پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

در این مقاله، مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی ترانزیستور ماسفت دوگیتی با گیت دوماده‌ای بدون آلایش ارائه شده است که قابل اعمال به ساختارهای متقارن و نامتقارن می‌باشد. پتانسیل دوبعدی با مجموع مؤلفه پتانسیل یک‌بعدی کانال بلند در امتداد طول کانال و مؤلفه تغییرات دوبعدی کانال کوتاه بیان شده است. مؤلفه یک‌بعدی به طول Debye ذاتی وابسته است و به‌صورت تحلیلی از حل معادله یک‌بعدی پواسون استخراج م...

آشکارسازهای نوری بخش حساس هر سیستم مخابرات نوری را تشکیل میدهند، چنانچه افزایش حساسیت و بهبود عملکرد آنها مستقیماً بر روی کیفیت مخابره نوری تأثیر میگذارد. آشکارسازهای نوری بهمنی با نواحی جذب و تکثیر مجزا،، نوعی از آشکارساز نوری می باشند که نواحی جذب فوتون و تولید حاملهای بار و ناحیه تکثیر حاملهای بار در این نوع آشکارساز از یکدیگر جدا میباشد . برای بدست آوردن نویز اضافی کمتر در یک آشکارساز باید ض...

این مقاله می کوشد ابتدا به پیشینة فرهنگ عامه، تعریف، منابع، تاریخچه و تأثیر آن در اشعار محمدعلی بهمنی و حسین منزوی (اعتقادها و باورها، ادبیات عامیانه، کنایه ها، گیاهان، جانوران، رسوم، علوم، افسانه ها و بازی ها) بپردازد و به این وسیله گامی در مسیر شناخت بیشترِ شعرِ این دو شاعر و فرهنگِ عامه، بردارد و در پایان از نوشته ها نتیجه گیری نماید.

شعر هر شاعری، آینه تمام نمای زندگی اجتماعی، سیاسی، فرهنگی و هنری جامعه ای است که در آن زندگی می کند. بر این اساس و در دنیای معاصر، عده ای از شاعران بر این باورند که قالب ها و زبان شعر کلاسیک برای بیان این شرایط و محیط، قاصر است؛ از این رو هر کدام به شیوه ای سعی در به روز رسانی شعر خود متناسب با زمان و مکان زیستگاه خویش دارند؛ و این آغاز قدم نهادن در وادی نوآوری ست. شیوه های نوآوری در میان شاعرا...

در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. ام...

این پایان نامه ابتدا به بررسی مدلهای مداری ای می پردازد، که به منظور پیش بینی رفتار آشکارسازهای نوری ارائه شده اند. سپس با بررسی نقاط ضعف و ویژگهای آنها، یک مدل مداری پیشنهاد می کند که قادر است، جریان خروجی را تحت تاثیر اثر نویز موجود در قطعه، برای آشکارسازهای نوری نازک بخوبی پیش بینی کند. در این مدل سازی با در نظر گرفتن اثر پیشینه یونیزاسیون نفوذپذیر و طول فضای مرده سعی درارائه بیانی درست و جا...

این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی و ارائه سه ساختار جدید برای آنها می¬پردازد. با توجه به اهمیت کوچک شدن ترانزیستورها، در ساختارهای ارائه شده سعی کرده¬ایم که اثرات زیان بخش کانال کوتاه را کاهش دهیم. ترانزیستورهای نانولوله جدید پیشنهاد شده در این پایان نامه عبارتند از: 1- ترانزیستور نانولوله کربن با گیت دوقلو، 2- ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن با دوپینگ پله¬ای د...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...