نتایج جستجو برای: نیمرسانای آمورف

تعداد نتایج: 750  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1390

در فصل اول تئوری تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفت. در فصل دوم به مطالعه خواص نیمرسانائی و مغناطیسی پرداخته شد. در فصل سوم خواص ساختاری و مغناطیسی سه ساختار انبوهه zno مورد بررسی قرار گرفت. برای اینکار ابتدا ابریاخته مناسب تولید و سپس آلائیدن با درصدهای مختلف به عنوان ناخالصی مغناطیسی مورد بررسی قرار دادیم. سپس خواص الکترونی و مغناطیسی لایه نازک خالص و آلائیده شده با منگنز را برای هر سه ساختار ا...

ژورنال: :مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال) 0
مریم باباشاهی m. babashahi department of materials engineering, isfahan university of technologyدانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان محمد حسین عنایتی m.h.enayati department of materials engineering, isfahan university of technology.دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان مهدی صالحی m. salehi department of materials engineering, isfahan university of technologyدانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان احمد منشی a. monshi department of materials engineering, isfahan university of technologyدانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان

در این مقاله اثر آسیاب کاری بر روی تغییرات فازی سیلیسیوم و سیلیس بررسی شده است. پودر سیلیسیوم در محلول آمونیاک 25٪ آسیاب کاری شد. پودر آسیاب شده در دمای c‏ ْ 1200 به مدت 1 ساعت عملیات حرارتی شد. در آزمایشی دیگر پودر میکرو سیلیس آمورف، همراه با نیترید آلومینیوم آسیاب کاری شد و سپس در دمای c‏ ْ 1200 به مدت 2 ساعت عملیات حرارتی شد. پودرها با پراش پرتو ایکس(xrd) تحلیل فازی شد. میکروسکوپ الکترونی روبش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1380

در این پایان نامه پس از شرحی کوتاه در باره دلیل علاقه به پلی کریستال کردن نیمه هادی برای تولید افزاره های نیمه هادی، مخصوصا" ترانزیستور لایه نازک ، روشهای اصلی پلی کریستالی کردن سلیکان لایه نشانی شده در دمای قابل تحمل توسط شیشه عادی معرفی شده و سرانجام روش جدید بلوری کردن سلیکان با کمک ژرمانیوم و در حضور میدان الکتریکی و در دمای کمتر از 550درجه سانتیگراد ارائه شده است . سپس برای شناسایی کیفیت ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه 1390

در این پایان نامه تغییر طول موج لیزر نیمرسانای فابری- پرو در اثر تغییر جریان الکتریکی تزریقی شبیه سازی شده است. مدل مورد بررسی یک لیزر نیمرسانای 5 لایه از ماده ی ingaasp/inp است

ژورنال: مواد نوین 2019

در سال‌های اخیر، آلیاژهای آمورف پایه آهن‌ به دلیل خواص مغناطیسی عالی درکنار هزینه نسبتاً پایین گسترش زیادی یافته‌اند. در این تحقیق، تاثیر افزودن عامل‌کنترل‌کننده (PCA) بر میکروساختار و خواص مغناطیسی آلیاژ آمورف پایه آهن Fe75Ta5Si10C10 تولید شده به‌ روش آلیاژسازی مکانیکی بررسی شد. نتایج حاصل از پراش پرتو ایکس نشان داد که تنها با افزودن 2% عامل کنترل کننده به آلیاژ فوق فاز آمورف تشکیل می شود، درحا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1392

در ایـن پژوهـش به منظور بررسی رفتـار تغیـیـر شکـل سوپرپلاستیـک آلیـاژ آمـورف تـوده ای ?zr?_55 cu_30 al_10 ni_5 از آزمون فشار در دمای بالا استفاده شد. به منظور مطالعه ی اثرات دما بر روی آلیاژ آمورف توده ای فوق، نمونه ها در نرخ کرنش ثابت ?10?^(-4) s^(-1) در دماهای 392، 412 و432 درجه ی سانتیگراد و در نزدیکی دمای شیشه ای شدن مورد مطالعه قرار گرفتند. سپـس به منظور مطالعه ی اثرات نرخ کرنش، نمونه ها د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده فیزیک 1392

در این پایان نامه، هدف ساخت سنسور گاز الکلی با استفاده از نیمرسانای اکسید روی به عنوان ماده ای ارزان و دسترس پذیر میباشد. که به منظور بهینه کردن خاصیت سنسوری در آن، از نانولوله های کربنی نیز بهره برده شده است. سنسورهای ساخته شده در معرض گازهای الکلی همانند متانول، اتانول و پروپانول قرار گرفتند تا میزان حساسیت سنسور نسبت به آنها بررسی گردد.

ژورنال: علوم و فناوری رنگ 2008

در تحقیق حاضر علاوه بر نانوکریستوبالیت، سیلیس آمورف اصلاح شده، سیلیس آمورف نانوذره و یک نمونه سیلیس میکرونیزه (کوارتز) به عنوان پرکننده مورد آزمایش قرارگرفت. دانه‌بندی همه پرکننده‌ها به غیر از کوارتز کمتر از 100 نانومتر انتخاب شد. برای تهیه کریستوبالیت، سیلیس آمورف در دماهای مختلف حرارت داده شد. برای شناسایی فاز کریستوبالیت از XRD استفاده گردید. نتیجه آنالیز فازی سیلیس آمورف در C˚ 1470 بیانگر ح...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده مهندسی 1390

در سلول های خورشیدی آمورف لایه نازک با ساختار p-i-n یک لایه ذاتی ضخیم می تواند نور بیشتری برای تولید الکترون و حفره جذب کند. با این حال یک لایه ضخیم ذاتی میدان الکتریکی رانشی را برای انتقال حامل ها تضعیف می کند. از سوی دیگر یک لایه نازک نمی تواند نور کافی جذب کند. ضخامت لایه ذاتی یک پارامتر کلیدی است که می تواند عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک را محدود کند. تزریق اتم های ge به شبکه si در سلول...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید