نتایج جستجو برای: gnrfet
تعداد نتایج: 17 فیلتر نتایج به سال:
Superior electronic properties of graphene make it a substitute candidate for beyond-CMOSnanoelectronics in electronic devices such as the field-effect transistors (FETs), tunnel barriers, andquantum dots. The armchair-edge graphene nanoribbons (AGNRs), which have semiconductor behavior,are used to design the digital circuits. This paper presents a new design of ternary half a...
This paper presents a novel design of quaternary logic gates using graphene nanoribbon field effect transistors (GNRFETs). GNRFETs are the alternative devices for digital circuit design due to their superior carrier-transport properties and potential for large-scale processing. In addition, Multiple-valued logic (MVL) is a promising alternative to the conventional binary logic design. Sa...
گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطافپذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی میکنیم که در آن کانال متشکل از آرایهای از نانونوارهای گرافینی دسته صندلی میباشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...
گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطافپذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی میکنیم که در آن کانال متشکل از آرایهای از نانونوارهای گرافینی دسته صندلی میباشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...
چکیده این رساله ضمن ارزیابی مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان با کانال از جنس نانولوله کربنی، دو ساختار نوین برای بهبود این افزاره ها و یک ساختار نوین برای افزاره های اثر میدان نانونوار گرافینی پیشنهاد کرده است. اولین ساختار نوین تحت عنوان ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با توزیع ناخالصی خطی در ناحیه کانال(ldc-cntfet) می باشد که نسبت به ساختارهای پایه و تک هاله دارای نوسانات زیرآستانه کمتر و ...
We report the realization of top-gated graphene nanoribbon field effect transistors (GNRFETs) of ~10 nm width on large-area epitaxial graphene exhibiting the opening of a band gap of ~0.14 eV. Contrary to prior observations of disordered transport and severe edge-roughness effects of GNRs, the experimental results presented here clearly show that the transport mechanism in carefully fabricated ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید