نتایج جستجو برای: gaas

تعداد نتایج: 11901  

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات...

Journal: :physical chemistry research 2013
mahdi rezaei sameti

abstract the structural and electrostatic properties of the single-walled two representative (8, 0) zigzag and (4, 4) armchair models of pristine and gaas-doped on boron phosphide nanotubes (bpnts) was investigated by calculating the nuclear magnetic resonance tensors and with performing the density function theory. the geometrical structures of all representative pristine and gaas-doped models...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

In this work, we used the Atlas Tcad Silvaco software to investigate the effect of adding an additional BSF layer on the performance of InGap / GaAs dual junction solar cells with a hetero tunnel Al0.7Ga0.3As-In0.49Ga0.51P junction. These analyzes indicate that, the addition of a BSF layer to the bottom cell the increase in the thickness of the BSF top cell would reduce the recombination and in...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
فرامرز صحراگرد f sahra gard sultan qaboos university of omanدانشگاه سلطان قابوس عمان

یک سلول uhv شکست اتمی هیدروژن جهت تولید هیدروژن اتمی به منظور تمیز سازی درجای نمونه های نیمه هادی ساخته شده است. این سلول به منظور تمیز سازی نمونه های گروه سه تا پنج جدول تناوبی عناصر نظیر gaas تنظیم و مورد آزمایش قرارگرفته است. درکارحاضر فرایند شیمیایی تمیزسازی هیدروژن نمونه های gaas توسط طیف سنجی جرمی مورد مطالعه قرارگرفت. روش xps روی نمونه ها در مراحل مختلف تمیزسازی به کارگرفته شد. دفع اکسید...

2011
Jung-Joon Ahn Kyoung-Sook Moon Sang-Mo Koo

In this study, we have fabricated nano-scaled oxide structures on GaAs substrates that are doped in different conductivity types of p- and n-types and plane orientations of GaAs(100) and GaAs(711), respectively, using an atomic force microscopy (AFM) tip-induced local oxidation method. The AFM-induced GaAs oxide patterns were obtained by varying applied bias from approximately 5 V to approximat...

2008
KA Sablon Zh M Wang GJ Salamo Lin Zhou David J Smith

Nanohole formation on an AlAs/GaAs superlattice gives insight to both the "drilling" effect of Ga droplets on AlAs as compared to GaAs and the hole-filling process. The shape and depth of the nanoholes formed on GaAs (100) substrates has been studied by the cross-section transmission electron microscopy. The Ga droplets "drill" through the AlAs layer at a much slower rate than through GaAs due ...

2004
T. T. Vu R. Harjani

Gallium arsenide (GaAs) based microaccelerometers are being developed for guidance and navigation subsystems, and various microsensor systems. The microaccelerometer is a microelectromechanical system (MEMS) micromachined on top of GaAs substrate or GaAs integrated cirwits. The MEMS accelerometer is integrated on the same chip as the GaAs readout circuit and the GaAs analog to digital converter...

انطباق چگالی جریان اتصال کوتاه در لایه‌های مختلف سلول‌های خورشیدی چند پیوندی تاثیر قابل ملاحظه‌ای در مقدار بهره دارد. در این مقاله، با بهره­گیری از نمودارهای تجربی ضریب جذب مربوط به نیمه‌رساناهای GaInP و GaAs ، به محاسبه چگالی جریان اتصال کوتاه در لایه‌های سلول دو پیوندی GaInP/GaAs در One-Sun G 5/1AM و به ازای ضخامت‌های مختلف لایه‌ها پرداخته‌ایم. سپس، شرایط لازم برای وقوع انطباق جریان را مشخص ک...

E. Rajaei M. A. Borji

In this paper, we have studied the strain, band-edge, and energy levels of cubic InGaAs quantum dots (QDs) surrounded by GaAs. It is shown that overall strain value is larger in InGaAs-GaAs interfaces, as well as in smaller QDs. Also, it is proved that conduction and valence band-edges and electron-hole levels are size dependent; larger QD sizes appeared to result in the lower recombination...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید