اگرچه در دو دهه اخیر مفاهیم تخلیه های حایل دی الکتریک (dbds) به خوبی در کاربردهایی نظیر تولید ازون، کنترل آلودگی هوا، صفحات نمایش پلاسما و کنترل فرایندهای شیمیایی، زیستی و پزشکی توسعه داده شده، اما استفاده از آن در فن فشار قوی الکتریکی برای بهبود عملکرد عایقی سیستم (به عنوان جایگزین سیستمهای با عایقی گاز پرفشار 6sf) هنوز کاربردی نشده است. در این روش با ترکیب عایق جامد (به عنوان پوشش دی الکتریک ...

شبکه‌ای نمودن پلی اتیلن با دانسیته بالا و نانوکامپوزیت پلی اتیلن – خاک رس ابتدا توسط اشعه الکترونی با انرژی بالا (EB) انجام شد و سپس هر دو نوع نمونه توسط دی کیومیل پراکسید (DCP) شبکه­ای گردیدند و با آنالیزهای متعدد تاثیر نوع شبکه‌ای نمودن پلیمر و ارتباط آن با خواص الکتریکی مورد بررسی قرار گرفت. به این منظور میزان محتوای ژل نمونه‌ها توسط استخراج با حلال تعیین گردید و آزمایش میزان شبکه‌ای شدن نمو...

اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...

تخلخل هایی با قطر نانومتری با روش الکتروشیمیایی و با استفاده از محلول الکترولیت اتانول و اسید بر روی پایه های سیلیکان نوع ایجاد گردید. با استفاده از اندازه گیری درصد تخلخل و نیز محاسبه ظرفیت دی الکتریک، رابطه بین این دو پارامتر در نانو ساختارهای سیلیکان متخلخل بررسی گردید. در این مطالعه مشخص شد که افزایش زمان خوردگی موجب افزایش درصد تخلخل شده که کاهش ظرفیت دی الکتریک سیلیکان متخلخل را سبب می شو...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

حلالهای آروماتیک حاوی نمکهای ان بوتیل آمین دارای پایداری ترموشیمیایی کافی،پتانسیل پلاریزاسیون گسترده،نقطه جوش بالا و ضریب دی الکتریک قابل قبول برای پوشش دادن الکترولیتی یونهای فلزی فعال هستند. در این مقاله سینتیک جوانه زنی و رشد رسوب لایه نازک فلزی از کمپلکس ان بوتیل آمین حاوی فلز مس در محلول پایه نفتالین به شیوه ولتامتری چرخه ای ، کرنوآمپرمتری و بیناب نگاری امپدانس الکتروشیمیایی بررسی شده است....

در این پایان نامه، با استفاده از مدل نوسانگر وابسته؛ تابع دی الکتریک نیمه هادیهای گروه iii-iv مطالعه و بررسی شده است و با بهره گیری از این مدل طیف انعکاسی نظری نیمه هادی-های گروه فوق رسم و اثر پارامترهای اپتیکی مختلف در این مدل بررسی گردیده است. جهت بررسی کارایی این مدل، طیف فروسرخ دور تجربی نمونه هایی از نیمه هادی های گروه iii-iv (از قبیل gaas، gap و gasb) با طیف نظری برازش شده سپس پارامترهای ...

در این پژوهش تاثیر اندازه نانوذرات طلا، نقره و محیط دی الکتریک اطراف نانوذره، بر طول موج و شدت تشدید پلاسمون سطحی (SPR) با استفاده از نظریه‌ی مای و نرم افزار FDTD مورد بررسی قرار گرفته است. در طیف محاسباتی، قله جذبی در حدود 500 و 400 نانومتر به ترتیب برای نانو ذرات طلا و نقره ظاهر می‌شود. با افزایش اندازه نانوذرات طلا و نقره جابه‌جایی قرمز برای قله جذبی تشدید پلاسمون سطحی مشاهده می‌شود. هم‌ چنی...

در این پایان نامه، برای توصیف اثر محیط دی الکتریک بر حالت های کوانتومی فرودی بر آن، ابتدا کوانتش امواج الکترومغناطیسی را در محیط های دی الکتریک پاشنده و جاذب بررسی می کنیم. به طور کلی کوانتش امواج الکترومغناطیسی را می توان به دو رهیافت لاگرانژی و پدیده شناختی دسته بندی کرد. در این جا با بهره گیری از کوانتش امواج الکترومغناطیسی به روش لاگرانژی، اثرات محیط تیغه ی د ی الکتریک پاشنده و جاذب را روی ...