در این کار اثر دمای زیرلایه، فلوی گاز اکسیژن و زاویه زیرلایه بر خواص اپتوالکتریکی، ساختاری و ریخت شناسی سطحی اکسید قلع خالص به منظور دست یابی به یک اکسید رسانای شفاف نانوساختار برای کاربردهای سلول خورشیدی بررسی شد. بهترین نتایج در دمای زیرلایه ?c 500 با فلوی اکسیژن sccm 200-100 و در فاصله cm 5 از پیش ماده بدست آمد. در گام بعدی تلاش کردیم تا اکسید قلع آلائیده با نیتروژن با رسانندگی نوع p بدست آ...

لایه ی میانی بین گیت دی الکتریک اکسیدی و سیلیکون بسیار مهم است زیرا عملکرد ترانزیستورها و قابلیت اعتبار افزاره ها به وسیله ی گیت و گیت دی الکتریک اکسیدی ترانزیستور تعیین و کنترل می شود. علاوه بر این وقتی که اکسید برای سازگاری با سرعت های بالاتر در مدارهای مجتمع نازک و نازک تر می شود نقش لایه ی میانی مهم تر می شود. در این پایان نامه سعی کردیم ساختار فصل مشترک si(111)/sio2 را به وسیله ی تکنیک xps...

چکیده ندارد.

نانوتکنولوژی در بر گیرنده طراحی و بررسی مواد و دستگاه ها در مقیاسهای اتمی و مولکولی است. پیشرفت های بسیاری در این در این حوزه صورت گرفته که مرزهای بین علوم مختلف از جمله شیمی، فیزیک، علم مواد و زیست شناسی را از بین برده و محققان زیادی برای یافتن خواص جدید و گاهی دور از انتظار مواد تلاش می کنند. در این بین ساخت لایه های نازک و به طور خاص لایه های نازک دی اکسید تیتانیم به جهت دارا بودن خواص بسیار...

نانوذرات اکسیدروی دارای خاصیت فوتوکاتالیستی بوده و توانایی تخریب پلیمرها و مواد آلی را دارند. در این پایان نامه فیلم های نازک نانوکامپوزیت پلی استایرن- اکسیدروی به روش لایه نشانی چرخشی تهیه شدند. لایه های نازک پلی استایرن- اکسیدروی تهیه شده در معرض تابش نور لامپ فرابنفش قرار گرفتند. تأثیر پرتودهی بر روی ویژگی های اپتیکی و تخریب نمونه ها بررسی شد. پرتودهی می تواند مواد آلی را از سطح نمونه ها تخر...

روش لایه­نشانی الکتروشیمیایی یا الکتروانباشت یکی از ساده­ترین و مفیدترین روش­ها در تهیه­ی فیلم­های نازک آلیاژی و به خصوص چندلایه ای های فلزی می­باشد. در این کار، از الکترولیتی شامل نمک­های سولفات نیکل، آهن و مس در شرایط متفاوتی از دما و ph استفاده شد و ابرشبکه های nife/cu به روش الکتروانباشت بر زیرلایه­های cu، ti و au لایه نشانی شدند. برای بررسی ساختار و پارامترهای شبکه ی بلوری فیلم­های نازک چن...

اکسید قلع، نیمه رسانای نوع-n با گاف نواری پهن می باشد. این مواد در شکل فیلم نازک دارای مقاومت الکتریکی پایین ، تراگسیلندگی بالا در ناحیه مرئی و بازتابندگی مناسب در ناحیه فروسرخ می باشد . همچنین به علت پایداری خوب در تکنولوژی الکترونیک نوری نظیر پوشش های بازتابنده ، فیلتر های uv و ir ، لایه های حرارتی ، الکترودهای شفاف در سلول های خورشیدی ، نمایشگر های صفحه تخت و نیز به عنوان سنسور های گازی مورد...

دراین تحقیق فیلم های لایه نازک نانوساختار و نانوپودرهای نیوبیم پنتوکسید(nb2o5) و نیوبیم پنتوکسید دوپ شده با گوگرد (s-nb2o5) بر روی بسترهای مختلف از جمله شیشه، شیشه رسانای قلع اکسید دوپ شده با ایندیم (ito) و صفحه کربن (cp) با روش سل-ژل و لایه نشانی غوطه وری تهیه شده اند. برای مقایسه اثر حضور نیوبیم و گوگرد در ساختار تیتانیم دی اکسید (tio2) فیلم های لایه نازک نانوساختار و نانوپودرهای تیتانیم دی ا...

لایه های نازک سولفید روی به علت کاربردهایشان در وسایل اپتوالکترونیک مانند دیودها، نمایشگرهای صفحه تخت و پوشش های ضد بازتاب در فناوری های سلول های خورشیدی، بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. از میان انواع روش های لایه نشانی سولفید روی، اسپری گرمایی به دلیل هزینه کم، سادگی، توانایی کنترل شدت لایه نشانی و تهیه لایه های یکنواخت و قابلیت لایه نشانی بر روی سطوح بزرگ، روشی کارآمد می باشد. در این تحقیق،...

با استفاده از تکنیک پرتو الکترونی در دمای اتاق 5 نمونه فیلم co/cu روی زیر لایه سیلیکون (si(lll)) در ضخامت های متفاوت رشد داده، و با تکنیک پراش سنجی اشعه x مشخصه یابی ساختاری آنها مورد بررسی قرار گرفت. با کمک فرمول شرر ضخامت مربوط به کریستال sio2 به اندازه 93nm بدست آمد این مقدار در محاسبات ضخامت کل همه نمونه ها در نظر گرفته شد. از تکنیک بازتاب سنجی اشعه x میزان رشد لایه ای و یا جزیره ای نمونه ه...