ضمن مطالعه دقیق دستگاه آلیاژهای دوتایی ، به روش نیروی الکترو موتوری پیلها ، با پایه تلور te-X ( که در آن X یک عنصر از گروه سه ، چهار یا پنج B از جدول مندلیف است ) ، که می توانند به پیدایش نیمه هادی ها یا بیشکلها منتهی شوند ، توانستیم نمودار حالات میعان دستگاه سرب – تلور را تعیین کنیم . از آنجایی که این نمودار در بعضی موارد با داده های سایر محققین تطابق نداشت ، مجبور شدیم از روی کمیتهای گرماپوی...

چکیده ندارد.

مسیریابی بهینه هادی های انتقال در یک محفظه شامل تجهیزات الکتریکی و الکترونیکی در راستای کارکرد صحیح و بدون اختلال سیستم به عنوان یک مبحث پیچیده مطرح است. میدان های تداخلی ناشی از جریان های بالای برخی از تجهیزات درون محفظه و عملیات کلیدزنی، ولتاژ هادی های انتقال را می تواند تحت تأثیر قرار دهد. این ناسازگاری الکترومغناطیسی عملکرد نادرست ادوات فرمان و اندازه گیری را به دنبال خواهد داشت. در حالت مع...

تکنولوژی حسگرها به طور گسترده ای برای تشخیص گازها مورد بررسی و استفاده قرار گرفته است. با توجه به کاربرد های متفاوت و محدودیت های ذاتی تکنولوژی حسگرهای گاز پژوهشگران مشغول تحقیق بر روی طرح های متفاوتی هستند تا حسگرهایی با دقت و کالیبراسیون بهتری ابداع کنند. در این پایان نامه از اتصال شاتکی نیمه هادی گالیوم آرسناید برای ساخت حسگر گاز آمونیاک استفاده شده است. در این راستا دو ماده حساس به گاز آمون...

پس از ارائه اولین گزارش ها در مورد نانو لوله های کربنی با خواص خاص و چشمگیر الکترونیکی ، نوری و شیمیایی ؛ آنها از دیدگاه کاربردی جهت تحقیقات اساسی ، موضوعی جذاب برای پژوهش در حوزه های گوناکون دانش بوده اند. از جمله مباحثی که در این زمینه مورد بررسی قرار گرفت مبحث ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربن((cntfet می باشد. در ابتدا چگونگی عملکرد این قطعه خیلی واضح نبود اما با پیشرفت های بعدی ؛ شناخ...

در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه  شده...

در این پروژه رفتار فتوالکتروشیمیایی نیمه هادی سولفید و سلنید سرب مورد بررسی قرار گرفته است.در بخش اول فتوالکتروشیمی نیمه هادی سولفید سرب را در حضور و غیاب مس بررسی می شود.به این منظور مس از محلول سولفات مس اسیدی (ph=1 )بر سطح الکترود سرب تحت یک پتانسیل ثابت ترسیب گردید.سپس سولفید سرب تحت یک پتانسیل ثابت با استفاده از محلول سولفید سدیم قلیایی (ph=13)بر آن ترسیب شد.سپس اثر مس بر رفتار فتوالکتروشی...

هدف از این پایان نامه طراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار ‏‎pn‎‏ از جنس نیمه هادی گالیم آرسناید به روش باریکه مولکولی ‏‎(mbe)‎‏ می باشد. اساس تولید انرژی الکتریکی در سلولهای خورشیدی پدیده فتوولتائیک است که طی آن در یک دیود ‏‎pn‎‏ برای تبدیل نور به انرژی الکتریکی نیاز است تا الکترونها و حفره های تولید شده توسط نور از یکدیگر جدا شوند و هرکدام به یکی از اتصالهای خارجی هدایت شود. برای تحقیق این امر ...

در این مقاله ابتدا توضیح مختصری از مفهوم کنترل جریان سیال و نحوه دسته‌بندی روش‌های مختلف آن داده شده است. در ادامه دو دسته مهم از عملگرهای کنترل جریانی مبتنی بر میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی معرفی و نحوه عملکرد آن‌ها توسط نیروی لورنتس توضیح داده شده است. دسته اول که به عملگرهای الکتروهیدرودینامیک مشهور هستند، صرفا تحت تأثیر میدان  الکتریکی عمل می‌کنند. این عملگرها با استفاده از تخلیه الکتریکی و...

ساختار بلوری نانوذرات قلع(ii) سولفید و قلع(ii) سولفید دوپ شده با آهن، روی بلاند بود. نانوذرات قلع(ii) سولفید رفتار دیامغناطیس و نانوذرات قلع(ii) سولفید دوپ شده با آهن(ii) رفتار فرومغناطیس نرم دارند. میانگین اندازه نانوذرات قلع(ii) سولفید، sn0.9fe0.1s و sn0.8fe0.2s به کمک روش xrd به ترتیب 12.6، 9.8 و 8.5 نانومتر محاسبه شد. اندازه فاصله انرژی با استفاده از روش uv-vis، در نانوذرات قلع(ii) سولفید، ...