در این تحقیق به بررسی ناهنجاری تغییر علامت هال در حالت گردابی در نمونه های آلاییده ybco با مقادیر آلایش 045/0?x?0 برای ni، 03/0?x?0 برای fe، 3/0?x?0 برای ag و 045/0?x?0 برای آلایش الکترونیal با میدانهای ( koe27/6،61/4،52/2) h= عمود بر سطح نمونه و در جریان ثابت و مستقیم ma 100 پرداخته ایم. نتایج این تحقیق در رابطه با مقاومت مغناطیسی حاکی از پهن شدگی گذار ابررسانایی، با افزایش میدان مغناطیسی بوده...

در این پایان نامه ابتدا ساختار گرافن را مورد بررسی قرار داده ایم، به این ترتیب که دو پایه معرفی شده برای گرافن را ارائه کرده ایم وتقریب بستگی قوی را برای دو پایه بررسی کرده ایم. همچنین این تقریب را در روش کوانتش دوم برای گرافن یک لایه و دو لایه مطالعه کرده ایم. در ادامه اثر کلاسیک هال را بیان کرده و اثر کوانتومی هال را در گاز الکترونی دوبعدی مرور کرده ایم. سپس یک صفحه گرافنی را تحت تاثیر میدان ...

این مقاله فاقد چکیده می​باشد.

Calculation of Hall coefficient in semiclassical approach requires the first and the second derivatives of the energy bands at the Fermi level. We use the Maximally Localized Wannier Function technique to determine the required band derivatives and calculate the ordinary Hall conductivity and ordinary Hall coefficient in Al,Cu, Pd, Li, Au, Ag and Pb cubic metals.

این مقاله در پی بررسی قرائت، رمزگشایی و تفسیر زنان از سریال های تلویزیون است. این بررسی بر مبنای رویکرد مطالعات فرهنگی انجام گرفته است. به همین دلیل، چارچوب نظری ما منظومه ای از نظریة هژمونی گرامشی و هال و نظریة ترکیب بندی در آثار گرامشی و آلتوسر و هال و لاکلاو و موفه است. این پژوهش با استفاده از روش کیفیِ مصاحبة متمرکز انجام شده است. یافته‏های این پژوهش نشان می دهد که زنان در اغلب موارد با قرائ...

این مقاله فاقد چکیده می​باشد.

روش های اندازه گیری مغناطیسی بسیار متنوع است و بسته به نوع کمیت مورد نظر و شدت میدان مورد اندازه گیری متفاوت خواهند بود. عمده ترین روش های مورد بحث در این پایان نامه، روش اندازه گیری به کمک پراب هال و پیچه چرخان است. این روش ها معمولا به منور اندازه گیری میدان، اندازه گیری انتگرال و گرادیان ، تعیین مرکز مغناطیسی، اندازه گیری و آنالیز هارمونیک های چند قطبی آهنرباهای چندقطبی مورد استفاده قرار می ...

نیمرسانای ‏‎inas‎‏ از نیمرساناهای ترکیبی گروه ‏‎iii-v‎‏ است، که دارای گاف انرژی کوچکی نسبت به نیمرساناهای دیگر(بجز ‏‎insb‎‏) می باشد. از این ترکیب می توان در ساخت آشکارسازهای مادون قرمز، لیزرهای نیمرسانا و همچنین بعنوان ژنراتور هال برای اندازه گیری شدت مغناطیسی استفاده نمود. پیوند بین اتمهای این ترکیب از نوع یونی و کووالانسی است و از ‏‎sb‎‏ بعنوان ناخالصی دهنده در آن استفاده شده تا ترکیب مورد ن...