نتایج جستجو برای: ترانزیستور fgmos
تعداد نتایج: 496 فیلتر نتایج به سال:
A new low-voltage floating gate MOSFET (FGMOS) based squarer using square law characteristic of the FGMOS is proposed in this paper. The major advantages of the squarer are simplicity, rail-to-rail input dynamic range, low total harmonic distortion, and low power consumption. The proposed circuit is biased without body effect. The circuit is designed and simulated using SPICE in 0.25μm CMOS tec...
Low voltage non-linear computational circuits useful for analog VLSI signal processing applications based on floating gate MOS transistors (FGMOSFETs) are presented. The FGMOS transistors operate in the saturation region. The variable equivalent threshold voltage (VT) of the FGMOS transistor is exploited in such a way to transform it to a simple MOSFET of zero VT. A bias circuit using a convent...
We propose a comprehensive design procedure to design Field -programmable/Reconfigurable Analog Integrated CMOS circu its. Instead of repeatedly iterative simulation steps to achieve desired design specifications by fine tuning the W/L rat ios of the FETs, we use first order classroom equations to achieve central value o f desired specifications and then execute a customized fine tuning of spec...
An area efficient technique for tuning floatinggate circuits is described. The effective threshold voltage seen from a control gate can be programmed to virtually any value. The floating-gate transistor (FGMOS) may be used to implement low-power/low-voltage digital -and/or analog circuits.
The paper propose a modified high frequency current controlled current conveyor CMOS circuit CCCII where current gain, current controlling intrinsic impedance and circuit offsets are programmable independently to desired values within a specific field range after fabrication with the help of field programmable floating gate transistors FGMOS. The programmable charge at floating-gate of FGMOS us...
در این مقاله ساختاری نوین برای طراحی و ساخت هیدروفنهای حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شدهاست. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و بهتبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر میکند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...
در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی بر اساس وارونگی سطحی ارائه میشود. در این ساختار پیوند کلکتور-بیس یک پیوند متداول p-n است، اما ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور فقط با استفاده از دو ناحیه n و p طراحی شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p، ناحیه n+ امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارائه...
در این مقاله یک هیدروفن با استفاده از ترانزیستور گیت معلق دندانه شانه ای در فرکانسهای پایین طراحی و شبیهسازی شده است. مکانیزم عملکرد این مبدل بر اساس تغییر خازن گیت-سورس در ترانزیستور ماسفت است. گیت ترانزیستور توسط دو میله به صورت معلق بالای کانال ترانزیستور قرار گرفته است. در پاسخ به موج آکوستیکی ورودی، گیت ترانزیستور دچار خمش شده و منجر به تغییر ظرفیت خازن گیت-سورس میشود. در نتیجه موج آکوس...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید