چکیده در این پژوهش نانو کامپوزیتهای fex-(fe2o3)1-x با روش آسیاب کاری مکانیکی تهیه گردید. نخست نمونه هایی با آهن 20 ساعت آسیاب کاری شده با x های گوناگون تهیه شد و سپس برای بررسی تاثیر اندازه ذرات بر ویژگی-های فیزیکی نانو کامپوزیتها ، نمونه هایی با 3/0x= که آهن آن در مدت زمانهای گوناگون 10 ، 20 و 30 ساعت آسیاب کاری شده بود تهیه شد. برای تهیه ی این نانوکامپوزیت پودرهای آهن و هماتیت با درجه خلوص ب...

در این مقاله رسانش بایاس صفر را بر حسب دما در اتصالی مطالعه می کنیم که بین یک نانو سیم فلزی و یک ابررسانای موج- d قرار گرفته است. ابررسانا را در جهت111 ( و ) 111 ( در نظر می گیریم و بر اساس نظریه پراکندگی رسانش بایاس صفر را بر حسب دما و شدت پتانسیل اتصال به دست می آوریم و نتایج را با موارد حجیم (مقایسه خواهیم کرد. نتایج نشان می دهند که در جهت ) 111 ( منحنی های رسانش بطور کیفی تفاوتی بین نانو سی...

دیود سالیتانی، یک قطعه ی الکترونیک ابررسانایی است که در حال حاضر 9 پایانه دارد. در این پروژه ساختارهایی برای جای گزینی دیود سالیتانی معمولی ارائه شده است که ضمن حفظ ویژگی های اصلی آن، پایانه های کمتر و طراحی بهینه تری داشته باشد. با توجه به میدان هایی که بایاس می تواند بسازد، پنج ساختار پیشنهاد شد. برای یافتن تغییرات فاز پیوند بلند جوزفسون، به عنوان ساختمان اصلی دیود سالیتانی، بررسی معادله ی س...

در این رساله تک مولکول مغناطیسی میان دو الکترود عادی قرار گرفته است و با اعمال ولتاژ گیت به تک مولکول و ولتاژ بایاس به الکترودها شرایط برای تونل زنی پی در پی آماده می شود. سپس با استفاده از معادله نرخ پائولی جریان عبوری از این سیستم در غیاب میدان مغناطیسی و در حضور میدان مغناطیسی عرضی و طولی و در دماهای مختلف و دمای صفر محاسبه می شود.

در این پایان نامه ضمن بررسی جامع منشاء میدان الکتریکی شعاعی، روشهای اندازه گیری و پارامترهای موثر در این میدان، رابطه شرح دهنده میدان الکتریکی شعاعی، استخراج و سهم عبارتهای موثر در این میدان محاسبه گردید. همچنین نشان داده شد که در میدان الکتریکی داخلی پلاسما دو عبارت چرخشی و دیامغناطیسی نقش دارند، سهم عبارت دیامغناطیسی کمتر از عبارت چرخشی است و نتایج حاصل با سایر توکامکهای مشابه تطبیق دارد. همی...

اثر بایاس تبادلی اولین بار در بین سال های 1956-1957 توسط میکل جون و بین، در ذرات ریز فرومغناطیس کبالت (co) با یک پوسته پادفرومغناطیس اکسید کبالت (coo) کشف شد. این اثر عبارت است از جابجایی حلقه پسماند در راستای محور میدان، و معمولاً هنگامی رخ می دهد که یک ساختار با فصل مشترک fm/afm را، در حضور یک میدان مغناطیسی خارجی تا دمای پایین تر از دمای نیل فاز پادفرومغناطیس سرد کنیم. از زمان کشف این پدیده ت...

یکی از روش های تعیین ژئویید حل مساله مقدار مرزی گرانی زمین با استفاده از روش وارون سازی تک مرحله ای معکوس بر مبنای مشتقات مرتبه اول انتگرال پواسن بیضوی برای انتقال شتاب گرانی در سطح زمین به پتانسیل گرانی بر روی بیضوی مرجع است. این روش بر اساس ایجاد مشاهدات تفاضلی بر روی سطح زمین به کمک یک میدان مرجع و تبدیل آن به مجهولات تفاضلی پتانسیل گرانی بر روی بیضوی عمل می نماید. میدان های مرجع جهانی با فر...

در این پژوهش لایه های نیترید زیرکونیوم روی سیلیکون و فولاد زنگ نزن ۳۰۴ با روش کندوپاش مغناطیسی واکنشی پوشش داده شدند. تاثیر ولتاژ بایاس زیرلایه روی ساختار لایه ها، مورفولوژی و سختی مورد بررسی قرار گرفت. لایه ها بوسیله ی پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، میکروسختی سنجی و میکروسکوپ نیروی اتمی آنالیز شدند. بر اساس الگوهای پراش اشعه ایکس، تنها پیک های پراش ZrN مربوط به صفحات (۱۱۱) و (۲۰۰) م...

پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است

امروزه نیاز به شیفت دهنده های فازی وجود دارد که بتوانند توان های بالا را تحمل کنند و در عین حال قابلیت تغییر فاز زیاد را در فرکانس دلخواه داشته باشند. شیفت دهنده های مبتنی بر دیود varactor و mems نمی توانند توان های بالا را تحمل کنند. شیفت دهنده های مبتنی بر ferroelectric می توانند توان های بالا را تحمل کنند اما در این نوع شیفت دهنده های فاز نیاز به ولتاژهای خیلی زیاد (بالای 100 v ) برای تغییر ...