هدف: هدف از این مطالعه ارزیابی شاخص‌های آلتمتریک دانشگاه‌های علوم پزشکی ایران در دو شبکه اجتماعی ریسرچ‌گیت و آکادمیا و بررسی رابطة آنها با شاخص‌های علم‌سنجی پایگاه اسکوپوس از قبیل میزان استناد، اچ ایندکس و تعداد انتشارات است. روش‌شناسی: پژوهش حاضر از نوع کاربردی و با روش علم‌سنجی انجام شده است، داده‌های پژوهش به کمک نرم‌افزار اکسل 2013 گردآوری و با نرم‌افزار SPSS ویرایش23 آزمون‌های آماری اسپیرم...

در این پروژه هدف طراحی و شبیه سازی مداری جهت اندازه گیری بار ذخیره شده در گیت شناور یک ماسفت گیت شناور است. ماسفت گیت شناور ساختاری شبیه به ماسفت معمولی دارد با این تفاوت که بین گیت کنترلی و زیرلایه آن یک گیت شناور پلی سیلیسیمی وجود دارد که توسط عایق دی اکسید سیلیسیم احاطه شده است.می توان بار را با کمک خاصیت تونل زنی دراین گیت شناور برای مدت طولانی ذخیره نمود. برای اندازه گیری این بار ابتدا ساخ...

با کوچک کردن تکنولوژی بمنظور افزایش تراکم ترانزیستورها در یک تراشه و افزایش کارایی این قطعه آثار ناخواسته ای به نام آثار کانال کوتاه (مانند کاهش سد ناشی از درین، roll off ولتاژ آستانه و... ) ظاهر می شوند که کارایی افزاره را کاهش می دهند. برای کاهش این آثار کانال کوتاه ساختارهای مختلفی از جمله ماسفت soi utb ، ساختارهای عمودی، ترانزیستور مهندسی باند و ساختارهای دوگیتی و غیره توسط محققان پیشنهاد ش...

مقدمه عبارت "کمردرد" بیانگر درد و یا هر گونه ناراحتی است که می تواند در ناحیه ای بین دنده دوازدهم تا زیر چین گلوتئال وجود داشته باشد. این درد ممکن است همراه با درد اندام تحتانی و یا بدون آن باشد . کمردرد در اکثر موارد، غیر اختصاصی می باشد ولی در10 درصد موارد نیز کمر درد اختصاصی دیده می شود. علل کمردرد اختصاصی شامل برخی تغییرات تخریبی، التهابی، عفونی، دردهایی با منشأ روانی، ضربه و اختلالات مادر...

طبق قانون moore در سال 2020 اندازه ترانزیستور های روی یک تراشه سیلیکونی به اندازه یک اتم خواهد رسید. چالشی که مطرح خواهد بود این است که در آن زمان به جای قوانین مکانیک کلاسیک، قوانین مکانیک کوانتومی بر رفتار اتم ها حاکم است. بنابراین دانشمندان در سال 1892 پیشنهاد کردند که باید محاسبات را از دنیای کلاسیک کنونی وارد دنیای جدید کوانتومی کرد. محاسبات کوانتومی که دارای قدرت نظری بالایی هستند روی قطع...

چکیده به خوبی می دانیم که کاهش طول گیت، یک وسیله ی قوی جهت افزایش هدایت انتقالی و فرکانس عبور ترانزیستور های اثر میدانی فلز نیمه هادی (mesfet) می باشد. البته با کاهش طول گیت بدون کاهش چگالی ناخالصی و ضخامت کانال، عملکرد قطعه بوسیله اثرات کانال کوتاه و عوامل پارازیتی کاهش می یابد. از مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور mesfet می توان به کاهش سد کانال بوسیله ولتاژ درین(dibl) ، شیفت منفی در و...

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

در این پایان نامه، ساختارهایی برای طراحی و پیاده سازی گیت های منطقی تمام نوری بر مبنای بلورهای فوتونی ارائه شده است. ساختار بلور فوتونی، از شبکه ی مربعی دوبعدی از میله های دی الکتریک در بستر هوا، تشکیل شده است. میله ها از دو ماده ی ایندیم فسفاید (inp) و ترکیب خاصی از شیشه های کالکوجناید (chalcogenide glasses) تشکیل شده است. این دو ماده، ضریب شکست یکسانی دارند، اما ضرایب اثر غیرخطی آن ها متفاوت ...

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...