در این پژوهش اثر حساس سازی لایه های نانوساختار 2 tio با استفاده از رنگ دانه های سیانیدن موجود در توت سیاه به روش سل ـ ژل بررسی شده است. برای این منظور ابتدا لایه های نانوساختار 2tio برروی زیرلایه شیشه به روش لایه نشانی غوطه وری سل ـ ژل تهیه شـــده و سپس بــا استفاده از رنگ دانه های سیانیدین موجود در توت سیاه حساس سازی شدند. ساختار بلوری و فازی این لایه ها و ریخت شناسی سطحی آن ها، با استفاده از ...

در این پروژه طراحی، ساخت و اندازه گیری بر روی برخی از احساسگرهای مینیاتوری که در فن آوری لایه های نازک و میکروالکترونیک قابل ساخت می باشند صورت گرفته است. تمامی مراحل ساخت که شامل طراحی اولیه، ساخت نقاب روی شیشه، لایه نشانی موادی چون (s03n4, sio2, ge, cu, al, ni,cr) زدایش و الگودهی این لایه ها و ایجاد اتصالات می باشد باموفقیت انجام شده است. از جمله احساسگرهای ترموکوپلی ساخته شده در این پروژه...

چکیده ندارد.

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

همانطور که می دانید فلوئورین تین اکساید (fto) یک نیمه رسانا نوع n است.این نیم رسانا برتریهایی نسبت به ماده ی دیگر مورد استفاده در سلولهای خورشیدی در سالهای اخیر یعنیito دارد، ازجمله ی این برتری ها می توان به مقاومت بیشتردر برابر خوردگی ودرصد عبور نور مرئی بیشتر، مقاومت الکتریکی پایین تر و میزان جذب آب کمتر اشاره کرد. به همین دلایل کاربرد fto در سلول خورشیدی مناسب تر از ito به نظر می رسد. به همی...

امروزه مواد نیمرسانای مغناطیسی رقیق بعلت قابلیت کاربرد گسترده آنها در صنعت اسپینترونیک مورد توجه محققین قرار گرفته است و مطالعات تجربی و تئوری زیادی روی این مواد در حال انجام می باشد. در اسپینـترونیک علاوه بر خـواص بار الکـتریکی از خاصیـت اسپیـنی حاملها نیز استفاده می گردد. به دلیل توجه به این ویژگیها، آلایش گروهی از مواد نیمرساناها نظیر ترکیبات گروه iii-iv و ii-vi با اتمهای مغناطیسی مورد توجه ...

هدف اصلی در این پایان نامه، تحلیل پاسخ نوری ابرشبکه ی متشکل از لایه های نارسانا و نیم رسانا در نزدیکی بسامد گذار نیم رسانا است. در این ناحیه از طیف، پاسخ نوری نیم رسانا به علت تشکیل زوج مقید الکترون- حفره (اکسایتون) غیر موضعی است که عرصه ی قابل توجهی در نورشناخت جامدات می باشد[8]. پاسخ نوری غیرموضعی عامل پاشندگی فضایی برانگیختگی های نیم رسانا است و از این جهت مدهای اکسایتون- پلاریتون (سطحی و حج...

در این پژوهش لایه های نازک رسانا و شفاف fto را به روش اسپری بر روی زیرلایه های شیشه لایه نشانی کرده ایم. تاثیر حجم محلول (ضخامت لایه ها) و نسبت آلایش f را بر خواص الکتریکی و اپتیکی لایه ها مورد بررسی قرار گرفت. مورفولوژی نانوساختارها و نحوه رشد آنها را توسط تصاویر sem مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. طیف عبور اپتیکی توسط دستگاه طیف سنج optics ocean و مقاومت سطحی لایه ها بر حسب حجم محلول (ضخامت لای...

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

در این پژوهش نانو پودر bi2te2.7se0.3 و نانوپودرهایbi2te2.7se0.3، bi2te2.1se0.9 و bi2te1.5se1.5 به ترتیب به روشهای شیمی تر و هیدروترمال سنتز شدند. لایه نازک آن ها با استفاده از روش تبخیر حرارتی در خلا به ضخامت 100 نانومتر لایه نشانی شد. مورفولوژی پودرها و لایه های نازک با استفاده از پراش پرتوایکس (xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی(sem) بررسی شده است. برای پودرها و لایه های نازک ساختار هگزاگونال و ...