نتایج جستجو برای: ترانزیستور اثرمیدانی گیت شاتکی

تعداد نتایج: 858  

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده فنی 1391

امروزه استفاده گسترده ای از تکنولوژی cmos در طراحی و پیاده سازی مدارهای الکترونیکی می شود. به دلیل سرعت چشمگیر افزایش تعداد ترانزیستورها درون تراشه، کاهش ابعاد ترانزیستور ضروری می باشد.اما در این تکنولوژی چنین کاهشی در مقیاس زیرمیکرون به سادگی امکان پذیر نمی باشد.اتوماتای سلولی کوانتومی(qca) روشی جدید جهت طراحی مدارها بوده که قابلیت های فراوانی داشته و در زمینه نانوالکترونیک کارآمد می باشد. در ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده مهندسی 1394

در این پایان نامه، فیلترهای بالاگذر(مشتق گیر) و پایین گذر(انتگرال گیر) در حوزه sinh به همراه روابط آنها ارائه شده است. سپس یک مدار انتگرال گیر (فیلتر پایین گذر) در حوزه sinh به طور خاص مورد تحلیل و بررسی قرار گرفت و طرح پیشنهادی برای این مدار ارائه می گردد. این مدار شامل ? بلوک است که عبارتند از: تقسیم کننده جریان، دو بلوک حلقه ترانسلینیر(tl)، ترارسانای sinh/cosh . همچنین در بلوک ترارسانای sinh...

ژورنال: :نشریه مهندسی صنایع 2014
علیرضا رشیدی کمیجان مرضیه حسنی دوغ آبادی کامران جمالی فیروزآبادی

امروزه با توجه به بالا رفتن سطح توقع مسافران و محدودیت منابع، لازم است مدیران و مسئولان فرودگاه­ها، برای تدوین برنامه مناسب در راستای تخصیص هر چه بهینه­تر منابع، گامبردارند. از جمله منابع یک فرودگاه، گیت و کانتر هستند. در این تحقیق با در نظر گرفتن مسئله تخصیص کانتر و گیت به طور همزمان به پروازهای ورودی، مدل ریاضی مربوطه ارائهشده است. اهدافمدل شاملحداقل کردن طولمسیر پیاده­روی مسافران، حداقل کردن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1390

ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی(poly-si tft) به دلیل کاربرد شان در مدار های سوئیچ کننده نمایشگرهای کریستال مایع ماتریس فعال ( ( amlcd و مدار های سه بعدی به طور وسیع در سال های اخیر مورد مطالعه قرار گرفته اند. یکی از مشکلات این نوع ترانزیستورها جریان نشتی بالای آنها می باشد که در نتیجه وجود مرزهای گرین در کانال ترانزیستور به وجود می آید و باعث تضعیف در مشخصات سوئیچینگ می شود. در این پروژه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1390

استفاده از افزاره های الکترونیکی بر پایه نیمرساناهای گاف پهن بدلیل قابلیت های بالای آن به عنوان سنسور گازی با استقبال مواجه شده است. استفاده از این افزاره ها به عنوان سنسور گازی نسبت به سایر سنسورها دارای مزایایی چون: آشکارسازی گازها در غلظت بسیار پایین، قابلیت کارکردن در دماهای بالا و پاسخ دهی سریع تر می باشد. در این پایان نامه عملکرد سنسورهای هیدروژن فلز-نیمرسانا-فلز (msm) و فلز-عایق-نیمرسانا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم بهزیستی و توانبخشی 1388

مقدمه عبارت "کمردرد" بیانگر درد و یا هر گونه ناراحتی است که می تواند در ناحیه ای بین دنده دوازدهم تا زیر چین گلوتئال وجود داشته باشد. این درد ممکن است همراه با درد اندام تحتانی و یا بدون آن باشد . کمردرد در اکثر موارد، غیر اختصاصی می باشد ولی در10 درصد موارد نیز کمر درد اختصاصی دیده می شود. علل کمردرد اختصاصی شامل برخی تغییرات تخریبی، التهابی، عفونی، دردهایی با منشأ روانی، ضربه و اختلالات مادر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه امام رضا علیه السلام - دانشکده مهندسی برق 1391

طبق قانون moore در سال 2020 اندازه ترانزیستور های روی یک تراشه سیلیکونی به اندازه یک اتم خواهد رسید. چالشی که مطرح خواهد بود این است که در آن زمان به جای قوانین مکانیک کلاسیک، قوانین مکانیک کوانتومی بر رفتار اتم ها حاکم است. بنابراین دانشمندان در سال 1892 پیشنهاد کردند که باید محاسبات را از دنیای کلاسیک کنونی وارد دنیای جدید کوانتومی کرد. محاسبات کوانتومی که دارای قدرت نظری بالایی هستند روی قطع...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1387

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده علوم 1386

چکیده ندارد.

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید