ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمت...

ترانزیستور یکی از مهم ترین قطعات الکترونیکی است، که ساخت آن تحول عظیمی در فرآورده های الکترونیکی ایجاد کرد، قبل از اختراع ترانزیستور، از لامپ های خلاء بزرگ و پر مصرف استفاده می شد. ترانزیستور از ادوارات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلسییوم و ژرمانیوم ساخته می شود. ساخت ترانزیستورهای کوچک تر همواره از نیازهای انسان بوده است، چرا که سرعت پردازشگرها رابطه ی مستقیمی با تعداد ترانزیس...

قطعات ساندویچی al/clinpc/al بالایه نشانی به روش تبخیر گرمایی در خلاء ساخته شدند. ضخامت قطعات آماده شده به شرح زیر است : لایه آلومنیوم50nm /لایه کلروایندیوم فتالوسیانین 100nm / لایه آلومنیوم 50nm . در رسانندگی dc جریان این قطعات در بازه ولتاژی 0.04v – 2.5 v وبازه دمایی 303k – 413k اندازه گرفته شده است . سپس نمودارهای lnj بر حسب lnv ، lnj بر حسب 1000/t ، lnj بر حسب v^(1?2) رسم شده است. از نمودار...

گرافین، با ویژگی هایی همچون: گاف انرژی صفر ، تحرک بالای الکترونی، رسانایی خوب الکتریکی، شفافیت، انعطاف و استحکام زیاد، نوید بخش سلول های خورشیدی هست که بهبود بازده و کاهش هزینه های تولید را به همراه دارند. برای استفاده از گرافین به عنوان کنتاکت و در عین حال لایه ی فعال، یعنی ایجاد پیوند شاتکی، نیاز به افزایش سد شاتکی، کاهش مقاومت و افزایش شفافیت گرافین است که با 5 لایه ی گرافین دوپ شده با tfsa،...

با توجه به پیشرفت روز افزون علم و تکنولوژی در باند فرکانسی تراهرتز و با توجه به نیازها و کاربردهای خاص و منحصر به فرد این بازه در صنایع مختلف دفاعی و نظامی و پزشکی ، مطالعه ، طراحی و ساخت آشکارساز فرکانس تراهرتز به عنوان موضوعی برای پایان نامه در نظرگرفته شد. بدین منظور با توجه به مشخصات کاری مورد نظرمان برای آشکارسازی ،از بین آشکارسازهای متداول تراهرتز دو نمونه مطالعه و بررسی شد و با توجه به ...

ارتفاع سد شاتکی، چگالی جریان اشباع معکوس، فاکتور ایده آل، نسبت یکسوکنندگی و ولتاژ شکست این دیودها بر اساس نظریه گسیل گرمایونی محاسبه شدند. همچنین ثابت ریچاردسون این دیودها از نمودار برحسب نیز تعیین گردید. با اندازه گیری مشخصه ظرفیت- ولتاژ این دیودها غلظت حامل های بار نیم رساناهای پلیمری، پتانسیل اتصال و پهنای ناحیه تهی پیوندگاه به دست آمدند. همچنین تابع کار پلی ایندول و پلی (n-اکتیل) ایندول تخم...

در این تحقیق ابتدا سنسور گاز mtt را با استفاده از نرم افزار matlab به نحو مطلوبی مدل سازی نمودیم تا تأثیر برخی از پارامترهای موثر در طراحی این سنسور شامل تراکم گاز، ضخامت سد تونلی پیوند بیس- امیتر و ارتفاع سد شاتکی پیوند کلکتور- بیس را بر روی میزان پاسخ دهی سنسور گاز mtt مورد مطالعه قرار دهیم. یکی از نتایج جالب حاصل از این مدل سازی نشان داد که در تراکمهای خیلی کمِ گاز میزان پاسخ دهی سنسور با سد ...