چکیده ندارد.

در این مقاله  ساختار سطحی سیلیکان متخلخل ضمن حکاکی ناهمگن مورد مطالعه قرار می گیرد. داده ها و تصاویر دو بعدی و سه بعدی حاصل از میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی  FESEM و میکروسکوپ نیروی اتمی AFM مورد تحلیل آماری و محاسباتی قرار می گیرند. تصاویر FESEM بیانگر ایجاد ساختارهای هرم گونه ضمن فرایند حکاکی است. محاسبات مبتنی بر تعیین زبری و تابع همبستگی نشان می دهند که سطح موثر و ابعاد هرم ها ضمن حک...

چکیده ندارد.

Porous silicon (PS) samples are obtained by electrochemical anodization of Si wafers in HF+DMF solution. The hydrogen complex components are formed on the inner surface walls of porous silicon. In this work the depth profile of porous silicon is estimated by measurement of hydrogen content in the depth of the sample. Since the well-known ion beam analysis simulation programs are inappropriate f...

Reflection spectra of four porous silicon samples under etching times of 2, 6, 10, and 14 min with current density of 10 mA/cm2 were measured. Reflection spectra behaviors for all samples were the same, but their intensities were different and decreased by increasing the etching time. The similar behavior of reflection spectra could be attributed to the electrolyte solution concentration which ...

نانو ذرات  Siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-Si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...

در این پژوهش نانوذرات هسته-پوسته اکسید آهن-سیلیکان (fe3o4/sio2) با روش دومرحله ای ساخته شدند. ابتدا نانوذرات fe3o4 با روش هم رسوبی یون های آهن (fe+2 و fe+3) در محیط قلیایی و بدون استفاده از سورفکتانت ساخته شد  و سپس پوسته سیلیکان با روشی غیر حرارتی و بدون استفاده از اتصال دهنده ها روی نانوذرات fe3o4 نشانده شد. سهولت این روش قابل توجه است. بررسی الگوهای پراش اشعه ایکس پودرهای حاصل نشان می دهد که...

محاسبه ساختار الکترونیکی مواد مختلف و توابع طیفی مختلف این مواد برای اندازه های بزرگتر موضوع مطالعات گسترده بوده است. در این پژوهش روش چند جمله ای مغزی (kernel polynomial method) که به اختصار kpm می نامیم را برای بررسی حالت های الکترونی تهی جاهای با ابعاد مختلف در شبکه ی سیلیکان به کار می بریم. مزیت این روش در آن است که بدون آنکه نیاز به قطری کردن ماتریسی باشد، با روش های کاتوره ای چگالی حالات ...

در این پایان نامه نانو ساختارهای سطحیtio2 بر روی زیر لایه سیلیکان با سطوح متفاوت: صیقلی، متخلخل و روکش شده با لایه نازک طلا با استفاده از دو روش تبخیر در خلا و همچنین تبخیر در کوره حرارتی رشد داده شده است. و عوامل موثر بر رشد این نانو ساختارها از جمله دمای پخت نیز مورد بررسی و تحلیل قرار گرفته است برای بررسی خواص ساختاری و همچنین مورفولوژی سطح نانو ساختارهای تولید شده از پراش اشعه x و همچنین از...

نانو ذرات  siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...