نتایج جستجو برای: ترانزیستور اثر میدان نانولامپ کربنی

تعداد نتایج: 160263  

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده فنی 1390

در این پژوهش سعی شده است تا کارایی افزاره ترانزیستور اثر میدانی (fet ) در تماس با بیومارکرهای سرطانی و تشخیص آنها مورد بررسی قرار گیرد. لذا با مدل سازی کانال نانولوله کربنی در نرم افزار virtual nanolab ضمن بررسی تأثیر آنتی ژن ها و آنتی بادی انواع سرطان ها بر ویژگی های ساختار شیمیایی والکترونیکی کانال، تغییرات مقادیر خازنی کانال و پارامترهای کنترل گیت و درین را بدست می آوریم. سپس با استفاده از ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

جریان خاموشی بالا و کم بودن نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن، یکی از معایب و مشکلات مجتمع سازی این نوع افزاره ها است. در نتیجه بر آن شدیم تا ساختار هایی را معرفی کنیم که این مشکلات را به حداقل برسانیم. در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن و همچنین مهندسی اتصالات سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کاهش جریان ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده مهندسی مکانیک 1392

در این تحقیق، ارتعاشات و ناپایداری یک سیستم از نانولوله ی کربنی متصل به باکی بال که تحت میدان مغناطیسی قرارگرفته اند، بررسی شده است. مدل تیر اویلر برنولی و تیموشنکو برای شبیه سازی نانولوله ها در نظر گرفته شده است. این سیستم در یک محیط پاسترناک واقع شده است. اثر میدان مغناطیسی بر روی نانولوله ی کربنی، بر اساس معادلات ماکسول، به صورت یک نیروی دو محوره، تحت عنوان نیروی لورنز می باشد. بنابراین میدا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق 1392

چکیده این رساله ضمن ارزیابی مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان با کانال از جنس نانولوله کربنی، دو ساختار نوین برای بهبود این افزاره ها و یک ساختار نوین برای افزاره های اثر میدان نانونوار گرافینی پیشنهاد کرده است. اولین ساختار نوین تحت عنوان ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با توزیع ناخالصی خطی در ناحیه کانال(ldc-cntfet) می باشد که نسبت به ساختارهای پایه و تک هاله دارای نوسانات زیرآستانه کمتر و ...

Journal: : 2022

بناهایفرم مفهومی پویا و لغزان است که از هریک گفتمان‌های مختلف معماری تلقی متفاوتی آن به‌دست آمده است. در این مقاله با هدف بازاندیشی مفهومِ فرم گفتمان معاصر، به تبیین زیربنای نظری اقتضائات قابلیت پرداخته شده بدین منظور نخست برخی نیروهای بنیادین مؤثر بر تحول مفهوم دوران معاصر شناسایی شده‌اند؛ سپس به‌مثابة تلقی‌ای پاسخ‌گویی ذکرشده را ممکن می‌کند، معرفی گردیده است؛ ادامه حضور طریق بسط نوشتار مسیر مع...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم پایه 1392

امروزه نانولوله های کربنی از لحاظ علمی به عنوان سنگ بنای نانوالکترونیک علاقه بسیاری از دانشمندان را در سراسر جهان به خود جلب کرده اند. از سوی دیگر درمقایسه با سایر مواد نانو ابعاد کوچک و خواص فیزیکی قابل توجه آنها، این ساختارهارا تبدیل به مواد منحصر به فرد با طیف وسیعی ازکاربردها کرده است. در این تحقیق تولید نانولوله ی کربنی را به روش تخلیه قوس الکتریکی با جریان متناوب وبا استفاده از یک ژنرات...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده مهندسی 1393

در طی سال های اخیر استفاده روزافزون از فناوری نانو ساختارها لزوم محاسبه خواص مکانیکی و شناسایی رفتار مکانیکی این سازه هارا نمایان کرده است. کاربردهای متنوع نانو لوله های کربنی هم چون وسایل نانو الکترومکانیکی با توجه به خواص ویژه این مواد از جمله مدول یانگ بالا و استحکام کششی خوب باعث شده است که تحقیقات مهمی در مدل سازی نانو لوله ها به عمل آید. از آن جا که کمانش موضوع مهمی در چند سال اخیر روی نا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1393

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده فیزیک 1382

حضور ناخالصی های مغناطیسی در فلزات موجب تغییر خواص الکتریکی آن ها می گردد. ما با استفاده از یک مدل ساده به بررسی اثرات پراکندگی ناشی از حضور ناخالصی های مغناطیسی بر رسانش نانولوله های تک دیواره کربنی می پردازیم. این مدل ساده عبارت است از استوانه ای فلزی که تعداد کمی ناخالصی مغناطیسی بر روی سطح آن قرار گرفته اند. بخش غیر خطی رسانش (اثر کاندو) را که حاصل برهم کنش الکترون های رسانش با ناخالصی هاست...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بناب - پژوهشکده برق 1393

پیشرفت در سنسور های گاز،با توسعه ادواتی مانند نانولوله کربنی،نانووایر،فلزات اکسیدوغیره انجام می گیرد از آنجایی که نانولوله های کربنی برای سنسورهای گاز تشخیص آلاینده هوا بسیار مهم هستند به طور گسترده مورد مطالعه قرار گرفته اند.نانولوله های کربنی به دو دسته نانولوله های تک دیواره و چند دیواره تقسیم می گردند که نانولوله های تک دیواره به دلیل دارای خواص الکتریکی جالب مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید