چکیده: اینورترهای منبع ولتاژی چندسطحی ساختار مناسبی را برای دستیابی به میزان توان بالا و شکل موجهای خروجی با کیفیت بالاتر ارائه میدهند. تاکنون، تحقیقات گستردهای در زمینه اینورترهای چند سطحی، استفاده شده در کاربردهای ولتاژ و توان بالا انجام گرفته است که به دلیل امتیاز آنها از قبیل: اعوجاج هارمونیکی کمتر شکل موجهای خروجی، تنش کمتر ولتاژ کلیدها و پایین بودن تداخل امواج الکترومغناطیسی سیستم، مورد ت...

سابقه و هدف: اثر میدان های الکترومغناطیسی بر موجودات زنده یکی از مباحث روز می باشد. با پیشرفت تکنولوژی و افزایش روز افزون استفاده از امواج الکترومغناطیسی در صنعت و بهداشت، بشر در معرض میدان های الکترومغناطیسی متعدد ناشی از کابل های برق فشار قوی، اجسام فرومغناطیسی رادیو، تلویزیون، تلفن همراه و کامپیوتر قرار دارد. هدف این مطالعه بررسی اثرات تراتوژنیک میدان الکترومغناطیسی بر مخچه رت در دوره حیات د...

در این مقاله توزیع مکانی ـ زمانی جریانها و میدانهای الکترومغناطیسی یک سیمولاتور پالس الکترومغناطیسی محاسبه می گردد. سیمولاتور مورد مطالعه از نوع ابعاد بزرگ بوده و از آن برای بررسی اثر پالسهای الکترومغناطیسی گذرا بر روی ساختارهای بزرگ مانند اتومبیل، هواپیما، موشک و … استفاده می شود. این سیمولاتور از سه خط انتقال صفحه ای تشکیل شده است. برای شبیه سازی سیمولاتور نخست هر کدام از صفحات بکمک شبکه ای ا...

در این مقاله تحلیل موجب کامل الکترومغناطیسی سوئیچ میکروالکترومکانیکی در فرکانسهای مایکروویو و امواج میلیمتری ارائه می شود. با حل معادله موج هلمهولتز با روش عناصر محدود (fem) و با استفاده از شبیه ساز hfss میدانها را بدست می آوریم. ساختار سوئیچ را بعنوان دو قطبی فرض کرده و پارامترهای پراکندگی (s) را از میدانهای بدست آمده استخراج می کنیم. مشخصات و کمیتهای توصیف کننده سوئیچ از جمله تلفات داخلی در ح...

در این مقاله تحلیل و طراحی تغییر دهنده های فاز میکروالکترومکانیکی توزیع شده بر روی موجبر هم صفحه ارائه می شود. یک تغییر دهنده فاز n بیتی با استفاده از خازنهای متغیر یا سوئیچ mems که بطور متناوب بر روی موجبر هم صفحه واقع شده اند ساخته می شود. با تغییر ظرفیت توسط ولتاژ بایاس؛ خازن موثر خط انتقال تغییر کرده و در نتیجه یک ساختار آهسته کننده موج بوجود می آید. مدل دقیق تغییر دهنده فاز با استفاده از ت...

یک موجبر بلور فوتونی در این مقاله ارائه شده است. این ساختار آرایه دو بعدی از میله‌های سیلیکونی است که در آرایش مثلثی چیده شده‌ است. میله‌ها در زمینه هوا و در صفحه x-z قرار گرفته است. ساختار موجبر با حذف میله‌های سیلیکون ایجاد شده است. آرایش شکاف باند در این اسپلیتر با روش FDTD بررسی شد. این موجبر می‌تواند نقش اسپلیتر را ایفا کند. با استفاده از این آرایه اسپلیتر دو پورتی و سه پورتی ایجاد شده است...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در این تحقیق آینه¬های گرمایی بر پایه¬ی چند لایه های wo_3/ag/wo_3/glass به روش پرتو الکترونی ساخته شد. ضخامت لایه¬های اکسید تنگستن در 40 نانومتر ثابت نگه داشته شده و ضخامت لایه¬ی میانی نقره 10،12 و 14 نانومتر انتخاب شد. اثرات بهینه سازی اولین لایه¬ی اکسید تنگستن برای رسیدن به ضخامت موثر و کم کردن نفوذ لایه¬ها در یکدیگر بررسی شد. برای سیستمی که اولین لایه¬ی اکسید تنگستن آن (با ضخامت 40 نانومتر) د...