در این رساله انتقال الکترون در ترانزیستور مسفست (mesfet) با استفاده از روش مونت کارلو تحلیل شده است . به دلیل مشابهت ساختار دیود n+-i-n+ از جنس gaas با ساختار ترانزیستور مسفت ، در ابتدا این دیود شبیه سازی شده است . اثرات تغییر ولتاژ آند، دما و طول کانال در مشخصه های انتقال این دیود بررسی و نشان داده شده است کاهش طول کانال باعث می شود رفتار انتقال حامل بیشتر بالستیک شود. با قرار دادن کاتد از جنس...

مسیرهای الکترون در لیزر الکترون آزاد با میدان ویگلر مارپیچی واقعی و کانال یونی راهنما تجزیه و تحلیل شده و حالتهای پایدار و ناپایدار مدار الکترونی به دست آمده است. نتایج نشان می دهند پایداری مسیرهای الکترون (تک الکترون) در ویگلر مارپیچی واقعی که در فضای سه بعدی مورد بررسی قرار می گیرد در مقایسه با ویگلر مارپیچی ایده آل که در مختصات دو بعدی قبلا به دست آمده است اختلاف دارد. این موضوع مورد بحث قرا...

در این پایان نامه به بررسی ساختار گرافین از جمله شبکه آن ، بردارهای پایه شبکه حقیقی و شبکه وارون و یکی از ویژگی های منحصر به فرد در گرافین که طبیعت خاص حامل های بار در آن است پرداخته ایم .نحوه به دست آمدن معادله دیراک در گرافین را شرح می دهیم و یک ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را شبیه سازی می کنیم و رفتار فرمیون های بدون جرم دیراک را در برخورد با ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را در حالت هایی که...

هدف از این پایان نامه بررسی اثرات غیرخطی ساختاری روی بهره نوری ترانزیستور لیزری ingaas/gaas است.ترانزیستور لیزری tl مورد نظر ما یک ترانزیستور دو قطبی ساختار نامتجانس hbt است که با به کارگیری نانو ساختارهای چاه کوانتومی در بیس و ایجاد کاواک نوری،می توان علاوه بر تقویت سیگنال الکتریکی ، سیگنال نوری همدوس نیز ایجاد کرد. این قطعه اپتو الکترونیکی قادر است به طور همزمان سیگنال های الکتریکی و نوری (لی...

در این مقاله، هدف بررسی میزان نفوذ الکترون در بافت گردن و برآورد دز در این بافت است. برای این کار، از فانتوم گردن شبیه سازی شده توسط کد mcnpx نسخۀ 6/2 استفاد شده است. فانتوم مورد نظر شامل لایۀ پوست، چربی زیر پوست، بافت گردن، استخوان گردن و غدۀ تیروئید است. چشمۀ پرتوی بیرون فانتوم، نزدیک سطح پوست و در ناحیۀ پشت گردن قرار گرفته است و الکترون های تک انرژی به صورت عمود بر سطح پوست تابیده می شوند. م...

در این مقاله شتاب الکترون در یک کانال یونی با استفاده از یک موج پلاسمای مغناطیده مطالعه شده است. با استفاده از معادلات لورنتس سه بعدی، دینامیک الکترون مورد بررسی قرار گرفته و برای به دست آوردن مسیر الکترون از یک کد تک ذره سه بعدی نسبیتی استفاده شده است. نتایج محاسبات عددی نشان می دهد الکترون در یک کانال یونی تحت اثر میدان خارجی شتاب می گیرد. همچنین میزان انرژی که الکترون در حضور میدان مغناطیسی ...

مدل نیمه تجربی جامعی برای قابلیت حرکت الکترون ها در لایه وارون ترانزیستورهای mos کانال n شرح داده می شود. این مدل بر پایه های فیزیکی استوار است و شامل اثرات کوانتمی حرکت الکترونها در لایه وارون می باشد. در این مدل همچنین اثرات پراکندگی کولمبی ناشی از ناخالصی بستر برای بسترهای دارای چگالی ناخالصی زیاد را در نظر گرفته ایم. در اینجا علاوه بر تاثیرات پراکندگی سطحی ناشی از بارهای ناحیه فصل مشترک اکس...

در دهه اخیر، نیمه هادی ganبه دلیل گاف انرژی و رسانندگی گرمایی بزرگ تر نسبت به نیمه هادی gaas ، در کاربردهای توان بالا مورد توجه قرارگرفته است. به دلیل همین ویژگی ها، ganاین قابلیت را دارد که در دماها و ولتاژهای بالا نیز کار کند. علاوه بر این سرعت اشباع الکترون در ganنیز نسبت به gaasبیشتر بوده و به همین دلیل، این نیمه هادی برای کاربردهای فرکانس بالا نیز مناسب می باشد. در ترانزیستورهای hemt با فن...

دراین پایان نامه خواص ترابردی نیمرسانای ‏‎gaas‎‏ از نوع ‏‎p‎‏ مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل سه نمونه نیمرسانایی ‏‎gaas‎‏ هستند به ترتیب با عناصر ‏‎cr‎‏، ‏‎fe‎‏ و ‏‎co‎‏ آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه ‏‎gaas‎‏ به وجود می آورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در ‏‎gaas‎‏ ایجاد می کنند. در این کار تجربی رسانندگی الکتریکی، م...

در این پایان نامه یک مدل تحلیلی ساده و در عین حال با دقت بالا برای مشخصه های جریان – ولتاژ و سیگنال کوچک ترانزیستورهای اثر میدانی با مدولاسیون ناخالصی almga1-m n/gan ارائه شده است. در قسمت کنترل بار از مدل ارائه شده، تغییرات تراز فرمی در اثر چگالی بار سطحی، نفوذ تابع موج گاز الکترون دو بعدی در لایه جدا کننده و همچنین اثرقطبش های پیزوالکتریک و خودبخودی در فصل مشترک ساختار ناهمگون در نظر گرفته شد...