکتریک-فلز دو لایه در یک بعد مقایسه شده است. همچنین بازتاب را بر حسب طول موج بررسی کرده و وابستگی آن را با تغییر تعداد سلولهای چپ و راست لایه نقص و تغییر زاویه برای امواج te و tm در دو حالت متقارن و نامتقارن هم برای بلور فوتونی ...

اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی cmos قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...

در این مقاله توزیع حرارت در سطح قطعه کار در ضمن تخلیه الکتریکی واحد توسط نرم‏افزار fluent شبیه سازی شد. برای این منظور از خواص ترمودینامیکی میانگین برای جنس قطعه کار و شعاع شار گرمایی با توزیع گاوسین برای منبع حرارتی و اعمال شرط مرزی جابجایی آزاد در سطح بالایی قطعه کار استفاده شد. در نهایت از روی پروفیل توزیع دما در قطعه کار استیل p20 حجم گودال بدست آمد و با داده های تجربی مقایسه شد. سیال دی ال...

با توجه به اینکه ویژگی های دی الکتریکی کامپوزیت ها وابسته به برهمکنش های میان مواد پرکننده و ماتریکس زمینه می باشد، در این مطالعه اثرات میکا با اندازه ذرات، جنس و غلظت های مختلف بر روی ولتاژ شکست دی الکتریک پوشش های کامپوزیتی بر پایه pvc عایق برق فشار قوی، بررسی می شود. برای این منظور6 سری نمونه بر اساس فرمولاسیون رایج به صورت صنعتی تهیه شد. سپس توسط دستگاه foster ots 80 af آزمون ولتاژ شکست دی ...

بلورهای فوتونی، آرایه های متناوبی از مواد دی الکتریک با ضرایب شکست متفاوت هستند. یکی از مهم ترین ویژگی های بلور فوتونی، وجود نواحی فرکانسی است که هیچ مد نوری اجازه عبور و انتشار در آن ناحیه را ندارد. این خاصیت بلورهای فوتونی موجب می شود که از آن ها برای کنترل و هدایت نور در مدارهای مجتمع نوری استفاده گردد. در این پایان نامه، بلورهای فوتونی دوبعدی که دارای شبکه مربعی و مثلثی متشکل از میله های د...

در این پروژه قابلیت حل شدن فلوئورید منیزیم در حلال مخلوط آب - اتانول در درصدهای وزنی مختلف الکل با دو روش پتانسیومتری با الکترود یون گزین فلوئوراید و جذب اتمی تعیین شده است و سپس با تعیین حلالیت تجربی این نمک در درصدهای مختلف الکل که قدرت یونی همه محلول ها نسبت به نیترات سدیم 1/0 مولار می باشد و معادله توسعه یافته دبای هوکل و برونیابی در قدرت یونی صفر حاصلضرب حلالیت ترمودینامیکی این نمک در درصد...

در این تحقیق پارامترهای مدل درود- لورنتس را با استفاده از روش شبیه سازی گرمایی برای طلا، نقره و مس در محدوده ی ev 001/1 تا ev 60/6 به دست آورده و سپس با استفاده از آن ها قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک و ثابت های اپتیکی n ,k را محاسبه کرده ایم که در مقایسه با کارهای قبلی از دقت بالاتری برخوردار بوده است. در رابطه با طلا حداکثر درصد خطای نسبی n ,k نسبت به داده های تجربی به ترتیب 5/3% و 5...