نتایج جستجو برای: باند توقف الکترومغناطیسی
تعداد نتایج: 9677 فیلتر نتایج به سال:
هدف: میدان الکترومغناطیسی بهعنوان یک عامل محرک فیزیکی خواه و ناخواه فرآیندهای سلولی را تحت تاثیر خود قرار میدهد. در مطالعهی حاضر تغییر مورفولوژی و سرعت تکثیر سلولهای بنیادی مزانشیمی مغز استخوان موش صحرایی در حضور میدان الکترومغناطیسی (EMF) و مولکول پیامبر اکسید نیتریک (NO) بررسی شد. مواد و روشها: بعد از جداسازی سلولهای بنیادی استرومایی از مغز استخوان موش ...
امروزه نانوساختارهای فلزی برای تحقق ادوات نوری بسیار کوچک در فرکانس های بالا و غلبه بر حد پراش نور، بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. در این پایان نامه، فیزیک پلاسمون ها، نحوه انتشار آن ها در مرز مشترک فلز-عایق-فلز، برخی از روش-های تحریک و تعدادی از کاربردهای پلاسمونیک مطرح می شوند. هم چنین انواع پراشه های فلز-عایق-فلز ساده، اپودایز و چرپ شده تحلیل و شبیه سازی شده اند و نشان داده می شود که با رو...
در این پروژه ابتدا به بررسی انواع ساختارهای باند ممنوعه پرداخته ایم و سپس آنتن های باند ممنوعه و نحوه کارکرد آن ها را تشریح کرده ایم. در ادامه نحوه طراحی یک آنتن باند ممنوعه با استفاده ازساختارهای دی الکتریک-فلز را نشان داده ایم. این آنتن از دو بخش مجزا تشکیل سده است، لایه superstrate که به همراه صفحه زمین تشکیل یک رزوناتور را می دهد و تشعشع کننده اولیه که برای تحریک ساختار، در داخل رزوناتور قر...
در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...
در این مقاله یک فیلتر جدید میان گذر فوق پهن- باند مایکرواستریپی با استفاده از دو تشدیدکننده ی متقارن چند- مدی بارگذاری شده با یک استاب امپدانس پله ای تحلیل و شبیه سازی شده است. این تشدیدکننده ی چند مدی، تشکیل شده است از یک تشدیدکننده ی امپدانس پله ای سه مدی که برای کاهش سایز مدار به صورت خمیده ترکیب بندی شده است و یک استاب امپدانس پله ای که در مرکز دو تشدیدکننده ی دارای چند مد تشدید تعبیه شده ا...
در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دیالکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایهها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیهسازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیهسازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...
در سال های اخیر ساختارهای باند ممنوعه الکترومغناطیسی به دلیل خواص منحصر به فردی که در مواد دیگر قابل مشاهده نیست توجه بسیاری از محققان را به خود جلب کرده اند. از این جهت این ساختار زیرمجموعه ای از فرا مواد است. فعالیت های تحقیقاتی گوناگونی بر روی این ساختارها در حال انجام است و کاربردهای گوناگونی برای این ساختارها ارائه شده است. از جمله آن می توان به کاربرد ساختارهای باند ممنوعه الکترومغناطیسی ...
در این مقاله، طراحی یک جاذب الکترومغناطیسی نانوکامپوزیتی، جهت دستیابی به مشخصه های ضخامت کم، پهنای باند جذب بالا، میزان جذب قابل توجه و تعداد لایه های حداقل، به صورت همزمان، بررسی شده است. برای تحقق هر یک از این مشخصه ها، اهداف و محدودیت های معیینی در روند بهینه سازی طراحی جاذب، با بکارگیری دو روش ازدحام ذرات بهبودیافته محلی((mlpso و الگوریتم ژنتیک با مرتب سازی نامغلوب نوع دوم(nsga-ii)، در نظرگ...
در سال 2002 ، کمیسیون فدرالی مخابرات ایالات متحده امریکا به صورت رسمی آیین نامه ای را برای تکنولوژی فراپهن باند ارائه داد. در این آیین نامه، طیف فرکانسی 1/3 گیگاهرتز تا 6/10 گیگاهرتز به این تکنولوژی اختصاص داده شده است. پس از انتشار این آیین نامه، تکنولوژی فراپهن باند که مبتنی بر ارسال پالس های بسیار باریک در حدود چند نانوثانیه و یا کمتر می باشد، برای استفاده در زمینه های متنوعی از مخابرات بی س...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید