در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

دراین مقاله نتایج چینه شناسی حاصل از مطالعه براکیوپودها و کونودونتهای بخش زیرین تشکیلات خوش ییلاق گردیده است. براساس براکیوپودهائی که ازلایه های زیرین این تشکیلات جمع آوری وتعیین شده باید این لایه ها را که تا بحال بعنوان دونیین میانی منظور شده بود دونیین پائین و در حقیقت وامسیین emsian بالائی دانست.پنج گونه از این براکیوپودها تا بحال فقط در رسوبات امسیین بالائی آلمان یافت شده و برای اولین مرتب...

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

در این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی 3-5ghz با استفاده از تکنولوژی 0.18µm-tsmc rf cmos پرداخته شده است .هسته ی اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکد است که طبقه ی ورودی آن شامل فیدبک مقاومتی می باشد. چنین ساختاری دارای تطبیق ورودی و گین مناسبی می باشد، امّا عدد نویز و تلف توان بالایی دارد، برای بهبود عدد نویز از تکنیک کاهش نویز استفاده شده است...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

چکیده: در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمه­هادی در تکنولوژی SOIمعرفی می­شود که مشخصات  DCو فرکانسی بهتری نسبت به ساختارهای متداول دارد. ایده اصلی مقاله بر مبنی تغییر چگالی حامل­ها توسط یک تکه اکسید اضافی چسبیده به لایه­ مدفون اکسید در سمت درین است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبیه­­ساز دوبعدی بررسی می­شود. در ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست از V13 در ساختار  متداول به V19 در ساخ...

دراین مقاله نتایج چینه شناسی حاصل از مطالعه براکیوپودها و کونودونتهای بخش زیرین تشکیلات خوش ییلاق گردیده است. براساس براکیوپودهائی که ازلایه های زیرین این تشکیلات جمع آوری وتعیین شده باید این لایه ها را که تا بحال بعنوان دونیین میانی منظور شده بود دونیین پائین و در حقیقت وامسیین Emsian بالائی دانست.پنج گونه از این براکیوپودها تا بحال فقط در رسوبات امسیین بالائی آلمان یافت شده و برای اولین مرتب...

سیستان در طی تاریخ و به تناوب با نام های گوناگونی چونسکستان، سیستان، نیمروز و نامهای دیگری خوانده شده و جدا از نقشی که در تدوین تاریخ مذهبی ایران پیش از اسلام داشته در دوران اسلامی نیز از اهمیت بسیاری برخوردار بوده است. در مورد جغرافیای کنونی سیستان ابهام چندانی وجود ندارد ، اما دانسته های جغرافیایی در مورد ادوار گذشته ی سیستان، باتوجه به تغییرات پی در پی چهره ی زمین درین منطقه به هیچوجه کافی ن...

قرآن، کتاب آسمانی مسلمانان، پیوسته سرمشق صالحان و نیکان بوده است. بدیهی است این چنین مجموعۀ گرانقدر، پرمایه و سرشار از قصص، نکت و معانی حکمی و تعلیمی و نیز پر از عبارات فصیح و بلیغ، در لحاظ اندیشگانی، کاربرد در سخن و حتی رفتاری، الگو و تأثیرگذار خواهد بود. درین میان، نویسندگان و شاعران نیز با الهام و تأثر از مصحف شریف به انحاء گونه گون سخن و بیان خود را لطافت بخشیده اند و به بیانشان رنگ تقدّس دا...