نتایج جستجو برای: سیکل گیت

تعداد نتایج: 4304  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

در این پایان نامه، ساختارهایی برای طراحی و پیاده سازی گیت های منطقی تمام نوری بر مبنای بلورهای فوتونی ارائه شده است. ساختار بلور فوتونی، از شبکه ی مربعی دوبعدی از میله های دی الکتریک در بستر هوا، تشکیل شده است. میله ها از دو ماده ی ایندیم فسفاید (inp) و ترکیب خاصی از شیشه های کالکوجناید (chalcogenide glasses) تشکیل شده است. این دو ماده، ضریب شکست یکسانی دارند، اما ضرایب اثر غیرخطی آن ها متفاوت ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران 1389

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2012

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1392

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فناوری های نو 1393

طرح vcsoa ها نقاط اشتراک زیادی با طرح soa های fabry – perot در یک صفحه ، vcsel ها و فیلترهای fp دارد. سالهای زیادی است که این دستگاه¬ها مورد مطالعه قرار می¬گیرند]11-13[. تا حال مدل¬های تئوری که ساخته شده¬اند، اساس محکمی را برای ساخت تئوری vcsoa فراهم می¬کنند. طرح-هایی که در این فصل برای vcsoa ها پیشنهاد می¬گردد، تا حدود زیادی به طراحی ارائه شده در ussb برای vcsel های قبلی است. اولین مقاله تئوری...

ژورنال: انرژی ایران 2004
محمدی نائینی, محمدرضا,

هدف از این مطالعه از نقطه نظر سیستم های سیکلی، بدست آوردن بیشترین کار خروجی از ترکیب های مختلف سیکل های ترمودینامیکی می باشد. سه نوع سیستم که در این مقاله مورد بحث قرار خواهند گرفت عبارتند از: یک سیکل ترکیبی اصلی و دو سیکل دیگر که به صورت سری و موازی در نظر گرفته شده اند. در هر سیستم تاثیر متغیرها به منظور دستیابی به حالت بهینه ترکیب سیکل ها مورد بررسی قرارگرفته است .نتایج نشان می دهد که سیکل...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایه 1393

درهمتنیدگی و ناهمخوانی کوانتومی دو نوع مهم همبستگی کوانتومی هستند که بیشتر محاسبات کوانتومی بر پایه ی آن ها می باشد. ناهمخوانی کوانتومی مفهومی کلی تر از درهمتنیدگی است چراکه ناهمخوانی برای بعضی حالت های جداپذیر با درهمتنیدگی صفر می تواند وجود داشته باشد. این همبستگی های کوانتومی نقش بسزایی در افزایش سرعت انتقال اطلاعات در سیستم های کوانتومی ایفا می کنند. ما در این پایان نامه گیت های کوانتومی ای...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی ارومیه - دانشکده علوم 1392

عملیات های منطقی یکی از موضوعات اساسی در ساختار کامپیوترهای امروزی هستند. امروزه، علاقه زیادی به گسترش روش های جایگزین برای بدست آوردن گیت های منطقی، بوسیله محاسبات آشوبناک وجود دارد. در این پایان نامه، روش اجرای جدیدی برای گیت های منطقی با قابلیت پیکربندی مجدد با استفاده از خانواده ای از نگاشت های آشوبناک یک متغیره ارائه شده است. به دلیل ویژگی منحصر به فرد این خانواده می توان ولتاژ پایه یکسانی...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده علوم پایه 1387

چکیده در این پایان نامه برای محاسبه مشخصه جریان-ولتاژ، ابتدا با در نظرگرفتن اثر طول گیت (lg)، معادلات حل شده اند و از صحت و درستی آنها در مقایسه با مقالات و داده های موجود اطمینان حاصل شده، سپس یک مدل جدید تحلیلی برای بررسی مشخصه ولتاژ-جریان ترانزیستورهای اثر میدانی با ساختار نامتجانسalgan/gan ارائه گردیده و فرض شده که در آن پتانسیل کانال در نواحی بدون گیت به طور خطی و تدریجی تغییر می کند. با...

ژورنال: :مجله دندانپزشکی 0
عباس منزوی a. monzavi

شاغلین حرفه دندانپزشکی در تماس مداوم با وسایل مختلف در اندازه های متفاوت، تیز، داغ، محرک، دوار می باشند. فرز گیت گلیدن (gate glidden) که برای آماده سازی داخل کانال یا تخلیه گوتای داخل کانال به کار می رود، از جمله این وسایل است. در این مقاله شکسته شدن بسیار نادر یک نمونه آن و باقی ماندن shaft آن در ساعد دندانپزشک و عدم تشخیص به موقع آن گزارش می گردد.

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید