نتایج جستجو برای: ناهمسانگردی مغناطیسی

تعداد نتایج: 7187  

ژورنال: فیزیک زمین و فضا 2000
خسرو حجتی ناثر حسین زاده گویا

این تحقیق به منظور یافتن ارتباط بین ضریب مغناطیس پذیری و ناهمسانگردی آن با ساختار سنگ و زمین شناسی منطقه و کرنش حاکم بر منطقه و همچنین روابط بین آنها صورت گرفته است. برای این منظور‘ ساختار مغناطیسی نمونه های مختلف از 6 محل در آبراهه شمالی امام زاده علی واقع در بین جاده رینه و جاده اصلی تهران- آمل در فاصله 75 کیلومتری شمال شرق تهران‘ اندازه گیری و محاسبه شد. این کار به روش جدید اندازه گیری ضریب ...

ژورنال: :بلورشناسی و کانی شناسی ایران 0
احمد امیرآبادیزاده department of physics, faculty of sciences, university of birjand, birjand, iran1- آزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس و ابررسانایی، گروه فیزیک، دانشگاه بیرجند، بیرجند محمدرضا رسولی department of physics, faculty of sciences, university of birjand, birjand, iran1- آزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس و ابررسانایی، گروه فیزیک، دانشگاه بیرجند، بیرجند رضا مردانی malek ashtar university of technology, shiraz, iranدانشگاه صنعتی مالک اشتر شیراز رضا سرحدی department of physics, faculty of sciences, university of birjand, birjand, iran1- آزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس و ابررسانایی، گروه فیزیک، دانشگاه بیرجند، بیرجند

در این پژوهش، ناهمسانگردی مغناطیسی سیم  کبالت پایه­ی  مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور از مغناطیس سنج ارتعاشی برداری (vvsm) استفاده شد که می­تواند مؤلفه­های مغناطش در راستای طولی و عرضی را همزمان اندازه گیری کند. میدان مغناطیسی با زوایای مختلف نسبت به محور سیم اعمال شد و مغناطش، همزمان در دو راستای x و y اندازه گیری شد. با افزایش زاویه­ی اعمال میدان و راستای سیم، مؤلفه­ی مغناطش در راست...

آرایه های نانوسیمی Fe100−x Mn x (0 ≤ x ≤ 87) با استفاده از الکتروانباشت همزمان Fe و Mn در حفرات قالب اکسید آلومینیوم آندی (AAO) ساخته شده در آزمایشگاه سنتز شدند. تاثیر ترکیب درصد فلزات انباشت شده، دمای تابکاری و فرکانس الکتروانباشت بر ساختار بلوری و خواص مغناطیسی نانوسیم‌های سنتز شده مورد بررسی قرار گرفت. تغییرات مغناطش اشباع، وادارندگی (Hc) و نسبت مربعی (Mr/Ms) و تغییر ساختار بلوری با تغییر پا...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
ناصر تجبر n. t. محمدرضا علی نژاد m. r. a. فایز پورآرین f. p.

در این مقاله گذار فاز مغناطیسی و ناهمسانگردی مغناطوالاستیکی یک نمونه بس بلور nd14dy2fe78b6 به کمک اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی متناوب و مغناطوتنگش گزارش شده است. این ترکیب به روش ریخته گری از مذاب تهیه شد. تصاویر sem و طیف xrd آن نشان داد که نمونه بس بلور و غیر تک فاز بوده و عمده ترین ترکیب موجود در ان فاز 1- 14- 2 است. اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی متناوب نشان داد که نمونه در دمایی در حدود ...

