اکسید ایندیوم in2o3 بطور ذاتی یک نیمه رسانای شفاف است که خواص الکتریکی واپتیکی آن رامی توان با افزودن ناخالصی به آن تغییر داد. این خواص به نوع ناخالصی حساس اند و با افزودن ناخالصی به آن به رسانایی بالاتر و مقاومت سطحی کمتر می رسیم. برای مثال افزودن قلع به آن سبب می شود بخاطر چگالی بالای الکترونهای آزاد در باند رسانش رفتار شبه فلزی از خود نشان دهد. اکسید ایندیوم قلع به این دلیل که به طور هم زمان...

امروزه ساخت دسته جدیدی از قطعات الکترونیکی مانند سیم های کوانتومی و حافظه های مولکولی با رفتارهای ویژه و قابل توجه از مهمترین فناوری های پیشرفته در توسعه نانو محسوب می شود.محققین بسیاری رسانش دستگاه های مزوسکوپیک وعمدتاً دستگاه های مولکولی ساندویچ شده بین دو الکترود فلزی را بررسی کرده اند و پدیده هایی همچون سوئیچ زنی و تقویت کنندگی را در این رساناهای مولکولی مشاهده کرده اند و تلاش کرده اند تا قط...

نظریه تابعی چگالی یکی از روشهای مطالعه دستگاه های بس ذره ای می باشد. مهمترین تقریبهایی که در نظریه تابعی چگالی مورد استفاده قرار می گیرند، تقریب چگالی موضعی(lda) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) می باشند. این تقریب ها درگستره وسیعی از مسائل جواب های قابل قبولی ارائه داده اند. در فصل اول این پایان نامه ابتدا به معرفی ترکیبات نیمرسانای گروه ii-vi و همچنین به نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده بر پایه ا...

اسپینترونیک فصل مشترک مغناطیس و الکترونیک است. پایه اصلی اسپینترونیک ها استفاده صحیح از جریان های اسپینی در حضور جریان های الکتریکی اصلی، است. امروزه استفاده ازاسپین الکترون باعث ایجاد توانایی ها و ظرفیت های جدیدی در وسایل الکتریکی و الکترواپتیکی می شود. تولید نیم رساناهای مغناطیسی رقیق یک روش مهم برای بکارگیری هم زمان اسپین و بار الکترون، و ایجاد خاصیت فرومغناطیسی در مواد اکسیدی است. اخیراً، چن...

چکیده نظریه تابعی چگالی یکی از روش های بررسی دستگاه های بس ذره ای می باشد. معروفترین تقریب هایی که برای جمله تبادلی-همبستگی در نظریه تابعی چگالی استفاده می شوند، تقریب چگالی موضعی (lda) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) می باشند که در طیف وسیعی از مسایل جواب های قابل قبول و منطبق با نتایج تجربی را ارایه داده اند. اما این تقریب ها در توصیف دستگاه های همبسته قوی ضعیف عمل کرده و به نتایج منطبق با واق...

در این رساله، در بخش اول ویژگی های الکترونی صفحات گرافن خالص و ناخالص شده با نیتروژن (گرافیتی، پیریدینی و پیرولی) بررسی شده است. در ادامه با انباشته کردن صفحات گرافن خالص، گرافیتی و پیریدینی وتشکیل گرافیت خالص و نا خالص و قرار دادن اتم های لیتیم در بین آن ها با چیدمان 1stage-، ویژگی های الکترونی آن ها مورد بررسی قرار گرفته است. در گرافن خالص نوار ظرفیت و هدایت یکدیگر را در نقطه k قطع می کنند در...

در این پایان نامه اثر نقص های تهی جای و ناخالصی هگزاگونال بور نیتراید یگانه روی برخی از خواص مکانیکی و الکترونی گرافن با استفاده از نظریه تابعی چگالی و شرایط مرزی متناوب با روش اسکاسریا-کودین و تقریب گرادیان تعمیم یافته ی پردیو، باک و ارن زرهاف تابعی تبادلی- همبستگی بررسی شده است. همچنین تأثیر کرنش تک محوری بر خواص الکترومکانیکی گرافن کامل، گرافن در حضور نقص تهی جای و گرافن در حضور ناخالصی هگزا...

در این تحقیق ویژگی های ساختاری، الکترونی، اپتیکی، فونونی و گرمایی ترکیب ws2 بررسی شده است. محاسبات با استفاده از روش شبه¬پتانسیل، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی pwscf انجام شده است. شبه پتانسیل های مورد استفاده تحت دو شرایط بار¬پایسته و فوق نرم ساخته شده و تابعی تبادلی- همبستگی آن ها از نوع lda و gga می¬باشد. مطالعۀ ساختار نواری بیان¬گر این است که این ترکیب یک نیم رسانا...

یکی از خواص مورد علاقه در مطالعات تئوری سیالات محدودشده، توزیع چگالی مولکول ها است. در سامانه های ماکروسکوپی، توزیع چگالی مولکول های اطراف مولکول مرکزی دارای تقارن کروی بوده و بنابراین ?(r) ، تنها تابع فاصله ی بین مولکولی، r، است و در نتیجه ?(r)=?(r) . در سیال محدودشده مانند سیالی که بین دو دیواره ی موازی محدود شده باشد (نانوحفره ی شیاری)، توزیع چگالی در راستای دیواره ها تغییر می کند. بنابراین ...

تاکنون توپولوژی چگالی بار در مورد بلورهای بسیاری مورد بررسی قرار گرفته است. در این پژوهش برای اولین بار توپولوژی چگالی بار در بلور خالص fcc-c60 و آلاییده fcc-n@c60 به منظور مطالعه پیوندهای موجود در این بلورها بررسی شده است. بلور خالص fcc-c60 در دمای اتاق و فشار معمولی در شبکه fcc با گروه فضایی fm3m متبلور می-شود. به منظور بدست آوردن ساختار الکترونی بلور fcc-c60 ابتدا ساختار هندسی این ترکیب شبیه...