نتایج جستجو برای: ترانزیستورهای دوقطبی نامنجانس

تعداد نتایج: 1370  

ژورنال: :ارمغان دانش 0
سید موسی کافی sm kafi تمجید کریمی t karimi حسن فرهی h farrahi

چکیده زمینه و هدف: نقص توجه تأثیر قابل ملاحظه ای بر زندگی و وضعیت مبتلایان به اسکیزوفرنی و اختلال دو قطبی دارد. هدف این پژوهش، بررسی نقص توجه بیماران مبتلا به اسکیزوفرنی و اختلال دو قطبی بود. روش بررسی: در یک مطالعه پس رویدادی 132 بیمار مبتلا به اسکیزوفرنی و اختلال دو قطبی نوع یک در بیمارستان شفا در شهر رشت به شیوه نمونه گیری غیرتصادفی در دسترس انتخاب شده وبه طور مساوی در چهار گروه اسکیزوفرنی م...

ژورنال: روان سنجی 2019
سلیمه دارمی شهره شکرزاده,

در پژوهش حاضر به «روایی تشخیصی   فرم بازسازی­شده پرسشنامه شخصیتی چندوجهی مینه‌سوتا-۲   (MMPI-2RF) در   اختلال دوقطبی» پرداخته و سؤال اصلی تحقیق بدین ترتیب مطرح شده است که آیا فُرم   بازسازی­شده پرسشنامه ویژگی‌های شخصیتی مینه­سوتا-2 (MMPI-2RF) در افراد   با اختلال دوقطبی از روایی تشخیصی برخوردار است؟ طرح تحقیق در حیطه طرح‌های روان­سنجی   بوده است. جامعه آماری پژوهش حاضر را 60 نفر از بیماران دوقطب...

Journal: : 2023

به منظور ساخت، راه‌اندازی و عیب‌یابی مقدماتی چشمه پنینگ داخلی سیکلوترون 10IRANCYC، یک مگنت الکتریکی دوقطبی با میدان مغناطیسی در حد امکان مشابه مرکز مذکور طراحی ساخته شد. این الکترومگنت که دانشکده فیزیک دانشگاه تهران شد، قادر است بزرگی 7000 گوس را محل استقرار (منطقه‌­ای شعاع 15 میلی‌متر مگنت) آسانی بدون نیاز خنک‌سازی تأمین کند. دست‌­یابی 1/1 تسلا نیز استفاده از برای مدت چند دقیقه امکان‌­پذیر است...

ژورنال: :هوش محاسباتی در مهندسی برق 0
عصمت راشدی دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان احمد حکیمی دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان محمد مهدی پژمان دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
فاطمه نبی پور f nabipoor university of isfahanدانشگاه اصفهان محمدعلی شاهزمانیان a shahzamanian

اثرات پتانسیل دوقطبی - دوقطبی و چهارقطبی - چهارقطبی ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی را در تقریب میدان متوسط بررسی می کنیم. از مدل دوشاره ای برای به دست آوردن بیناب انرژی قسمت های چگاله و ناچگاله (حرارتی) استفاده می کنیم. با به دست آوردن این بیناب، تغییر گاف انرژی به دست می آید. در مقایسه با سیستم بوزی با بر هم کنش ضعیف تماسی که اثر ناچگاله ها بزرگتر است، مشاهده می شود که در سیستم با برهم کنش د...

ژورنال: :مطالعات روانشناسی ورزشی 0
غزاله جوانبختی معلم/آموزش و پرورش محمد کاظم واعظ موسوی استاد تمام / دانشگاه جامع امام حسین عبداله قاسمی مربی بورسیه، دانشگاه علوم و تحقیقات تهران

اختلال دوقطبی بیماری مزمنی است که موجب کاهش کیفیت زندگی بیمار می شود. فعالیت بدنی ریتمیک، جزو شیوه های مراقبت از بیماری های روانی است که اثربخشی آن، به جز در مورد این بیماران، مکرّرا سنجیده شده است. هدف این تحقیق بررسی تأثیر تمرینات هوازی با موسیقی بر علائم بیماری، روابط اجتماعی، و بهداشت فردی بیماران دوقطبی است. تعداد 17 بیمار (9 زن و 8 مرد) دارای اختلال، از بین 160 بیمار ساکن در آسایشگاه، به ص...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1390

با پیشرفت تکنولوژی در دهه های اخیر و افزایش اهمیت مدارهای آنالوگ در سیستم های فرستنده-گیرنده مخابراتی، توجه بسیاری از محققین به طراحی سیستم های آنالوگ جلب شده است. امروزه کاربردهای پیشرفته ای برای فرستنده-گیرنده های مخابراتی تعریف شده است که این کاربردها زمینه های تحقیقاتی جدیدی را در دنیا به وجود آورده است. از جمله این کاربردها می توان به شبکه حسگرهای بی سیم و سیستم های شناسه گر فرکانس رادیویی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1388

در این پایان نامه کاربرد شبکه های عصبی پرسپترون چند لایه و تابع بنیادی شعاعی برای مدل کردن ترانزیستورهای توان بالا و فرکانس بالای ldmos ارائه شده است. اخیرا علاقه به ترانزیستور ldmos به خاطر کاربردهایش در تقویت کننده های توان rf در سیستم های ارتباطی بی سیم افزایش یافته است. اما غیر خطی بودن قطعه مسئله مهمی در این تقویت کننده هاست چون به هنگام اعمال سیگنال های با فرکانس نزدیک به هم در ورودی منجر...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - پژوهشکده فنی و مهندسی 1392

مدل سازی جریان تونل زنی گیت ماسفت توسط شبکه عصبی

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید