نتایج جستجو برای: نانوالکترونیک

تعداد نتایج: 73  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم 1386

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه 1387

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه 1387

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه قم - دانشکده علوم پایه 1394

با توجه به کاربرد وسیع نیمه هادی ها در صنعت و تکنولوژی، از جمله ساخت قطعات الکترونیکی (دایود، ترانزیستور، لیزر و .... )، و اهمیت کوچک سازی این قطعات، بررسی پلاسمای کوانتومی الکترون – حفره در آنها امری ضروری است. در اینگونه سیستم ها، از آنجایی که طول موج دوبروی حاملهای بار قابل مقایسه با فواصل بین ذره ای است، توابع موج ذرات با یکدیگر همپوشانی کرده و اثرات مکانیک کوانتومی پدید می آیند. در میکروال...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان 1388

نانولوله های کربنی به عنوان جدیدترین ساختار کربنی شناخته شده، بدلیل دارا بودن خواص منحصر بفرد مکانیکی، گرمایی و الکتریکی در دهه اخیر مورد توجه بسیاری از محققان بوده اند. این ترکیبات می توانند در بسیاری از زمینه ها مانند مواد نانوکامپوزیت، دستگاه های نشر میدانی، باطری های الکتروشیمیایی، نانو حسگرها، دستگاه های نانوالکترونیک و نیز بعنوان پایه کاتالیست ها بکار روند. از آنجایی که نانولوله های کربن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم پایه 1392

امروزه نانولوله های کربنی از لحاظ علمی به عنوان سنگ بنای نانوالکترونیک علاقه بسیاری از دانشمندان را در سراسر جهان به خود جلب کرده اند. از سوی دیگر درمقایسه با سایر مواد نانو ابعاد کوچک و خواص فیزیکی قابل توجه آنها، این ساختارهارا تبدیل به مواد منحصر به فرد با طیف وسیعی ازکاربردها کرده است. در این تحقیق تولید نانولوله ی کربنی را به روش تخلیه قوس الکتریکی با جریان متناوب وبا استفاده از یک ژنرات...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیک 1394

گرافین، نامزد مناسبی برای نانوالکترونیک مدرن است. از آن جا که در گرافین نوار رسانش و ظرفیت با هم در تماس هستند، در نتیجه گرافین شبه فلزی با گاف انرژی صفر خواهد بود. برای به کارگیری گرافین در صنعت الکترونیک، نیاز است که گاف انرژی در نوار انرژی آن ایجاد گردد. در واقع گاف انرژی معیاری از ولتاژ آستانه و نرخ خاموش-روشن شدن در ترانزیستورهای اثر میدانی است. در سال های اخیر روش های گوناگونی برای ایجاد ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1391

همزمان با رشد تکنولوژی ساخت در مدارهای vlsi، از یک سو ابعاد مدارها، ولتاژ تغذیه و خازن گره ها کاهش یافته و از سوی دیگر فرکانس کلاک افزایش یافته است. این عوامل سبب کاهش شدید بار بحرانی در گره های حساس مدارهای نانوالکترونیک شده و حساسیت این مدارها را نسبت به خطاهای گذرای ناشی از تشعشعات پرانرژی به طور قابل ملاحظه ای افزایش داده اند. در این پایان نامه، یک لچ مقاوم حساس به سطح با قابلیت تحمل خطای ن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده فیزیک 1387

چکیده ندارد.

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید