در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی گیت های منطقی بولی صوتی بر بستر بلورهای فونونی با روش چند موجبری ارائه شده است. برای طراحی این گیت ها از بسترهای فونونی سیلیکنی جهت مجتمع سازی با سایر ادوات اپتوالکترونیکی که یکی از مزایای این طرح نیز می باشد استفاده شده است. در ابتدا به مطالعه و بررسی انواع بلور فونونی و حوزه های مختلف فرکانس کاری و پارامترهای موثر بر رفتار آنها می پردازیم. پس از آن انواع رو...

پرتوهای فرابنفش به علت طول موج پایین و انرژی بالا دارای کاربردهای ویژه ای در صنعت و پزشکی هستند. بنابراین به آشکارسازهایی نیاز است که بتوانند این امواج را آشکار بکنند. به همین خاطر طی سال های اخیر تلاش های فراوانی در عرصه ی ساخت این آشکارسازها شده است. و انواع آشکارسازها با قابلیت های مختلف در این بازه فرکانسی ساخته شده است. که از آن جمله می توان به آشکارسازهای نور رسانا و دیود نوری اشاره کرد. ...

ما در این پایان نامه براساس منطق ترانزیستور تک الکترون و با استفاده از ترانزیستور تک الکترون سه گیت مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی 2 نانومتر قابل عملکرد در دمای اتاق، مداراتی را برای گیتهای منطقی buffer، not، xor، xnor، and، nand، or و nor طراحی کرده ایم و عملکرد هر یک از آنها را مورد بررسی قرار داده ایم. گیتهایی که عملکردی مکمل یکدیگر دارند، دارای ساختار مشترکی هستند و فقط مقادیر ولتاژهای بایا...

اخیرا با گسترش استانداردهای مخابراتی نیاز به ادوات مولتی استاندارد افزایش یافته است. در این میان استاندارد ieee802.16 یاwimax به عنوان کاندیدای بعدی برای دسترسی بی سیم باند وسیع (bwa) اعلام شده است. wimax درصدد است با ترکیب نرخ دیتای بالای wlan و حوزه وسیع شبکه های سلولی نسل سوم، قابلیت انتقال و سرعت بالاتری به کاربران ارائه دهد. اما با توجه به تازگی ظهور استاندارد wimax یکی از نیازهای اساسی...

تنوع کاربرد سیستم های جدید مخابراتی، نیازمند پیاده سازیی هستند که منجر به کارایی بالا و توان مصرفی کمتری شود. نسل های آینده ارتباطات مخابراتی مثل نسل چهارم قول " برقراری دائم ارتباط" را داده اند. بنابراین گیرنده های دیجیتال باید قادر به دریافت داده از چندین استاندارد باشند. گیرنده های مولتی-استاندارد بی سیم برای پشتیبانی استانداردهای مختلف مانند gsm و umts و... مورد نیاز است. گیرنده های مولتی-...

در سطح آزاد نیم رساناها برای مثال سطح سیلیکن، حالت تناوبی اتم های بلور گسیخته می شود به طوری که بعضی از پیوندهای اتمی به صورت پیوندهای آزاد باقی می مانند. در نتیجه حالت های سطحی دهنده و یا پذیرنده زیادی در گاف نواری سطح سیلیکن وجود دارد. به طور مشابه در اتصال شوتکی فلز – نیم رسانا (ti-si)، حالت های میان گاهی الکترونیکی در گاف نواری القا می شوند. به هر حال حالت های سطحی (و یا میان-گاهی) توانایی ...

پوشش دهی از حالت بخار بعنوان تکنیک مهمی در تحقیقات و صنعت کاربرد ز پیدا کرده است .رسوب گذاری از حالت بخار بسته باینکه بین بخار و رسوبی که تشکیل میشود چه شباهتهایا تفاوتهائی وجود داشته باشد به دودسته تقسیم میشود :" رسوب گذاری شیمیایی از حالت بخار)cvd.(" که در مواردی است که رسوب موردن از یک فعل و انفعال شیمیایی مثل تجزیه یک ترکیب شیمیایی بدست آید و "رسوب گذاری فیزیکی از حالت بخار" به مواردی گفته ...

در سلول های خورشیدی آمورف لایه نازک با ساختار p-i-n یک لایه ذاتی ضخیم می تواند نور بیشتری برای تولید الکترون و حفره جذب کند. با این حال یک لایه ضخیم ذاتی میدان الکتریکی رانشی را برای انتقال حامل ها تضعیف می کند. از سوی دیگر یک لایه نازک نمی تواند نور کافی جذب کند. ضخامت لایه ذاتی یک پارامتر کلیدی است که می تواند عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک را محدود کند. تزریق اتم های ge به شبکه si در سلول...

در افزاره های سیلیکن بر روی عایق به خاطر وجود لایه ی اکسید مدفون شده خازن های پارازیتیکی کاهش یافته اند و این موضوع باعث بالاتر بودن سرعت این ساختار نسبت به ماسفت توده شده است. با تغییر ساختار کانال این نوع افزاره ها و اعمال تنش که منجر به افزایش موبیلیتی حامل ها می گردد می توان افزاره ی سیلیکن بر روی عایق با کانال مهندسی شده را به عنوان ساختاری مناسب برای کاربرد های سرعت بالا در روند پیش رو بر...

امروزه مصرف جهانی انرژی به طور چشم گیری در حال افزایش است و اصلی ترین منبع انرژی یعنی سوخت های فسیلی به تدریج در حال اتمام می باشد. یک راهکار مناسب، استفاده از منابع دیگر انرژی مانند انرژی خورشیدی است. سلول های خورشیدی قطعاتی هستند که نور خورشید را به انرژی الکتریکی بر اساس فرایند های فوتوولتائیک تبدیل می کنند. در حال حاضر، سلول های خورشیدی که به طور وسیع، تجاری سازی می شوند، بر پایه ی اتصال p-...