نتایج جستجو برای: ضریب دی الکتریک بالا

تعداد نتایج: 131818  

ژورنال: :مهندسی بیوسیستم ایران 0
حامد خلیلیان فارغ التحصیل مهدی قاسمی ورنامخواستی استادیار گروه مهندسی مکانیک بیوسیستم دانشگاه شهرکرد مجتبی نادری بلداجی عضو هیئت علمی سجاد رستمی عضو هیئت علمی

اندازه­گیری و پایش غلظت قند شربت چغندرقند به شکل پیوسته و در مراحل مختلف پخت و تغلیظ یکی از نیازهای اساسی صنعت شکر می­باشد. در این مطالعه یک نمونه حسگر دی­الکتریک استوانه­ای با قابلیت توسعه برای اندازه­گیری برخط غلظت قند شربت چغندرقند ساخته شد و مورد ارزیابی قرار گرفت. این حسگر متشکل از یک استوانه فولادی و مغزی به عنوان قطب­های خازن می­باشد که  توسط کابل هم­محور به دستگاه­های ژنراتور و تحلیل­گر...

ژورنال: :تحقیقات علوم چوب و کاغذ ایران 0
محمد آزادفلاح استادیار، گروه علوم و صنایع چوب و کاغذ، دانشکده منابع طبیعی، دانشگاه تهران، کرج حمید خدابنده لو کارشناس ارشد صنایع خمیر و کاغذ، دانشکده منابع طبیعی، دانشگاه تهران، کرج امیر عباس شایگانی اکمل استادیار، گروه مهندسی برق، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه تهران

خواص کاغذهای عایق الکتریکی ترانسفورماتور متأثر از فرایند اصلاح شیمیایی انجام شده بر روی الیاف است. در این تحقیق تأثیر سیانواتیلاسیون خمیرکاغذ و افزودن نانوالیاف سلولزی سیانواتیل­دار شده بر خواص دی­الکتریک شامل ظرفیت، تلفات دی الکتریک، مقاومت عایقی، ولتاژ شکست و همچنین مقاومت به کشش دو نوع کاغذ دست­ساز تهیه شده از خمیرکاغذ رنگبری­نشده الیاف بلند و ترکیبی از آن با خمیرکاغذ سودای باگاس با نسبت 1:1...

ژورنال: :فصلنامه علوم و تکنولوژی محیط زیست 2009
رسول یاراحمدی سید باقر مرتضوی محمدرضا امید خواه حسن اصیلیان علی خوانین

هدف از این تحقیق تصفیه و حذف اکسیدهای نیتروژن در راکتور پلاسما در شرایط اتمسفریک و غیر حرارتی است. این فن  آوری علاوه بر قابلیت کاهش مصرف انرژی در فرایند حذف آلاینده ها، دارای انعطاف پذیری ویژه در تصفیه و تقلیل آلاینده های فرعی به طور هم زمان است. در این تحقیق به منظور  تبدیل موثر اکسید های نیتروژن(nox)، از فرایند پلاسمای نوع تخلیه با مانع دی الکتریک[1](dbd) استفاده شده است. در اثر برخورد الکتر...

دکتر فرخ آرزم مهندس علیرضا شوشتری

در این مقاله آنتن صفحه فرنل بالایه دی الکتریک و حلقه های فلزی چاپ شده روی آن در حالت فرستندگی و جریان های معادل مغناطیسی برای میدانهای تابیده شده از تغذیه میدان دور پترن و بهره این آنتن بررسی و میدان تغذیه با مدل مناسبی تقریب زده شده است در این مدل تغذیه بدون مولفه پلاریزاسیون متقابل با بهره متغیر در نظر گرفته شده است این بررسی با نتیجه تجربی ساخت چند نوع آنتن مقایسه شده است .

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1389

امروزه نظریه تابعی چگالی و دسته معادلات تک ذره کان-شم که برپایه این نظریه استوار شده اند، به عنوان یک روش دقیق برای محاسبات ساختار الکترونی جامدات به حساب می آیند. انرژی تبادلی موجود در دسته معادلات کان-شم از جمله انرژی تبادلی همبستگی را می توان با استفاده از تقریب هایی چون تقریب چگالی موضعی (lda) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) محاسبه کرد. بلور uptge در بین سری ترکیبات(t= pt, ni, pd) utge تنها ب...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده شیمی 1391

چکیده (بخش اول) برای گسترش پلیمرهای فلوئوره با عملکرد بالای دارای حلالیت خوب، پایداری گرمایی بالا، ضریب شکست پایین و ثابت دی الکتریک پایین، در این رساله تهیه و ویژگی های یک سری پلی آمیدهای فلوئوره (9) برپایه مونومر دی آمین دارای گروه های cf3 (7) با دی اسیدهای آروماتیک تجاری گزارش می شود. گروه های حجیم cf3 و نفتیل، پیوندهای انعطاف پذیر اتری و سولفایدی، و نیز تشکیل ساختارهای خمیده به دلیل پیونده...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1389

رشد روز افزون به کارگیری سیستم های فرکانس بالا، نیاز به مدارها و سیستم های کم هزینه تر و کوچک تر با مشخصات فرکانس بالای بهتر را بیشتر کرده است. سوئیچ های میکروالکترومکانیکی، یکی از انواع سوئیچ های فرکانس بالا هستند که در سال های اخیر به دلیل ویژگی های فرکانس بالای بهینه از جمله ایزولاسیون بالا، تلفات کم، خطی بودن، قابلیت ساخت با حجم و هزینه کم و قابلیت مجتمع شدن با تکنولوژی ارزان قیمت cmos، در ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1391

در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم 1392

هگزافریت استرانسیوم (srfe12o19) با مغناطش اشباع، ناهمسانگردی تک محوری و مقاومت الکتریکی بالا، جزء مواد مغناطیسی سخت به شمار می آید. این ترکیب با ساختار هگزاگونال و 64 یون به ازاء سلول واحد، دارای خواص جالب و منحصر به فرد زیادی می باشد. انواع مختلف آلایش در این ترکیب، تغییرات متنوعی در ساختار و خواص مغناطیسی این ماده ایجاد می کند. بنابراین در این پایان نامه، نانو ذرات هگزافریت استرانسیم خالص و آ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک 1393

بلور مایع های نماتیک در ساخت ابزارهای فوتونیکی به ویژه در صفحات نمایشگر تخت مورد استفاده قرار می گیرند، وجود یونهای ناخالصی بدونه توجه به سرچشمه آنها باعث بروز مشکلات فراوانی در صنایع تولید صفحات نمایشگر می شود. یونهای ناخالصی یک میدان برهم کنشی داخلی اضافی تحت اعمال میدان خارجی در سلول بلور مایع ایجاد می کنند که باعث بروز مشکلاتی از جمله کاهش در اندازه میدان در دسترس و افزایش در ولتاژ آستانه، ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید