فرضیه: افزایش رسانندگی گرمایی آمیزه‌های لاستیکی از نظر توزیع یکنواخت ‌خواص در نقاط مختلف قطعه لاستیکی و نیز کاهش زمان پخت حائز اهمیت است که بر کیفیت و قیمت نهایی محصول اثر می‌گذارد. پودر آلومینای به‌دست‌آمده از فناوری پیرولیز افشانه‌ای دارای شکل‌شناسی مناسبی است، بنابراین می‌تواند پرکننده مؤثری در آمیزه‌های تایر باشد.روش‌ها: شکل‌شناسی، ترکیب و اندازه بلور پودر جدید با استفاده از SEM، وXRD و پخش...

  We explore the important role of the strong electron-phonon interaction in high temperature superconductivity through the study of the results of some important experiments, such as inelastic neutron and X-ray scattering, angle resolved photoemission spectroscopy, and isotope effects. We also present our computational results of the eigenvalues and eigenvectors of the Ag Raman modes, and the ...

از آنجا که تشکیل جفت الکترونها برای ابررسانایی ضرورت دارد، تشخیص سازوکارهایی که می توانند به تشکیل این جفت ها بیانجامد از اهمیت بسزایی برخوردار است. اما، از یکسو برخی از آزمایشها بر روی ابررساناهای دمای بالا، مانند arpes ، نشان داده اند که مجموعه ای از نتایج تجربی بوسیله مدهای بوزونی مغناطیسی قابل توصیفند و از سوی دیگر برخی دیگر از آزمایشها مانند تونلزنی ابررسانایی ( tunneling spectroscopy )، ب...

نتایج تجربی نشان داده است که وجود مرز دانه ها اثراتی بر روی برخی خواص الکتریکی، مکانیکی و حرارتی گرافین داشته است؛ ازجمله کاهش تحرک الکترونیکی، رسانندگی گرمایی و کاهش مقاومت الکتریکی. ازآنجایی که گرافین دوبعدی است و به اندازه یک اتم کربن ضخامت دارد، مرز دانه ها در گرافین هویت یک بعدی دارند. فونون های صوتی و اپتیکی حاملان گرما در بلور هستند، مرز دانه ها سبب پراکندگی فونون ها شده و به این ترتیب ی...

در این پایان نامه در ابتدا ترابرد فونونی یک نانو ساختار شبه یک بعدی جرم - فنر متصل به دو هادی فونونی ساده در حضور برهمکنش های بلند برد کولنی بین تمام یون ها مورد بررسی قرار گرفتهاست. محاسبات در تقریب هماهنگ و با استفاده از روش تابع گرین انجام شدهاست. نتایج نشان می دهد که با افزایشقدرت نیروی کولنی بین یون ها، ضریب عبور فونونی در بسامد هایفونونی پایین کاهش می یاید. همچنین در حضور نیروی اتلافی ونی...

در این پایان نامه، با استفاده از مدل نوسانگر وابسته؛ تابع دی الکتریک نیمه هادیهای گروه iii-iv مطالعه و بررسی شده است و با بهره گیری از این مدل طیف انعکاسی نظری نیمه هادی-های گروه فوق رسم و اثر پارامترهای اپتیکی مختلف در این مدل بررسی گردیده است. جهت بررسی کارایی این مدل، طیف فروسرخ دور تجربی نمونه هایی از نیمه هادی های گروه iii-iv (از قبیل gaas، gap و gasb) با طیف نظری برازش شده سپس پارامترهای ...

کاربرد افزاره های فتونیکی درسیستمهای محاسباتی، از سه دهه پیش، شروع شده و دائماً در حال توسعه و پیشرفت هستند، اما اندازه قطعات فوتونیکی بر محدودیت شکست نور نمی توانند غلبه کنند. ازطرفی دیگر، نرخ انتقال داده ها تا سال 2015 به 10 ترابیت برثانیه خواهد رسید که افزارههای فتونیکی فعلی قادر به تأمین چنین نرخی نمی باشند. بدین منظور به افزاره های نانوفتونیکی نیاز هست تا بر مشکل محدودیت شکست نور غلبه کرده ...