در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

در این کار اثر دمای زیرلایه، فلوی گاز اکسیژن و زاویه زیرلایه بر خواص اپتوالکتریکی، ساختاری و ریخت شناسی سطحی اکسید قلع خالص به منظور دست یابی به یک اکسید رسانای شفاف نانوساختار برای کاربردهای سلول خورشیدی بررسی شد. بهترین نتایج در دمای زیرلایه ?c 500 با فلوی اکسیژن sccm 200-100 و در فاصله cm 5 از پیش ماده بدست آمد. در گام بعدی تلاش کردیم تا اکسید قلع آلائیده با نیتروژن با رسانندگی نوع p بدست آ...

چکیده سابقه و هدف: فلزات سنگین همانند کادمیوم اثرات مضر زیادی را در محلول های آبی ایجاد می کند. بنابراین حضور فلزات سنگین در آب های سطحی و زیرزمینی به عنوان مشکل آلاینده معدنی اصلی شده است .روش های مختلفی جهت حذف فلزات سنگین وجود دارد که یکی از بهترین روش ها جذب سطحی است. هدف از این پژوهش حذف یون های کادمیوم دو ظرفیتی از محلول های آبی با استفاده از جاذب نانو دی اکسید سیلیکون اصلاح شده به وسیله ...

هدف از این پایان نامه بررسی رفتار افزاره های سیلیکون روی الماس دو لایه است. ما قصد داریم در این پایان نامه با بررسی دقیق مشکلات موجود در روند کوچک سازی افزاره های اثر میدان در ابعاد نانومتر، روش هایی برای کاهش آثار ناشی از کوچک سازی افزاره ها ارائه نماییم. ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق در مقایسه با ترانزیستور بالک محاسن چندی از خود نشان می دهند. اثرات خودگرمایی در این ترانزیستورها با توجه به ک...

امروزه اهمیت ثبات تولید محصولات زراعی طی شرایط کم آبی به دلیل افزایش جمعیت جهان بیش از پیش حائز اهمیت می‌باشد. با توجه به احتمال تاثیر نانو تیتانیوم و نانو سیلیکون بر روی رشد و نمو گندم در شرایط تنش خشکی، پژوهش حاضر با بهره‌گیری از آزمایش اسپلیت پلات در قالب طرح بلوک‌های کامل تصادفی در سه تکرار در سال 1393 در کشتزار پژوهشی گروه مهندسی تولید و ژنتیک گیاهی دانشکده کشاورزی دانشگاه مراغه انجام گرفت...

چکیده:کار حاضر به مطالعه عددی انتقال‌حرارت ترکیبی تابش-جابجایی، داخل کانال مستطیلی دو بعدی می‌پردازد. محیط مورد نظر، گاز تابشی شامل مخلوطی از هوا، دی اکسید کربن و بخار آب می‌باشد. دیواره پایین کانال غیرخاکستری از جنس سیلیکون یا ژرمانیوم و دیواره بالای کانال خاکستری فرض می‌شود. تاثیرافزایش دمای دیواره کانال و درصدهای مولی گازها، بر رفتار حرارتی سیستم در حالت رفتار طیفی سطوح بررسی شده است. م. نتا...

پوشش با لایه های نازک نقش بسیار مهمی در صنایع نیم رسانا ها و تجهیزات میکروالکترومکانیک و نانوالکترومکانیک دارد. اطلاع از خواص تشعشعی ساختارهای چند لایه ای بسیار نازک، کاربردهای زیادی در صنایع میکروالکترونیک، تبدیل انرژی و نانو فناوری دارند. در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته و حجم وسیعی از تحقیقات را به خود اختصاص داده است. بی شک رشد چشمگیر ارتباطات، پ...

از زمانی که مطابق قانون مور, بکارگیری اکسیدسیلیکون حدود یک نانومتر برای نانوترانزیستورهای اثرمیدان ناممکن شده است.دی الکتریک های بسیاری نظیر اکسید و نیترید آلومینیوم اکسید زیرکونیوم,اکسید هافنیوم, اکسید تیتانیوم و مواد پلیمری مطرح شده اند. مطالعات بسیاری در دهه اخیر صورت گرفته است تا قابلیت اینگونه فیلم ها را به عنوان یک کاندیدای مناسب در تولیدات آتی قطعات الکترونیکی را بررسی کند. تقریبا تمام ا...

در این پژوهش، کندگی لیزری بر روی ویفر سیلیکون کریستالی در سوسپانسیون اکسید گرافن – (ان- متیل -2 - پیرولیدون) با استفاده از لیزر پالسی nd:yag با طول موج 1064 نانومتر و عرض پالس230 نانوثانیه انجام شد. انرژی پالس های بکار برده شده در آزمایش 1 ، 5/1 و2 میلی ژول بودند. سطح ویفر سیلیکون با میکروسکوپ نوری و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان دادند که کندگی سیلیکون در مایع با لی...

کاندیدیاز معمول ترین عفونت قارچی در انسان و حیوانات خونگرم است. کاندیدا آلبیکانس، یک پاتوژن فرصت طلب در میزبان های دچار ضعف ایمنی، مثل بیماران مبتلا به ایدز و بیماران تحت شیمی درمانی می باشد. از آنجا که داروهای ضدقارچی محدود بوده، سمیت بالایی دارند و ممکن است قارچ ها نسبت به آن ها مقاوم باشند، پیدا نمودن عواملی که دارای خواص ضدقارچی بوده و عوارض و سمیت کمی داشته باشند، بسیار ضروری به نظر می رسد...