ژورنال: علوم زمین 2014

توده گرانیتوییدی گل‌زرد به سن تقریبی 5±165میلیون سال، در شمال الیگودرز، از توابع استان لرستان  قرار دارد و  در پهنه سنندج -   سیرجان رخنمون دارد. این توده درون سنگ‌های اسلیتی، فیلیتی و میکاشیستی (دگرگونی ناحیه‌ای)  تریاس پایانی تا ژوراسیک آغازین نفوذ کرده است. گرانودیوریت‌ها بدنه اصلی این توده گرانیتوییدی را تشکیل می‌دهند. گرانودیوریت‌ها توسط لوکوگرانیت‌ها، رگه‎ها و رگچه‎های آپلیتی، پگماتیتی و ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
سیدعلی سبط s. a. sebt physics research center, science and research branch, islamic azad university, tehran, iranدانشکده فیزیک، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی فرشته آذرخرمن f. azarkharman physics department, tarbiat modarres university, p.o. box 14155-4838, tehran, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه تربیت مدرس مریم امیرحسینی m. amir-hosseini physics department, tarbiat modarres university, p.o. box 14155-4838, tehran, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه تربیت مدرس سوزان ذوالریاستین s. zoriasatain physics department, tehran-north branch, islamic azad university, tehran, iranدانشکده فیزیک، واحد تهران شمال، دانشگاه آزاد اسلامی محمد اخوان m. akhavan magnet research laboratory (mrl), department of physics, sharif university of technology, p.o. box 11365-9161, tehran, iranآزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس(mrl)، دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف

دانه های مغناطیسی feco در اندازه های زیر میکرون با درصدهای مختلف کبالت در حضور میدانهای مغناطیسی رشد داده شده اند. پس از حذف یونهای اضافی و اکسیژن, عملیات گرمایی انجام گردیده و برخی از نمونه ها در بستر پلیمر در حضور میدان مغناطیسی جهت دار شدند. نتایج sem, xrd و اندازه گیریهای مغناطیسی, وجود ناهمسانگردی مغناطیسی القایی در نمونه ها را تایید می کنند؛ به طوری که برای نمونه fe0.7 co0.3 حضور میدان در...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود 1390

نانوذرات fept مغناطیسی با فاز10l به دلیل مورد ناهمسانگردی مغناطو بلوری بالا توجه زیادی را به خود جلب کرده است. نانوذرات fept به دلیل کاربرد در ضبط مغناطیسی عمودی، مغناطیس های دائمی و سنسورهای مغناطیسی دارای اهمیت می باشند. در سیستم های با وادارندگی بالا، اطلاعات می تواند برای مدت زمان طولانی-تر ذخیره گردد. به عبارتی برای ایجاد محیط مغناطیسی با ضبط پایدار در برابر اثرات گرمایی، نیاز به مغناطیس ه...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
روح ا... گلی پور r. golipour institute of nanoscience and nanotechnology, kashan universityپژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان علی خیاطیان a. khayyatian institute of nanoscience and nanotechnology, kashan universityپژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان عبدالعلی رمضانی a. ramazani institute of nanoscience and nanotechnology, kashan universityپژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان محمد الماسی کاشی m. almasi kashi institute of nanoscience and nanotechnology, kashan universityپژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان

نانوسیمهای کبالت و نیکل با استفاده از قالب اکسید آلومینیم حفره دار و انباشت الکتروشیمیایی متناوب با قطرهای مختلف و زمان انباشت های متفاوت ساخته شد. برای نانوسیمهای نیکل با قطر 30 نانومتر میدان وادارندگی با افزایش زمان انباشت ابتدا افزایش و سپس کاهش می یابد, در حالی که برای قطرهای بالاتر روند صعودی میدان وادارندگی با افزایش زمان انباشت تغییر نمی کند. به طور عام, افزایش قطر نانوسیم موجب کاهش وادا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1390

نانوساختار ها واحد های ساختمانی اصلی برای دسته وسیعی از نانو ابزارها هستند. از?زمان کشف نانولوله های کربنی ساخت و شناسایی سایر مواد یک بعدی بسیار مورد توجه قرار گرفته است . نانومیله ها، نانوسیم ها، نانونوار ها و نانولوله ها دسته ای از نانومواد ناهمسانگرد هستند که به عنوان ساختار های شبه تک بعدی مورد بررسی قرار می گیرند. نانو سیم ها موادی خوش آتیه در بسیاری از کاربرد های جدید از سنسور های شیمیای...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک 1393

حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi (تغییر امپدانس الکتریکی یک رسانای مغناطیسی تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی) امروزه قابلیت خود را در عرصه فناوری نشان داده¬اند. مناسب¬ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست¬یابی به پاسخ امپدانسی مناسب¬تر به¬وسیله آلیاژهای آمورف، روش¬های گوناگونی وجود دارد که د...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید