زمینه و هدف: فاکتور رشد شبه انسولینی به طور طبیعی در سیستم عصبی مرکزی (cns) موجود است و نقش مهمی در تکثیر و تمایز سلولی در طی رشد و بلوغ مغز دارد. این فاکتورها به همراه پروتئین های پیوند به آن ها و گیرنده هایشان در نواحی آسیب دیده ی مغز بیان می شوند که نقش سیستم igf ها را در آسیب مغزی نشان می دهد. شبیه سازی مولکولی یک روش محاسباتی مستقیم برای مطالعه ی تغییرات ساختمانی طیف وسیعی از مسایل فیزیکی ...

در مقاله حاضر، پارامترهای هندسی و فیزیکی موثر بر ارتعاشات آزاد و نیروی ضربه یک ورق ساندویچی سه لایه با الاستومر مگنتورئولوژیکال در لایه میانی تحت ضربه عرضی با سرعت پایین بررسی شده است. فرکانس طبیعی اول و ضریب استهلاک مودال متناظر برای چهار مود اول ارتعاشی برای ضخامت هسته، شدت میدان مغناطیسی و ضرایب منظری متفاوت بدست آمده است. سیال هوشمند مگنتورئولوژیکال (mr) در شدت میدان مغناطیسی مختلف، خواص مت...

در مقاله حاضر، سقوط قطره سیال فرو در سیال غیر مغناطیسی تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواخت در جریان دوفازی به صورت عددی مطالعه می شود. برای این منظور، از روش ترکیبی شبکه بولتزمن مدل شان- چن و روش حجم محدود استفاده شده است. معادله شبکه بولتزمن با استفاده از اضافه کردن ترم نیروی مغناطیسی جهت به روزرسانی میدان جریان حل می شود، در حالیکه معادله القاء مغناطیسی به روش حجم محدود برای محاسبه میدان مغناطیسی ...

"بر عنصر حامل جریان در میدان مغناطیسی نیرو وارد می شود." اصل فوق حاصل تجربیات آمپروبیو - ساوار می باشد که پایه و اساس ساخت بسیاری از سیستم های مغناطیسی از قبیل انواع ماشین های دوار شتاب دهنده ها، موتورهای لوله ای، قلب مصنوعی و دیگر سیستم های مشابه گردید از طرفی وجود نیروهای فوق گاهی باعث تخریب عناصر الکتریکی گردیده است با این توضیحات مطالعه نیروهای فوق هدف این پروژه می باشد. جهت مطالعه نیروها ا...

زمینه و هدف: فاکتور رشد شبه انسولینی به طور طبیعی در سیستم عصبی مرکزی (cns) موجود است و نقش مهمی در تکثیر و تمایز سلولی در طی رشد و بلوغ مغز دارد. این فاکتورها به همراه پروتئین های پیوند به آن ها و گیرنده هایشان در نواحی آسیب دیده ی مغز بیان می شوند که نقش سیستم igf ها را در آسیب مغزی نشان می دهد. شبیه سازی مولکولی یک روش محاسباتی مستقیم برای مطالعه ی تغییرات ساختمانی طیف وسیعی از مسایل فیزیکی...

در این مقاله، معادلة حاکم بر ارتعاش جانبی صفحة گرافنی تک­لایه تحت تأثیر میدان مغناطیسی دوبعدی درون‌صفحه‌ای، با احتساب نیرو و ممان خمشی ناشی از آن، برای شرایط تکیه‍گاهی مختلف برای نخستین‌بار توسط روش مربعات دیفرانسیلی بررسی شده است. برای تعیین معادلة حاکم بر ارتعاش صفحه از تئوری غیرمحلی با در نظر گرفتن نیروی مغناطیسی لورنتز بهره گرفته شده ‌است. پس از استخراج معادله دیفرانسیل حاکم، معادلة حاصل بی...

در این مقاله، پاسخ ارتعاشات آزاد و ضربه عرضی با سرعت پایین یک ورق ساندویچی با هسته انعطاف پذیر از جنس ماده هوشمند مغناطیسی مورد مطالعه قرار گرفته است. ورق ساندویچی مستطیلی از یک هسته با قابلیت تحریک مغناطیسی و دو لایه مقیدکننده تشکیل شده است. ماده مغناطیسی در شدتهای میدان مغناطیسی مختلف، خواص متفاوتی از خود نشان می دهد. معادلات حاکم بر حرکت به کمک اصل هامیلتون استخراج شده است. حل معادلات با است...

در این مقاله اثر تغییرات مستقل طول میدان های الکتریکی و مغناطیسی با لحاظ نواحی نفوذ جانبی بر توزیع دما و سرعت جریان در یک ریزپمپ دیناموهیدرومغناطیسی شبیه سازی شده است. هندسه جریان ام اچ دی یک مجرای دو بعدی بین دو صفجه موازی است و معادلات حاکم بر دو میدان جریان سیال و الکترومغناطیس به روش عددی حجم محدود حل شده است. نتایج عددی نشان داد که با لحاظ تابعیت دمایی خواص برای جریان در یک مجرا به مقطع مس...

به منظور بررسی میدان های الکترومغناطیسی روی صفات جوانه زنی، بذرهای خشک و مرطوب گیاه رازیانه به مدت 15، 30 و 60 دقیقه در معرض میدان های مغناطیسی با شدت های 0، 25، 50 و 75 میلی تسلا قرار گرفت. در بذرهای تیمار شدۀ رازیانه با میدان های مغناطیسی، سرعت جوانه زنی (gr)، شاخص جوانه زنی (gi)، ضریب سرعت جوانه زنی (grc)، طول دانه رست ها، وزن خشک و تر دانه رست ها تحت شرایط کشت آزمایشگاهی افزایش یافت. هم چنی...