نتایج جستجو برای: implantat ion
تعداد نتایج: 205659 فیلتر نتایج به سال:
determination of uranium in natural water and complex solutions using ion exchange chromatography: a combined procedure using ion exchange chromatography and uv-vis spectrophotometry techniques has been developed to measure uranum in natural water and complex solutions. after conditicing , one hundred milli liters of sample solutions have been passed through an ion exchange column,pachked with ...
Zusammenfassung. Entscheidend für ein gutes Einwachsverhalten von Hüftendoprothesen ist die Berücksichtigung der Biomechanik des Hüftgelenkes. Die möglichst geringe Änderung der phyiologischen Krafteinleitung wirkt sich positiv auf eine dauerhafte Verankerung der Prothese im Knochen aus. Basierend auf den individuellen CT-Aufnahmen, CAD-Daten der Prothese und den Planungsdaten können mit der vo...
Die Cochlea Implantation ist ein gut standardisierter Eingriff; Variabilität besteht jedoch hinsichtlich der Lage des Implantatgehäuses und somit der Position der Prozessorspule an der Kopfhaut. Eine zu kraniale Spulenposition kann beim Tragen von Kopfbedeckungen hinderlich sein und die Akzeptanz des Implantates beeinträchtigen; eine Position zu nahe an der Ohrmuschel zu einem Konflikt von Spul...
MATERIAL AND METHODS: A MEDLINE (PubMed) database search from 1966 to April 2008 was conducted. The search strategy was a combination of MeSH terms and the key words: design, dental implant(s), risk, prosthodontics, fixed prosthodontics, fixed partial denture(s), fixed dental prosthesis (FDP), fixed reconstruction(s), oral rehabilitation, bridge(s), removable partial denture(s), overdenture(s)....
Medizinische Navigationssysteme stellen ein routinemäßig eingesetztes, intraoperatives Assistenzsystem dar. Moderne und insbesondere minimal invasive Operationstechniken stellen jedoch Anforderungen an die Genauigkeit der Lokalisation von Patient und Instrument, die von stereo-optischen oder elektro-magnetischen Navigationssystemen nicht mehr gewährleistet werden können. Durch die Integration e...
چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید