در این مقاله به کمک روش تابع گرین و رهیافت تنگابست، رسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی را در اندازه های متفاوت در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی می کنیم. دو موردی از نانو حلقه را که تعداد پیوندهای یگانه و دوگانه در دو مسیر ممکن الکترون یکسان باشد و نباشد، مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج نشان می دهد که با افزایش طول نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه ی گاف به صورت نمایی کاهش و تعداد قله ...

حل دقیق معادلات حاکم بر چاه های کوانتومی دوسدی بررسی می شود. انتخاب شرط مرزی مناسب در حل این معادلات مورد توجه قرار گرفته است. پدیده تشدید در این دستگاه ها ارزیابی شده است. ماتریس چگالی همبستگی به کمک حل دقیق معادله شرودینگر وابسته به زمان با حضور اندرکنش الکترون - الکترون محاسبه می گردد. نتایج به دست آمده نشان می دهند که در حالت تعادل هیچگونه همبستگی بین الکترونهای ناحیه اتصال دو طرف چاه کوانت...

چکیده ندارد.

در سالهای اخیر سلولهای خورشیدی در مقوله تامین انرژی مورد توجه ویژه قرار گرفته اند.به طور خاص سلولهای خورشیدی چنداتصالی شامل چاه کوانتومی، نقطه کوانتومی و نانولوله ها در کانون بررسی قرار گرفته اند. یکی از دلایل آن، ظرفیت قابل توجه این سلولها در افزایش بهره است. فرآیند اصلی در یک سلول خورشیدی چاه کوانتومی شامل بازترکیب و ترابرد است. تونل زنی تشدیدی یکی از عوامی موثر در ترابرد است. این سلولها از د...

خواص الکترونیکی نیم رساناها مبنای توسعه ی شگفت انگیزی در ایجاد قطعات مینیاتوری در حدود ابعاد کوانتومی یا ابعاد نانو متر شده است . اساسی ترین تفاوت در خاصیت نیم رساناها به نوار گاف در ساختار نواری آنها مربوط می شود . فصل یک این پایان نامه مختصری از این خواص را بیان می کند . پیشرفت تکنولوژی ساخت قطعات ، امکان ایجاد لایه های نازک ماده ای روی ماده دیگر را فراهم نموده است . ساختارهای ترکیبی قطعات نی...

دراین پایان نامه ابتدا اثرات نور غیر خطی برای نمونه فرآیند وارون سازی رامان در ناحیه فعال لیزر با استفاده از طرح سه ترازه ی لاندا مورد بررسی قرار گرفته است وبا استفاده از معادلات نرخ و با در نظر گرفتن حالت پایای سیستم بهره ی لیزر محاسبه شده است. سپس یک لیزر آبشاری نقطه کوانتومی در ناحیه ی تراهرتز بدون وارون سازی جمعیت طراحی می شود که ناحیه ی فعال این لیزر یک سیستم سه ترازه ی طرح نردبانی است وای...

در این پژوهش از نانو نوار آرمچیر به عنوان پایه در سیستم درین + کانال + سورس استفاده کرده ایم، وبا اعمال ولتاژ در پروفایل های متفاوت و با استفاده از روش گرین غیرتعادلی، چگالی حالات وجریان عبوری از کانال را به دست آورده ایم. و در نهایت با استفاده از تونل زنی تشدیدی یک سیستم به عنوان ترانزیستور طراحی کرده ایم

در این مطالعه ما رسانش الکتریکی یک نانو لوله کربنی ایده ال و یک نانو لوله کربنی در حضور پتانسیل خارجی یکنواخت را به کمک رهیافت بستگی قوی در نظریه پاسخ خطی مطالعه کرده و به کمک این رهیافت در تقریب همسایه نزدیک، به کمک ساز وکار تابع گرین رسانش این دستگاه را به دست می آوریم، نتایج به دست آمده نشان می دهد که در حضور پتانسیل خارجی علاوه بر محدودتر شدن ناحیه رسانش تشدیدی، در ابتدای (انتهای) پنجره مجا...

چکیده ندارد.

در سالهای اخیر با پیشرفت در کوچک سازی قطعات نیمرسانای تونلی، جنبه زمانی فرایند تونل زنی مورد توجه زیادی قرار گرفته است. علاوه بر اهمیت ذاتی کوانتوم مکانیکی مسئله، زمان تونل زنی از نظر فهم دینامیک تونل زنی در قطعات با سرعت بالا نیز از اهمیت بسزایی برخوردار است، زیرا زمان تونل زنی پارامتر کلیدی در تعیین راندمان قطعات الکترونیکی می باشد. با توسعه شاخه جدید اسپینترونیک، زمان تونل زنی حاملان بار با ...