چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

در این پروژه پس از معرفی قطعات تک-الکترون متعارف و مورد استفاده و مشکلات آنها، به بررسی ساختارهای سوزنی شکل در ابعاد و اندازه های متفاوت می پردازیم. این ساختارها به بافت سیلیکون متخلخل بسیار شبیه هستند. با اسبفاده از قابلیت های برنامه ی fastcap، پس از شبیه سازی ساختارهای تعریف شده، خازن آنها محاسبه و نشان داده می شود که مقدار این خازن در همان حدی است که جزیره های بکار برده شده در ادوات تک-الکتر...

در این پایان نامه، بر اساس رهیافت تابع گرین و هامیلتونی تنگابست، در تقریب نزدیکترین همسایه ها، به بررسی ترابرد الکترونی در ترانزیستورهای اثر میدانی گرافینی، بر اساس تونل زنی کوانتومی، خواهیم پرداخت. این ترانزیستورها شامل دو نانونوار گرافینی است؛ که چند لایه بور-نیترید در بین آن ها جای گرفته است. نتایج نشان می دهد، که در انرژی هایی در محدوده سد تونل زنی، ترابرد حامل های بار به تعداد لایه های بور...

سیستم های میکرو الکترومکانیک ونانو الکترو مکانیک امروزه بسیار مورد توجه قرار گرفته اند.با توجه به پتانسیل بالقوه شان کاربرد های این سیستم ها رو به افزایش می باشد. سویچ های mos که امروزه در اکثر سیستم های دیجیتالی بکار می روند در واقع با اعمال الکترون به نیمه هادی یا حذف آن باعث ایجاد یک جریان یا قطع آن می شود، حال اگر نوع جدید از سوییچ که در آن قطع و وصل از طریق تونل زنی الکترون انجام شود سوییچ...

بعد از محدود شدن ترانزیستورهای سیلیکونی، بعلت بازدهی کم و پتانسیل پایین، پیداکردن جایگزینی مناسب برای آنها، که علاوه بر بازدهی بالاتر، قابلیت مجتمع سازی و عدم نیاز به تجهیزات خنک کننده داشته باشد اهمیّت فوق العاده ای پیدا کرد. لذا با در نظر گرفتن این شرایط، گالیوم نیترید به عنوان جایگزین آن معرفی گردید که یک نیمه رسانای ترکیبی iii-v و با گاف نواری مستقیم و نسبتاً بزرگ (با انرژی 3.5 الکترون ولت) م...

هدف اصلی در انجام این پایان نامه طراحی بلوک های اصلی یک گیرنده- فرستنده مخابراتی بی سیم با توان مصرفی بسیار پایین است. در طراحی مدار ها برای تحقق بخشیدن به خواسته توان مصرفی بسیار کم از نانو ترانزیستور ها استفاده خواهیم کرد. کار اصلی انجام شده در این پایان نامه ترکیب ترانزیستورهای تک الکترونی (set) با mosfet ها در طراحی یک مدار سازنده ی فرکانسی است که یکی از بلوک های اصلی گیرنده- فرستنده های مخ...

چکیده ندارد.

ترانزیستور لیزری (tl) یک ترانزیستور دو قطبی پیوند نامتجانس است که یک چاه کوانتومی در بیس آن تعبیه شده است که باعث گسیل نور در یک طول موج وسیع می شود. شدت نور خروجی با استفاده از چاه کوانتومی در بیس tl افزایش می یابد. ترانزیستور لیزری که به عنوان یک ترانزیستور و یک لیزر به طور همزمان عمل می کند امپدانس خروجی زیاد با بهره جریان در محل پیوند بیس-کلکتور و گسیل لیزر حاصل از بازترکیب الکترون-حفره در ...

در این پایاننامه، یک سنسور برای تشخیص گازهای شیمیایی و قابل احتراق nh3 مبتنی بر اکسید گرافن کاهیده (rgo) با ساختار ترانزیستور (mosfet) مدلسازی شده است، اکسید گرافن کاهیده نوید یک حسگر مواد مناسب را میدهد و بر همین اساس خواص مکانیکی، حرارتی و الکتریکی خوبی دارد. در گرافن حرکت الکترونها به شدت بالاست و به راحتی می توانند در دمای اتاق انتقالات را انجام دهند. ساختار دوبعدی هر اتم کربن بروی سطح باعث...

در این مقاله ساختاری نوین برای  طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...