بخش عمده ای از کارهای تحقیقاتی اخیر در زمینه پلاسما به پلاسمای کوانتومی اختصاص یافته است. اسپین الکترون به عنوان یکی از جالبترین تأثیرات کوانتومی، جدیدترین زمینه این مطالعات را شامل می شود. در این رساله پس از معرفی پلاسمای کوانتومی انتشار غیرخطی موج غبار-صوتی در پلاسمای کوانتومی با درنظر گرفتن اثر اسپین الکترون مطالعه می شود. در فصل اول، کلیاتی راجع به مفاهیم اولیه پلاسمای کوانتومی و تفاوت آن...

اسپینترونیک یکی از زمینه¬های نوظهور علم نانو است که هدفش مطالعه نقش اسپین الکترون در فیزیک ماده چگال می¬باشد. در این پایان نامه به بررسی دو شاخه جدید اسپینترونیک می¬پردازیم. در بخش مدارهای اسپینی، هدف محاسبه اندازه جریان اسپینی در دو مدار اسپینی π و t شکل با در نظرگرفتن دو نانوکانال غیرمغناطیسی متفاوت از جنس طلا و مس می¬باشد. بر اساس نتایج بدست آمده در این پایان¬ نامه جریان اسپینی شاخه سری با ک...

این واقعیت که حالت های اسپین الکترون (به جای بار الکتریکی) بسیار کمتر حساس به نوفه های الکترومغناطیسی هستند، باعث آن شده است که امروزه تلاش وافری برای توسعه دستگاههای اسپینترونیکی (به جای الکترونیکی) به عمل آید. در این راستا دسته ای ازموادکه شامل فلزات و حتی نیمه هادی های آلی هستند برای استفاده در فناوری اسپینترونیک پیشنهاد شده است. یک کاندیدای مناسب برای چنین کاربردهایی، تک لایه ای از اتم های ...

در سال¬های اخیر برهم¬کنش اسپین ـ مدار در ساختارهای نیم رسانا به دلیل کاربرد بالقوه ای که در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) دارد، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیم رساناهای متداول دو نوع برهم¬کنش اسپین ـ مدار وجود دارد. یکی برهم¬کنش اسپین ـ مدار درسلهاوس که به وسیله بی¬تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی ـ سولفید) و دیگری برهم¬کنش اسپین ـ مدار ناشی از بی¬تقارنی وا...

نانوالکترونیک شاخه¬ای از علم و فناوری نانو است که بیشتر درباره الکترونیک وابسته به اسپین یا اسپینترونیک بحث می کند. از سال 1990 که ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار پیشنهاد شد تاکنون کوشش زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان¬های اسپین قطبیده در ماده نیمه رسانا انجام گرفته است که باعث گسترش اسپینترونیک شده است. مطالعه ی خواص ترابردی بار و اسپین در حضور برهم¬کنش اسپین- مدار ...

در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص ...

هدف از تحقیق حاضر، سنتز و بررسی تأثیر نانوذرات مغناطیسی مگنتیت سوپرپارامغناطیس با پوشش دکستران جهت استفاده در mri بوده است.دراین ارتباط نانوذرات مگنتیت خالص (fe3o4) و جایگزین شده با یونzn+2 جهت بدست آمدن ترکیب (zn0.2fe2. 8o4) توسط روش هم رسوبی با پوشش دکستران تحت شرایط معین سنتز گردید. در ادمه فعالسازی سطح نیز صورت گرفت. بعلاوه در این ارتباط پارامتر ها و متغیر های مختلف سنتز(غلظت و زمان پیرساز...

در این پژوهش فرایندهای تونل زنی وابسته به اسپین الکترون ها را از ساختارهای نامتجانس مغناطیسی به صورت فرومغناطیس/نیمرسانا/فرومغناطیس مورد بررسی قرار داده و تاثیر دو برهم کنش اسپین- مدار درسل هاس و راشبا را به طور جداگانه بر این فرایندها به دست آورده ایم. سپس این دو برهم کنش اسپین- مدار را در یک ساختار مرکب به صورت فرومغناطیس/نیمرسانا (با برهم کنش درسل هاس)/نیمرسانا(با برهم کنش راشبا)/فرومغناطیس ...

زنجیر¬های کربنی ساختارهای یک بعدی هستند که اخیراً با استفاده از روش¬های تجربی، به صورت پایدار، تولید می¬شوند. این ساختارها نسبت به نانونوارهای گرافینی و نانولوله¬های کربنی، خصوصیات بارزی دارند. آرایش پیوندی در این زنجیر¬های کربنی منجر به خواص ویژه از جمله رسانندگی بالا می-شود. همچنین حالت¬های جفت نشده در این زنجیر¬ها باعث ایجاد خواص مغناطیسی می¬گردند. از سوی دیگر انتظار می¬رود این زنجیر¬ها به دل...

در این رساله بر همکنش های یک نقطه کوانتومی با نور کوانتومی و دینامیک اتلافی یک الکترون به دام افتاده در یک نقطه کوانتومی موردمطالعه قرارگرفته است. در بخش اول این رساله، نقش میدان های موضعی در پاسخ خطی وغیر خطی یک نقطه کوانتومی برهمکنش کننده با نور کوانتومی بررسی گردیده است. هامیلتونی سیستم بر پایه ی هامیلتونی برهمکنش جفت الکترون- حفره با میدان فرودی و یک جمله جداگانه به عنوان پاسخی برای اثر واق...