نتایج جستجو برای: بسط دهنده ge

تعداد نتایج: 60481  

Journal: :IEEE Trans. Robotics and Automation 2003
Roman Kuc

Conventional Polaroid time-of-flight (TOF) sonars provide object range measurements, but their wide beam widths limit the object bearing accuracy. We describe a first-order model that predicts the TOF readings from an object at given range, bearing, and reflecting strength produced by the Polaroid 6500 series sonar ranging module connected to a 600 series electrostatic transducer. The model pro...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده شیمی 1392

پیوندهای غیرکوالانسی مدلی از برهم کنش های درون ملکولی و بین ملکولی هستند که به دلیل نیروهای الکتروستاتیک و نیروهای لاندنی میان اتم های مختلف بوجود می آیند. پیوند هالوژنی به برهم کنش میان اتم هالوژن و گونه ی الکترون دهنده نسبت داده می شود. این واقعیت که هم اتم هالوژن و هم گونه ی الکترون دهنده دارای بار منفی هستند، برهم کنش های میان این دو بار منفی را چالش برانگیز کرده است. دو مفهوم "حفره ی سیگما...

2012
Takashi NAKAMURA Taizo NAGURA Katsuyuki SATO Masao OHNISHI

Poly-trans-[(2-carboxyethyl) germasesquioxane] (Ge-132) is the most common organic germanium compound. The ingestion of Ge-132 promotes bile secretion. We assessed the rat caecal characteristics after the administration of Ge-132 and raffinose, a prebiotic oligosaccharide, because both Ge-132 and some prebiotics can change the fecal color to yellow. We also compared the changes in the caecal fl...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم 1389

رالکترواکسایش الکل ها (متانول، اتانول، 1- پروپانول و 2- پروپانول) توسط نیکل فرونشانی شده در لایه نازکی از پلیمر اورتوآمینوفنل سنتز شده بر روی الکترود گرافیت، در حضور آنیون فعال سطحی سدیم دودسیل سولفات (sds)، (ge/poap-sds/ni) بررسی شد. از روبش پتانسیل در محلول سدیم هیدروکسید m 1/0 به منظور غنی سازی سطح از گونه های ni(iii) استفاده شد. شواهد امر گواه بر الکترواکسایش مستقیم الکل ها بر روی الکترود g...

2011
Yishai Ron Ami D Sperber Arie Levine Orit Shevah Ram Dickman Yona Avni Haim Shirin

BACKGROUND/AIMS To evaluate associations between delayed gastric emptying (GE) assessed by the octanoic acid breath test and upper gastrointestinal (GI) symptoms. METHODS A historical, prospective study included 111 consecutive symptomatic adults referred for a GE breath test because of upper abdominal symptoms suggestive of delayed GE. Exclusion criteria included underlying organic disease a...

2011
Friederike Wöhrlin Angelika Preiß - Weigert

glycidol undergoing 100 % transformation into 3-MCPD (reference value) (NaCl) [TF=0.67] GE stearate (NaCl) [TF=0.85] GE linolenate (NaCl) [TF=0.67] GE oleate (NaCl) [TF=0.71] glycidol undergoing 100 % transformation into 3-MBPD (reference value) (NaBr) [TF=0.48] GE stearate (NaBr) [TF=0.51] GE linolenate (NaBr) [TF=0.31] Linear (GE linolenate (NaBr) [TF=0.31]) Challenges in Analysing Glycidyl F...

2014
Yan Cai Lionel C. Kimerling Thomas Lord Jurgen Michel Gerbrand Ceder

Germanium (Ge) is an optically active material with the advantages of Si-CMOS compatibility and monolithic integration. It has great potential to be used as the light emitter for Si photonics. Tensile strain and n-type doping are two key properties in Ge to achieve optical gain. This thesis mainly focuses on: (1) physical understandings of the threshold behavior of Ge-on-Si bulk laser and the t...

2017
Moustafa Abdelaal Hegazi Mohamed Hesham Sayed Haifa Hasan Sindi Osama Elsayed Bekhit Basem Salama El-Deek Faisal M. Yaqoub Alshoudri Amroo Khaled Noorelahi

Previous studies in Jeddah, western Saudi Arabia, showed rotavirus (RV) prevalence around 40% in pediatric inpatients with gastroenteritis (GE) with a maximum level during cooler months. Currently, there are no data on impact of rotavirus vaccine (RVV) on RV-GE in Saudi Arabia. Therefore, this study was conducted to assess impact of RVV on incidence and severity of RV-GE in hospitalized pediatr...

2009
Eric S. Landry Alan J.H. McGaughey J. H. McGaughey

Abstract The thermal resistance of semiconductor thin films is predicted using lattice dynamics (LD) calculations and molecular dynamics (MD) simulations. We consider Si and Ge films with thicknesses, LF , between 0.2 nm and 30 nm that are confined between larger extents of the other species (i.e., Ge/Si/Ge and Si/Ge/Si structures). The LD predictions are made in the classical limit for compari...

2005
F. ZHENG

Growth and evolution of germanium (Ge) nanocrystals embedded into a silicon oxide (SiO2) system have been studied based on the Ge content of co-sputtered Ge-SiO2 films using transmission electron microscopy (TEM) and Xray photoelectron spectroscopy (XPS). It was found that when the proportion of Ge relative to Ge oxide is 20%, TEM showed that annealing the samples at 800C for 60 min resulted in...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید